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電子デバイス研究会 (ED) (検索条件: 2007年度)
「from:2008-01-30 to:2008-01-30」による検索結果
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ED, SDM (共催) |
2008-01-30 13:30 |
北海道 | 北海道大学 | MBE-VLS法を用いた(111)Si基板上へのGaAsナノワイヤ成長 ○山口雅史・白 知鉉・西脇達也・吉田 隆・澤木宣彦（名大）  ED2007-237 SDM2007-248 |
[more] | ED2007-237 SDM2007-248 pp.1-4 |
| ED, SDM (共催) |
2008-01-30 13:55 |
北海道 | 北海道大学 | 有機金属気相選択成長法によるInGaAs系ナノワイヤの形成とその電気的評価 ○登坂仁一郎・佐藤拓也・本久順一・原 真二郎・福井孝志（北大） ED2007-238 SDM2007-249 |
半導体ナノワイヤは、その特異な形状とサイズの微小さから、サランウンディングゲートFET、転位のない高輝度発光デバイス等へ... [more] | ED2007-238 SDM2007-249 pp.5-10 |
| ED, SDM (共催) |
2008-01-30 14:20 |
北海道 | 北海道大学 | Dopant ionization in silicon nanodevices investigated by Kelvin Probe Force Microscope ○Maciej Ligowski（Shizuoka Univ./Warsaw Univ. of Tech.）・Ratno Nuryadi・Akihiro Ichiraku・Miftahul Anwar（Shizuoka Univ.）・Ryszard Jablonski（Warsaw Univ. of Tech.）・Michiharu Tabe（Shizuoka Univ.） ED2007-239 SDM2007-250 |
Dopant ionization was investigated by Kelvin Probe Force Mic... [more] | ED2007-239 SDM2007-250 pp.11-16 |
| ED, SDM (共催) |
2008-01-30 14:45 |
北海道 | 北海道大学 | Design of dopant-induced quantum dot arrays in silicon nanostructures for single-electron transfer ○Daniel Moraru・Daisuke Nagata・Kiyohito Yokoi・Hiroya Ikeda・Michiharu Tabe（Shizuoka Univ.） ED2007-240 SDM2007-251 |
Randomly distributed dopants in the channel of silicon-on-in... [more] | ED2007-240 SDM2007-251 pp.17-22 |
| ED, SDM (共催) |
2008-01-30 15:20 |
北海道 | 北海道大学 | ［招待講演］InP系バリスティックトランジスタ ○宮本恭幸・古屋一仁（東工大/JST） ED2007-241 SDM2007-252 |
[more] | ED2007-241 SDM2007-252 pp.23-28 |
| ED, SDM (共催) |
2008-01-30 15:55 |
北海道 | 北海道大学 | InAs/AlGaSb 量子細線3分岐構造における非線形電子輸送 ○小山政俊・井上達也・天野直樹・藤原健司・前元利彦・佐々誠彦・井上正崇（阪工大） ED2007-242 SDM2007-253 |
InAs/AlGaSbバリスティックデバイスにおける非線形電子輸送特性と整流効果について報告する．InAs/AlGaSb... [more] | ED2007-242 SDM2007-253 pp.29-32 |
| ED, SDM (共催) |
2008-01-30 16:20 |
北海道 | 北海道大学 | GaAsナノワイヤ3分岐接合デバイスの非線形特性制御と論理ゲートへの応用 ○アブドゥール ラーマン シャハリン ファズリ・白鳥悠太・葛西誠也（北大） ED2007-243 SDM2007-254 |
[more] | ED2007-243 SDM2007-254 pp.33-38 |
