2月7日(月) 午前  10:00 - 17:00
	10:00-10:05	開会の挨拶　（ 5分 ）
(1)	10:05-10:50	［基調講演］3次元実装技術とCPI(Chip Package Interaction)の課題 SDM2010-216	○折井靖光・鳥山和重・堀部晃啓・松本圭司・佐久間克幸（日本IBM）
(2)	10:50-11:20	ロバストLow-k(k～2.5)配線の開発指針とインテグレーションによる性能検証 SDM2010-217	○井上尚也・植木　誠・山本博規・久米一平・川原　潤・井口　学・本田広一・堀越賢剛・林　喜宏（ルネサス エレクトロニクス）
(3)	11:20-11:50	コンプライアントバンプ技術のイメージセンサーへの応用 SDM2010-218	○渡辺直也・浅野種正（九大）
	11:50-12:40	昼食，休憩　（ 50分 ）
(4)	12:40-13:10	CuSiN/Cu/Ti系バリア構造におけるCu表面酸化層のEM信頼性へ与える影響 SDM2010-219	○林　裕美・松永範昭・和田　真・中尾慎一・渡邉　桂・加藤　賢・坂田敦子・梶田明広・柴田英毅（東芝）
(5)	13:10-13:40	光電子制御プラズマCVDによるナノグラファイト成長：結晶性の放電条件依存 SDM2010-220	○小川修一（東北大/JST）・佐藤元伸（富士通/JST）・角　治樹（東北大）・二瓶瑞久（富士通/JST）・高桑雄二（東北大/JST）
(6)	13:40-14:10	Ti基自己形成バリア構造の誘電体層組成依存性 SDM2010-221	○小濱和之・伊藤和博・薗林　豊（京大）・大森和幸・森　健壹・前川和義（ルネサス エレクトロニクス）・白井泰治（京大）・村上正紀（立命館大）
(7)	14:10-14:40	光電子制御プラズマCVD法で成膜したネットワークナノグラファイト配線 SDM2010-222	○佐藤元伸（富士通/JST/産総研）・小川修一（東北大/JST）・池永英司（高輝度光科学研究センター/JST）・高桑雄二（東北大/JST）・二瓶瑞久（富士通/JST/産総研）・横山直樹（産総研）
	14:40-14:55	休憩　（ 15分 ）
(8)	14:55-15:25	Cu - TSV/ Cu -Snマイクロバンプを有する薄ウェハのストレス評価 SDM2010-223	○Murugesan Mariappan・福島誉史・田中　徹・小柳光正（東北大）
(9)	15:25-15:55	3次元積層技術における低温バンプレスTSVプロセス SDM2010-224	○北田秀樹・前田展秀（東大）・藤本興治（大日本印刷）・水島賢子・中田義弘・中村友二（富士通研）・大場隆之（東大）
(10)	15:55-16:25	新プリカーサーを用いた低透水性バリアLow-k SiC膜(k<3.5) SDM2010-225	○宇佐美達矢・小林千香子・三浦幸男（ルネサス エレクトロニクス）・永野修次（大陽日酸）・大音光市（ルネサス エレクトロニクス）・清水秀治（大陽日酸）・加田武史・大平達也（トリケミカル研）・藤井邦宏（ルネサス エレクトロニクス）
(11)	16:25-16:55	メタルハードマスクプロセスを用いた32nm以細対応ELK配線技術 SDM2010-226	○松本　晋・原田剛史・森永泰規・稲垣大介・柴田潤一・田代健二・可部達也・岩崎晃久・平尾秀司・筒江　誠・野村晃太郎・瀬尾光平・樋野村　徹・虎澤直樹・鈴木　繁（パナソニック）
	16:55-17:00	閉会の挨拶　（ 5分 ）

問合先と今後の予定
SDM	シリコン材料・デバイス研究会（SDM）   [今後の予定はこちら]
	問合先	安斎 久浩(ソニー) Tel 046-201-3297 Fax046-202-6572 E-: Hisahiro.Ansai＠jp.sony.com

Last modified: 2010-12-15 13:12:38