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集積回路研究会（ICD）

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専門委員長		中屋雅夫
副委員長		松澤昭
幹事		宮野信治，甲斐康司
幹事補佐		相本代志治，永田真

日時	2006年 4月13日(木)　09:20 - 18:40 2006年 4月14日(金)　08:40 - 15:35
議題	新メモリ技術とシステムLSI <オーガナイザ：山内寛行（福岡工業大学）>
会場名	大分大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー
住所	〒870-1192 大分市旦野原700番地
交通案内	JR大分大学前駅から徒歩15分またはJR大分駅からバス30分「大分大学」 http://www.oita-u.ac.jp/gaiyo/map/access.html
会場世話人連絡先	電気電子工学科益子洋治 097-569-3311
お知らせ	◎4月13日研究会終了後、懇親会を予定していますのでご参加ください。

4月13日(木) 午前座長: 菊田繁（ルネサス） 09:20 - 10:35
(1)	09:20-09:45	DRAMにおけるVRT(Variable Retention Time)の起原～接合リーク電流の2値変動～	毛利友紀（日立）・大湯靜憲・小此木堅祐（エルピーダメモリ）・○山田廉一（日立）
(2)	09:45-10:10	リテンション時間延長可能なスリープモードを搭載した65nm低消費電力混載DRAM	○高井智久・永井　健・和田政春・岩井　斎・加来真理子・鈴木　淳・糸賀尚子・宮崎隆行（東芝）・竹中博幸（東芝マイクロエレクトロニクス）・北城岳彦・宮野信治（東芝）
(3)	10:10-10:35	カラムアクセス8.4ns,1.6Gbpsデータ転送を実現する512M DDR3 SDRAMのデータ転送回路技術の開発	○久保内修一（日立超LSIシステムズ）・藤澤宏樹・黒木浩二・西岡直久・利穂吉郎・野田浩正（エルピーダメモリ）・藤井　勇・余公秀之・瀧下隆治・伊藤孝洋・田中　均（日立超LSIシステムズ）・中村正行（エルピーダメモリ）
4月13日(木) 午前座長: 相本代志冶（NECエレ） 10:45 - 12:00
(4)	10:45-11:35	［特別招待講演］サブ１V DRAM設計技術	○河原尊之（日立）
(5)	11:35-12:00	90nm node CMOSプロセスによる128Mb-FBC(Floating Body Cell)メモリの技術開発	○中島博臣・南　良博・篠　智彰（東芝）・坂本篤史（東芝情報システム）・東　知輝（東芝マイクロエレクトロニクス）・楠　直樹・藤田勝之・初田幸輔・大澤　隆・青木伸俊・谷本弘吉・森門六月生・井納和美・浜本毅司・仁田山晃寛（東芝）
4月13日(木) 午後座長: 榎本忠儀（中央大学） 13:00 - 14:40
(6)	13:00-13:50	［特別招待講演］Chain FeRAM技術と将来展望	○高島大三郎（東芝）
(7)	13:50-14:40	［特別招待講演］金属酸化物抵抗変調型ＮＶＭ技術	○田口眞男（スパンシオン）
4月13日(木) 午後座長: 山内寛行（福岡工業大学） 14:50 - 16:30
(8)	14:50-15:40	［特別招待講演］新構造メモリ技術とSoCプラットフォーム	○有本和民（ルネサステクノロジ）
(9)	15:40-16:30	［特別招待講演］SoC設計からみたメモリへの要求	○高橋真史（東芝）
4月13日(木) 午後座長: 日高秀人（ルネサス） 16:40 - 18:40
(10)	16:40-18:40	［パネル討論］新メモリとSoC,今何をすべきか？	○日高秀人（ルネサステクノロジ）・田口眞男（SPANSION JAPAN）・河原尊之（日立）・高島大三郎（東芝）・上野修一（ルネサステクノロジ）・高田雅史（金沢大）・高橋真史（東芝）
4月14日(金) 午前座長: 中村和之（九州工業大学） 08:40 - 10:20