| ED, SDM (共催) |
2008-01-31 09:00 |
北海道 | 北海道大学 | シリコンナノ構造による熱電変換デバイスの特性向上 ○池田浩也・山下尚見（静岡大） ED2007-244 SDM2007-255 |
実用化に対して十分な熱電変換効率を得るために，熱電変換素子にナノ構造を導入することにより特性の向上を目指している．本報告... [more] | ED2007-244 SDM2007-255 pp.39-42 |
| ED, SDM (共催) |
2008-01-31 09:25 |
北海道 | 北海道大学 | カーボンナノチューブ単電子トランジスタの高温動作に向けて ○森 貴洋（理研）・佐藤俊介・大村一夫（理研/東京理科大）・内田勝美・矢島博文（東京理科大）・石橋幸治（理研/JST） ED2007-245 SDM2007-256 |
単層カーボンナノチューブは単電子トランジスタの構成材料として極めて有望な材料である。我々はカーボンナノチューブ単電子トラ... [more] | ED2007-245 SDM2007-256 pp.43-46 |
| ED, SDM (共催) |
2008-01-31 09:50 |
北海道 | 北海道大学 | 集束電極付FEAを用いたCdTe-X線イメージセンサの提案 ○塙 裕一郎・坂田拓也・惣田崇志・韓 貴・森井久史・松原勝見・山下 進（静岡大）・長尾昌善・金丸正剛（産総研）・根尾陽一郎・青木 徹・三村秀典（静岡大） ED2007-246 SDM2007-257 |
高解像度X線画像の取得を目標として、FEAとCdTe素子を対向に配置したFEA駆動CdTe-X線イメージセンサを提案し、... [more] | ED2007-246 SDM2007-257 pp.47-50 |
| ED, SDM (共催) |
2008-01-31 10:15 |
北海道 | 北海道大学 | 共鳴トンネル素子を用いた極短パルス生成器とそのAlNセラミック基板上アンテナとの集積化 ○前澤宏一（富山大）・亀谷直樹・岸本 茂・水谷 孝（名大）・安藤浩哉（豊田高専）・赤松和弘・中田弘章（日鉱金属） ED2007-247 SDM2007-258 |
共鳴トンネル素子を用いたシンプルなパルス生成器をInP基板上に試作した． 出力を100GHz帯域のオシロスコープによ... [more] |
ED2007-247 SDM2007-258 pp.51-56 |
| ED, SDM (共催) |
2008-01-31 10:50 |
北海道 | 北海道大学 | 4RTD論理回路の動作解析 ○江幡友彦・奥山太樹・和保孝夫（上智大） ED2007-248 SDM2007-259 |
4RTD論理回路のOR/AND及びNOR/NAND動作領域について解析を行った。理論式と回路シミュレーション結果に基づき... [more] | ED2007-248 SDM2007-259 pp.57-62 |
| ED, SDM (共催) |
2008-01-31 11:15 |
北海道 | 北海道大学 | ショットキーラップゲート制御GaAsナノワイヤネットワーク構造上への能動回路・順序回路の実装 ○葛西誠也（北大/JST）・趙 洪泉・橋詰 保（北大） ED2007-249 SDM2007-260 |
特定のトポロジおよび周期性を有する半導体ナノワイヤネットワーク構造上への能動回路・順序回路の実装について検討を行った．基... [more] | ED2007-249 SDM2007-260 pp.63-68 |
| ED, SDM (共催) |
2008-01-31 11:40 |
北海道 | 北海道大学 | Siナノドットアレイを用いた2出力単電子デバイスの半加算機動作 ○開澤拓弥・曹 民圭・有田正志（北大）・藤原 聡・山崎謙治・小野行徳（NTT）・猪川 洋（静岡大）・高橋庸夫（北大） ED2007-250 SDM2007-261 |
[more] | ED2007-250 SDM2007-261 pp.69-73 |
| ED, SDM (共催) |
2008-01-31 12:05 |
北海道 | 北海道大学 | ナノMOSFETを利用した単一電子・確率的情報処理回路 ～ 単一電子のランダムな振る舞いの検出と制御 ～ ○西口克彦・藤原 聡（NTT） ED2007-251 SDM2007-262 |
シリコンMOSFETを利用した確率的情報処理回路について報告する．ナノ・スケールMOSFETに流れる電流をアトアンペア以... [more] | ED2007-251 SDM2007-262 pp.75-79 |
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