5月19日(木) 午後  13:00 - 16:40
(1)	13:00-13:25	ドライ転写技術によるナノキャビティ上へのCVD単層グラフェンダイアフラムの製作 ED2016-13 CPM2016-1 SDM2016-18	○石田隼斗・石田　誠（豊橋技科大）・澤田和明・高橋一浩（豊橋技科大/豊橋技科大EIIRIS）
(2)	13:25-13:50	熱化学気相成長法による合金基板上へのグラフェン合成 ED2016-14 CPM2016-2 SDM2016-19	○岸　直希・岩間一樹・水谷拓哉・加藤慎也・曽我哲夫（名工大）
(3)	13:50-14:15	ZnO nanostructures for the fabrication of photoanode towards energy applications ED2016-15 CPM2016-3 SDM2016-20	○Mani Navaneethan・Jayaram Archana・Santhana Harish・Tadanobu Koyama・Hiroya Ikeda・Yasuhiro Hayakawa（Shizuoka Univ.）
(4)	14:15-14:40	ZnOナノ構造を用いたフレキシブル材料の熱電特性評価 ED2016-16 CPM2016-4 SDM2016-21	○和波雅也・セルバラジ シャンティ・鈴木悠平・ベルスワミィ パンディヤラサン（静岡大）・ファイズ サレ（マラヤ大）・下村　勝・村上健司・池田浩也（静岡大）
	14:40-15:00	休憩　（ 20分 ）
(5)	15:00-15:25	絶縁ゲート型トランジスタに向けた絶縁体/窒化物半導体界面形成プロセスの検討 ED2016-17 CPM2016-5 SDM2016-22	○近藤佑隆・篠原正俊・彦坂朋輝・馬場真人・岡田　浩・関口寛人・山根啓輔・若原昭浩（豊橋技科大）
(6)	15:25-15:50	ダイヤモンドショットキーバリアダイオードによるレクテナ回路の作製 ED2016-18 CPM2016-6 SDM2016-23	○河野直士・嘉数　誠・大石敏之（佐賀大）
(7)	15:50-16:15	パリレン薄膜を用いたアルミサブ波長格子によるプラズモニックカラーシートの製作 ED2016-19 CPM2016-7 SDM2016-24	○熊谷隼人（豊橋技科大）・本間浩章（豊橋技科大/学振）・石田　誠・澤田和明（豊橋技科大/豊橋技科大EIIRIS）・高橋一浩（豊橋技科大）
(8)	16:15-16:40	セリウム置換イットリウム鉄ガーネットを用いた近赤外波長域用磁性フォトニック結晶の形成に関する研究 ED2016-20 CPM2016-8 SDM2016-25	○吉本拓矢・後藤太一・高木宏幸・中村雄一・内田裕久・井上光輝（豊橋技科大）
5月20日(金) 午前  09:30 - 12:20
(9)	09:30-09:55	EDTAを錯化剤に用いた溶液成長法によるSnS薄膜堆積 ED2016-21 CPM2016-9 SDM2016-26	○神田祐作・高野　泰・石田明広（静岡大）
(10)	09:55-10:20	光化学堆積法による透明なp型半導体薄膜CuxZnySの熱処理 ED2016-22 CPM2016-10 SDM2016-27	○トン バインガルディ・市村正也（名工大）
(11)	10:20-10:45	Evaluation of electrical properties of HfS2 thin flakes obtained by mechanical exfoliation ED2016-23 CPM2016-11 SDM2016-28	○Vikrant Upadhyaya・Toru Kanazawa・Yasuyuki Miyamoto（TokyoTech）
	10:45-11:05	休憩　（ 20分 ）
(12)	11:05-11:30	Si(111)-√3×√3－Ga表面相上へのGaSb薄膜のヘテロエピタキシャル成長 ED2016-24 CPM2016-12 SDM2016-29	下山浩哉・○森　雅之・前澤宏一（富山大）
(13)	11:30-11:55	Gravity effect on the properties of InxGa1-xSb ternary alloys grown at the International Space Station ED2016-25 CPM2016-13 SDM2016-30	○Velu NirmalKumar（Shizuoka Univ）・Mukannan Arivanandhan（Anna Univ）・Govindasamy Rajesh・Tadanobu Koyama・Yoshimi Momose（Shizuoka Univ）・Kaoruho Sakata（Univ.Tokyo）・Tetsuo Ozawa（Shizuoka Insti.Sci.&Tech.）・Yasunori Okano（OsakaUniv.）・Yuko Inatomi（JAXA）・Yasuhiro Hayakawa（Shizuoka Univ）
(14)	11:55-12:20	III-V/Siヘテロエピタキシーのための界面制御 ED2016-26 CPM2016-14 SDM2016-31	○山根啓輔・関口寛人・岡田　浩・若原昭浩（豊橋技科大）

問合先と今後の予定
CPM	電子部品・材料研究会（CPM）   [今後の予定はこちら]
	問合先	中村 雄一 (豊橋技術科学大学) TEL : 0532-44-6734 FAX : 0532-44-6757 e- : eetut
ED	電子デバイス研究会（ED）   [今後の予定はこちら]
	問合先	松永 高治（日本電気) TEL：044-435-8348 Fax :044-455-8253 E-： k-fpc 鈴木 寿一（北陸先端科学技術大学院大学） TEL : 0761-51-1441 Fax : 0761-51-1455 E- : sijaist
SDM	シリコン材料・デバイス研究会（SDM）   [今後の予定はこちら]
	問合先	黒田 理人(東北大) Tel 022-795-4833 Fax 022-795-4834 E-: e3

Last modified: 2016-03-23 10:38:10