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電子デバイス研究会 (ED) (検索条件: 2013年度)
「from:2013-08-08 to:2013-08-08」による検索結果
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ED | 2013-08-08 14:00 |
富山 | 富山大学工学部 大会議室 | 共鳴トンネルダイオードを用いた極短パルス生成器の高出力化 ○呉 東坡・水牧勝太朗・潘 杰・森 雅之・前澤宏一（富山大）  ED2013-37 |
我々は共鳴トンネルダイオードを用いた極短パルス生成器の高出力化方法について検討した。共鳴トンネルダイオードの電圧振幅は限... [more] | ED2013-37 pp.1-4 |
| ED | 2013-08-08 14:25 |
富山 | 富山大学工学部 大会議室 | 高性能共鳴トンネルダイオードのための溶融ガリウムバンプを用いたFluidic Self-Assembly ○中野 純・柴田知明・森田弘樹・坂本 宙・森 雅之・前澤宏一（富山大） ED2013-38 |
溶融金属バンプを用いたFluidic Self-Assembly (FSA)は非常に有望な異種材料集積技術のひとつであり... [more] | ED2013-38 pp.5-8 |
| ED | 2013-08-08 14:50 |
富山 | 富山大学工学部 大会議室 | トンネルダイオード線路上のエッジ振動ダイナミクス ○楢原浩一（山形大） ED2013-39 |
[more] | ED2013-39 pp.9-13 |
| ED | 2013-08-08 15:30 |
富山 | 富山大学工学部 大会議室 | ［招待講演］容量-周波数-温度マッピングによるGaN系金属-絶縁体-半導体デバイスの解析 ○鈴木寿一・Hong-An Shih・工藤昌宏（北陸先端大） ED2013-40 |
[more] | ED2013-40 pp.15-18 |
| ED | 2013-08-08 16:20 |
富山 | 富山大学工学部 大会議室 | スパッタリング堆積BN膜のAlGaN/GaN金属-絶縁体-半導体ヘテロ接合電界効果トランジスタへの応用 ○山本裕司・Tuan Quy Nguyen・Hong-An Shih・工藤昌宏・鈴木寿一（北陸先端大） ED2013-41 |
[more] | ED2013-41 pp.19-23 |
| ED | 2013-08-08 16:45 |
富山 | 富山大学工学部 大会議室 | AlGaN/GaNと金属との反応による二次元電子ガス濃度と移動度の増加 ○徳田博邦・小島敏和・葛原正明（福井大） ED2013-42 |
[more] | ED2013-42 pp.25-28 |
| ED | 2013-08-08 17:10 |
富山 | 富山大学工学部 大会議室 | Al2O3/ n-Ga2O3 MOS ダイオード特性評価 ○上村崇史・ワン マンホイ（NICT）・佐々木公平（タムラ製作所）・ダイワシガマニ キルシナムルティ（NICT）・倉又朗人（タムラ製作所）・増井建和（光波）・山腰茂伸（タムラ製作所）・東脇正高（NICT） ED2013-43 |
[more] | ED2013-43 pp.29-32 |
| ED | 2013-08-09 09:00 |
富山 | 富山大学工学部 大会議室 | 超高性能デジタルマイクロフォンセンサのためのInP基板へのMEMSマイクロフォン作製プロセス ○藤野舜也・水野雄太・高岡和央・森 雅之・前澤宏一（富山大） ED2013-44 |
本論文では, InP基板上におけるMEMSマイクロフォンの製造プロセスについて述べた. このプロセスは, 中空構造を作製... [more] | ED2013-44 pp.33-36 |
| ED | 2013-08-09 09:25 |
富山 | 富山大学工学部 大会議室 | 真空アニール法がAl2O3/GaSb MOS界面に与える影響 ○後藤高寛・藤川紗千恵・藤代博記（東京理科大）・小倉睦郎・安田哲二・前田辰郎（産総研） ED2013-45 |
あらまし MOCVD法を用いてGaAs基板上に低温GaSbバッファー層を挟みGaSb層を成長させた．GaSb/GaAs界... [more] | ED2013-45 pp.37-42 |
| ED | 2013-08-09 09:50 |
富山 | 富山大学工学部 大会議室 | Ga/Si(111)表面再構成構造を用いたSi(111)基板上GaSbナノ構造の形成 ○町田龍人・戸田隆介・吉木圭祐・藤川紗千恵（東京理科大）・原 紳介（NICT）・色川勝己・三木裕文（東京理科大）・河津 璋（東京電機大）・藤代博記（東京理科大） ED2013-46 |
Si基板上のGaSbナノ構造は近赤外の発光素子への応用が期待されており，エピタキシャル成長法による形成の制御技術を確立す... [more] | ED2013-46 pp.43-48 |
| ED | 2013-08-09 10:30 |
富山 | 富山大学工学部 大会議室 | InGaAs 2次元電子ガス 2層系におけるサブバンド輸送と量子ホール効果 ○日高志郎・岩瀬比宇麻・赤堀誠志・山田省二（北陸先端大）・今中康貴・高増 正（物質・材料研究機構） ED2013-47 |
[more] | ED2013-47 pp.49-53 |
| ED | 2013-08-09 10:55 |
富山 | 富山大学工学部 大会議室 | GaAs上の領域選択分子線成長による面内配向InAsナノワイヤの試作と電気的評価 ○赤堀誠志・村上達也・山田省二（北陸先端大） ED2013-48 |
[more] | ED2013-48 pp.55-59 |
| ED | 2013-08-09 11:20 |
富山 | 富山大学工学部 大会議室 | Si(111)上へのSb再構成構造を利用したInSbの選択成長 ○王 シン・森 雅之・前澤宏一（富山大） ED2013-49 |
最近、ナノワイヤートランジスタ(NW-FETs)、FinFETsなどの立体構造デバイスの研究が盛んに行われている。過去の... [more] | ED2013-49 pp.61-65 |
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