11月21日(木) 午前  10:10 - 12:20
(1)	10:10-10:30	ZnOのALD成長での平坦薄膜成長条件の調査 ED2019-33 CPM2019-52 LQE2019-76	○山本　燎・加納寛人・中村篤志・居波　渉（静岡大）
(2)	10:30-10:50	ミストCVD法によりc面サファイア基板上に高温下で成長したZnO結晶の発光特性 ED2019-34 CPM2019-53 LQE2019-77	○大橋紘誠・藤原健八・山本幹大・原　和彦（静岡大）・酒井　優（山梨大）・光野徹也（静岡大）
(3)	10:50-11:10	化学溶液析出法によって種々のTCOシード層に成長したZnOナノロッドの構造およびフォトルミネッセンス特性 ED2019-35 CPM2019-54 LQE2019-78	濱本昂大・○寺迫智昭（愛媛大）・矢木正和（香川高専）・古林　寛・山本哲也（高知工科大）
(4)	11:10-11:30	化学溶液析出法による極薄GZO薄膜シード層上へのZnOナノロッドの成長と構造及び光学特性 ED2019-36 CPM2019-55 LQE2019-79	○寺迫智昭・濱本昂大・山田健太・甲田真一朗（愛媛大）・矢木正和（香川高専）・古林　寛・山本哲也（高知工科大）
	11:30-12:20	昼食　（ 50分 ）
11月21日(木) 午後  12:20 - 13:55
(5)	12:20-12:40	電気化学的な処理を用いた酸化亜鉛光触媒の特性改善 ED2019-37 CPM2019-56 LQE2019-80	○安部功二・大竹徳人（名工大）
(6)	12:40-13:00	β-Ga2O3 SBDを利用したRF－DC変換回路における負荷抵抗と電極面積依存性 ED2019-38 CPM2019-57 LQE2019-81	○橋川　誠・浦田幸佑・竹ノ畑拓海・大石敏之・大島孝仁（佐賀大）
(7)	13:00-13:20	リセス深さによるノーマリーオフ型GaN MOSFETsの短チャンネル効果改善 ED2019-39 CPM2019-58 LQE2019-82	○加藤大望・梶原瑛祐・向井　章・大野浩志・新留　彩・田島純平・彦坂年輝・蔵口雅彦・布上真也（東芝）
(8)	13:20-13:40	ICP-RIEによって作製されたGaNトレンチ側壁のダメージ評価 ED2019-40 CPM2019-59 LQE2019-83	○山田真嗣・櫻井秀樹（名大/アルバック）・長田大和・中村敏幸・上村隆一郎（アルバック）・須田　淳・加地　徹（名大）
	13:40-13:55	休憩　（ 15分 ）
11月21日(木) 午後  座長: 川口 真生(パナソニック) 13:55 - 15:30
(9)	13:55-14:15	ALDにより成膜したSiO2/Al2O3 2層絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MIS-HEMTのデバイス特性評価 ED2019-41 CPM2019-60 LQE2019-84	○横井駿一・古岡啓太・久保俊晴・江川孝志（名工大）
(10)	14:15-14:35	両極性同時成長を用いたGaN-QPM結晶の作製およびSHGに向けた光学特性評価 ED2019-42 CPM2019-61 LQE2019-85	○松久快生・小林佑斗・石原弘基・杉浦真子・杉田篤史・井上　翼・中野貴之（静岡大）
(11)	14:35-14:55	AlGaNをを量子井戸に用いた電子線励起レーザ ED2019-43 CPM2019-62 LQE2019-86	○櫻木勇介・安江信次・手良村昌平・荻野雄矢・田中隼也・岩山　章・岩谷素顕・上山　智・竹内哲也・赤崎　勇（名城大）・三宅秀人（三重大）
(12)	14:55-15:15	MOCVD法によるGaN、GaInN上への厚膜AlInN膜のエピタキシャル成長 ED2019-44 CPM2019-63 LQE2019-87	○山中瑞樹・三好実人・江川孝志（名工大）・岡田成仁・只友一行（山口大）・竹内哲也（名城大）
	15:15-15:30	休憩　（ 15分 ）
11月21日(木) 午後  座長: 川北 泰雅(古河電工) 15:30 - 16:10
(13)	15:30-15:50	c面GaNに格子整合する組成近傍の四元混晶AlGaInNエピタキシャル膜の成長と結晶及び光学特性評価 ED2019-45 CPM2019-64 LQE2019-88	○原田紘希・三好実人・江川孝志（名工大）・竹内哲也（名城大）
(14)	15:50-16:10	AlInN/GaN多層膜反射鏡を有するGaN系面発光レーザーの偏波特性 ED2019-46 CPM2019-65 LQE2019-89	○小田　薫・飯田涼介・岩山　章・清原一樹・竹内哲也・上山　智・岩谷素顕（名城大）・赤崎　勇（名城大/名大）
11月22日(金) 午前  09:40 - 10:55
(15)	09:40-10:00	蒸着Sn膜の直接硫化による二硫化錫薄膜の結晶性評価 ED2019-47 CPM2019-66 LQE2019-90	○田村優樹・中村篤志（静岡大）
