12月16日(金) 午前  10:00 - 17:20
(1)	10:00-10:20	ZnS系無機EL蛍光体の発光特性に対する高圧水蒸気熱処理による効果 SDM2011-132	○紺谷拓哉・谷口真央・堀田昌宏（奈良先端大）・田口信義（イメージテック）・石河泰明・浦岡行治（奈良先端大）
(2)	10:20-10:40	平面電極を用いた分散型無機ELパネルの基本特性 SDM2011-133	○野中俊宏（龍谷大）・浦岡行治（奈良先端大）・田口信義（イメージテック）・山本伸一（龍谷大）
(3)	10:40-11:00	SiO2/p型4H-SiC界面特性におけるPOCl3アニールの効果 SDM2011-134	○高上稔充・矢野裕司・畑山智亮・冬木　隆（奈良先端大）
(4)	11:00-11:20	接合終端構造の改良による15kV級SiC PiNダイオードの実現 SDM2011-135	○丹羽弘樹・馮　淦・須田　淳・木本恒暢（京大）
(5)	11:20-11:40	放電電流過渡分光法を用いた犠牲酸化処理された高純度半絶縁性4H-SiCの欠陥評価 SDM2011-136	○西川誠二・岡田亮太・松浦秀治（阪電通大）
(6)	11:40-12:00	Ti電極上コバルトナノ微粒子の位置選択性制御 SDM2011-137	○板倉聡之（龍谷大）・山田啓文（京大）・浦岡行治（奈良先端大）・山下一郎（松下電器）・山本伸一（龍谷大）
	12:00-13:00	昼食　（ 60分 ）
(7)	13:00-13:30	［招待講演］Siスパッタエピタキシーによる単結晶Si太陽電池の作製 SDM2011-138	○葉　文昌（島根大）・方　ユー斌・黄　祥恩（台湾科技大）
(8)	13:30-14:00	［招待講演］酸化亜鉛薄膜トランジスタのサブギャップ準位と電気特性・信頼性への影響 SDM2011-139	○古田　守・島川伸一（高知工科大）
(9)	14:00-14:20	ゲル－ナノインプリントプロセスによるZnO－2次元フォトニック結晶の作製 SDM2011-140	○張　敏・荒木慎司・呂　莉・堀田昌宏・西田貴司・石河泰明・浦岡行治（奈良先端大）
(10)	14:20-14:40	Poly-Si TFTによる温度センサ SDM2011-141	○田矢　純・椋田朋訓・中島章弘・木村　睦（龍谷大）
(11)	14:40-15:00	poly-Si TFTのオーバーシュートドレイン電流の評価とモデリング SDM2011-142	○太田俊史・辻　博史・鎌倉良成・谷口研二（阪大）
	15:00-15:20	休憩　（ 20分 ）
(12)	15:20-15:40	レーザー結晶化のプロセスシミュレータの開発 ～ 2次元および3次元シミュレータの開発 ～ SDM2011-143	○木村　睦・松木邦晃・斎藤龍輔・塚本周史（龍谷大）
(13)	15:40-16:00	SiO2/Si界面の固定電荷による影響を低減したX線検出素子の最適な構造の提案 SDM2011-144	○岡田亮太・西川誠二・松浦秀治（阪電通大）
(14)	16:00-16:20	軟X線源を用いた半導体薄膜の低温結晶化技術の開発 SDM2011-145	○部家　彰・野々村勇希・木野翔太・松尾直人・天野　壮・宮本修治・神田一浩・望月孝晏（兵庫県立大）・都甲　薫・佐道泰造・宮尾正信（九大）
(15)	16:20-16:40	長方形断面Siナノワイヤの伝導帯構造の断面形状およびサイズ依存性 SDM2011-146	○森　誠悟・森岡直也・須田　淳・木本恒暢（京大）
(16)	16:40-17:00	DNA電界効果トランジスタの電荷保持特性 SDM2011-147	○高城祥吾・松尾直人・山名一成・部家　彰・高田忠雄（兵庫県立大）・横山　新（広島大）
(17)	17:00-17:20	抵抗変化型メモリ用Pt/NiO/Pt素子におけるフィラメント形成領域の特定とその評価 SDM2011-148	○岩田達哉・西　佑介・木本恒暢（京大）

問合先と今後の予定
SDM	シリコン材料・デバイス研究会（SDM）   [今後の予定はこちら]
	問合先	小野 行徳(NTT) Tel 046-240-2641 Fax 046-240-4317 E-: o

Last modified: 2011-12-10 22:02:45