(11)	08:40-09:05	相変化メモリを利用した不揮発性SRAMアーキテクチャの研究	○高田雅史・中山和也・泉　貴富・新村　達・秋田純一・北川章夫（金沢大）
(12)	09:05-09:30	MRAMに適したパイプライン型セルフリファレンス手法の検討	○岡村怜王奈（早大）・木原雄治（ルネサステクノロジ）・金　泰潤・木村史法・松井悠亮（早大）・大石　司（ルネサステクノロジ）・吉原　務（早大）
(13)	09:30-09:55	4MbMRAMとその応用	○杉林直彦・本田雄士・崎村　昇・永原聖万・三浦貞彦・志村健一・辻　清孝・福本能之・本庄弘明・鈴木哲広・加藤有光・齋藤信作・笠井直記・沼田秀昭・大嶋則和（NEC）
(14)	09:55-10:20	携帯機器に適した低電圧・高速・高信頼性 16Mb MRAM	○清水有威・岩田佳久・土田賢二・稲場恒夫・滝沢亮介・上田善寛・板垣清太郎・浅尾吉昭・梶山　健・細谷啓司・池川純夫・甲斐　正・中山昌彦・與田博明（東芝）
4月14日(金) 午前座長: 宮野信治（東芝） 10:25 - 12:05
(15)	10:25-11:15	［特別招待講演］Spin-Transfer Torque Writing Technology (STT-RAM) For Future MRAM	○Hide Nagai・Yiming Huai（Grandis）・Shuichi Ueno・Tsuyoshi Koga（Renesas Technology）
(16)	11:15-11:40	DRAM技術を用いて特性を改善した16M SRAM	○木原雄治・中嶋　泰・井筒　隆・中本正幸（ルネサステクノロジ）・吉原　務（早大）
(17)	11:40-12:05	次世代ＳＲＡＭのために再定義した書き込みマージン	○武田晃一・池田秀寿・萩原靖彦・野村昌弘（NEC）・小畑弘之（NECエレクトロニクス）
4月14日(金) 午後座長: 久我守弘（熊本大学） 13:00 - 14:15
(18)	13:00-13:50	［特別招待講演］バッテリ機器向け低電力・低電圧SRAM回路技術	○山岡雅直（日立）
(19)	13:50-14:15	Worst-Case Ananlysis to Obtain Stable Read/Write DC Margin of High Density 6T-SRAM-Array with Local Vth Variability	○Yasumasa Tsukamoto・Koji Nii（Renesas Technology）・Susumu Imaoka（Renesas Design）・Yuji Oda（Shikino High-Tech.）・Shigeki Ohbayashi・Makoto Yabuuchi・Hiroshi Makino・Koichiro Ishibashi・Hirofumi Shinohara（Renesas Technology）
4月14日(金) 午後座長: 平野恭章（シャープ） 14:20 - 15:35
(20)	14:20-14:45	Floating Gate Type Planar MOSFET Memory with 35 nm Gate Length using Double Junction Tunneling	○Ryuji Ohba・Yuichiro Mitani・Naoharu Sugiyama・Shinobu Fujita（Toshiba）
(21)	14:45-15:10	マイコン搭載フラッシュメモリモジュールの内蔵電源システム	○石川次郎・田中利広・加藤　章・山木貴志・梅本由紀子・下里　健・中村　功・品川　裕（ルネサステクノロジ）
(22)	15:10-15:35	99mm2,10MB/secを実現する56nm 8Gb多値NANDフラッシュメモリ	○岩井　信・竹内　健・亀田　靖・藤村　進・大竹博之・細野浩司・志賀　仁・渡辺慶久・二山拓也・進藤佳彦・小島正嗣・白川政信・市毛正之・畠山多生・田中真一（東芝）

講演時間
一般講演	発表 20 分＋質疑応答 5 分
特別招待講演	発表 40 分＋質疑応答 10 分

問合先と今後の予定
ICD	集積回路研究会（ICD） [今後の予定はこちら]
	問合先	宮野信治（東芝） TEL 0444-548-2696, FAX 044-548-8324 E-: nba