(16)	10:00-10:20	有機太陽電池用反射防止ナノテクスチャに関する実験検討 ED2019-48 CPM2019-67 LQE2019-91	○平賀健太・久保田　繁・鹿又健作・有馬ボシールアハンマド（山形大）・水野　潤（早大）・廣瀬文彦（山形大）
(17)	10:20-10:40	エレクトロスピニング法を用いたポリウレタンファイバーマットのコンポジット化 ED2019-49 CPM2019-68 LQE2019-92	○森　拓海・中村篤志（静岡大）
	10:40-10:55	休憩　（ 15分 ）
11月22日(金) 午前  10:55 - 11:55
(18)	10:55-11:15	pHセンサにおける電極表面特異性の評価 ED2019-50 CPM2019-69 LQE2019-93	○新澤亮介・中村篤志（静岡大）
(19)	11:15-11:35	非酵素グルコースセンサの作製 ED2019-51 CPM2019-70 LQE2019-94	○丹羽貴大・中村篤志（静岡大）
(20)	11:35-11:55	脳深部光刺激用LEDプローブの実現に向けた針型構造の作製 ED2019-52 CPM2019-71 LQE2019-95	○中山雄晟・安永弘樹（豊橋技科大）・稲波千尋・大澤匡弘（名古屋市大）・関口寛人（豊橋技科大/JSTさきがけ）
	11:55-12:45	昼食　（ 50分 ）
11月22日(金) 午後  座長: 山口 敦史(金沢工大) 12:45 - 13:45
(21)	12:45-13:05	DCスパッタAlNテンプレートを用いたUVC-LEDの進展 ED2019-53 CPM2019-72 LQE2019-96	○最上耀介（理研/埼玉大）・大澤篤史・尾崎一人・谷岡千丈・前岡淳史（SCREEN）・糸数雄吏・桑葉俊輔（理研/埼玉大）・定　昌史・前田哲利（理研）・矢口裕之（埼玉大）・平山秀樹（理研）
(22)	13:05-13:25	微傾斜AlN(0001)面上へのGaN極薄膜量子井戸の作製と光学特性 ED2019-54 CPM2019-73 LQE2019-97	○船戸　充・小林敬嗣・川上養一（京大）
(23)	13:25-13:45	UV-B領域AlGaN発光層の光学利得と内部ロスの転位密度依存性 ED2019-55 CPM2019-74 LQE2019-98	○田中隼也・川瀬雄太（名城大）・佐藤恒輔（旭化成/名城大）・安江信次・手良村昌平・荻野雄矢（名城大）・岩山　章（名城大/三重大）・岩谷素顕・竹内哲也・上山　智（名城大）・赤﨑　勇（名城大/名大）・三宅秀人（三重大）
	13:45-14:00	休憩　（ 15分 ）
11月22日(金) 午後  座長: 川口 真生(パナソニック) 14:00 - 15:00
(24)	14:00-14:20	InGaN量子井戸におけるMobility Edgeの見積り方法に関する実験的・理論的検討 ED2019-56 CPM2019-75 LQE2019-99	○藤田貴志・坂井繁太・池田優真・山口敦史（金沢工大）・草薙　進・蟹谷裕也・工藤喜弘・冨谷茂隆（ソニー）
(25)	14:20-14:40	光音響・発光同時計測によるInGaN量子井戸の内部量子効率の推定 ED2019-57 CPM2019-76 LQE2019-100	○森　恵人・高橋佑知・森本悠也・山口敦史（金沢工大）・草薙　進・蟹谷裕也・工藤喜弘・冨谷茂隆（ソニー）
(26)	14:40-15:00	光熱偏向分光によるIII-V族窒化物の評価 ED2019-58 CPM2019-77 LQE2019-101	○角谷正友（物質・材料研究機構）

問合先と今後の予定
ED	電子デバイス研究会（ED）   [今後の予定はこちら]
	問合先	東脇 正高（情報通信研究機構） TEL : 042-327-6092 Fax : 042-327-5527 E- : m 大石 敏之(佐賀大学) TEL : 0952-28-8642 E- :oi104cc-u
CPM	電子部品・材料研究会（CPM）   [今後の予定はこちら]
	問合先	寺迫 智昭 (愛媛大学) TEL: 089-927-9789 FAX: 089-927-9790 E-: amze-u
LQE	レーザ・量子エレクトロニクス研究会（LQE）   [今後の予定はこちら]
	問合先	川北 泰雅（古河電気工業） TEL 045-311-1219 E-: electc 永井 正也（大阪大学大学院） TEL 06-6850-6507 E-: mimpes-u
	お知らせ	◎LQE研究会ホームページ http://www.ieice.org/~lqe/jpn/welcome.html
		◎LQE研究会では 平成18年度より「LQE奨励賞」を設けました。対象は発表年度の4月1日時点で32歳以下の若手研究者(学生を含む)です。積極的にご投稿下さい。

Last modified: 2019-11-25 11:30:48