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集積回路研究会（ICD）

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専門委員長		中屋雅夫
副委員長		松澤昭
幹事		宮野信治，甲斐康司
幹事補佐		相本代志治，永田真

シリコン材料・デバイス研究会（SDM）

[schedule] [select]

専門委員長		堀口文男
副委員長		浅野種正
幹事		大野守史，高柳万里子
幹事補佐		松井裕一

日時	2005年 8月18日(木)　08:30 - 18:20 2005年 8月19日(金)　08:30 - 17:15
議題	VLSI回路、デバイス技術（高速・低電圧・低消費電力）オーガナイザ中央大学榎本忠儀
会場名	函館国際ホテル 0138-23-5151(代表）
住所	〒040-0064北海道函館市大手町5-10
交通案内	JR函館駅から徒歩約5分、函館空港からタクシーで約20分、シャトルバスで約25分 http://www.hakodate.ne.jp/kokusaihotel/
会場世話人連絡先	三浦守 0138-34-6226
お知らせ	◎研究会1日目終了後，懇親会を予定していますので御参加ください．
お知らせ	◎JTBから宿泊・航空機のパックがございますので，ぜひご利用ください．詳細は下記のWEBをご覧ください． http://www.kameyama.ecei.tohoku.ac.jp/icd/jtb.pdf

8月18日(木) 午前 08:30 - 12:00
(1)	08:30-08:55	携帯機器応用 95mW MPEG2 MP@HL 動き検出プロセッサコア	村地勇一郎（神戸大）・浜野康司・○松野哲郎（金沢大）・宮越純一（神戸大）・深山正幸（金沢大）・吉本雅彦（神戸大）
(2)	08:55-09:20	ディジタル無線通信用FFT回路のビット幅制御による低消費エネルギー化手法の検討	○徳永将之・樽見幸祐・安浦寛人（九大）
(3)	09:20-09:45	温度変化によるLSI性能ばらつきを低減するTISロック回路	○小野豪一・宮崎祐行・渡邊一希・河原尊之（日立）
(4)	09:45-10:10	CMOSプロセスにおけるゲート遅延ばらつき測定回路の提案	○坂本良太・室山真徳・樽見幸祐・安浦寛人（九大）
	10:10-10:25	休憩　（ 15分）
(5)	10:25-11:10	［特別招待講演］サブ45nm時代に向けて、SOI基板技術の現状と展望	○吉見　信（SOITEC Asia）
(6)	11:10-11:35	面方位(110)極薄SOI pMOSFETにおける高移動度の実験的検証	○筒井　元・齋藤真澄・平本俊郎（東大）
(7)	11:35-12:00	VTCMOSに最適な基板バイアス係数可変完全空乏型 SOI MOSFET	○大藤　徹・南雲俊治（東大）・横山弘毅（東大/中大）・平本俊郎（東大）
	12:00-13:00	昼食　（ 60分）
8月18日(木) 午後 13:00 - 18:20
(8)	13:00-13:25	誘導性・容量性クロストークノイズによる遅延変動の測定と評価	○小笠原泰弘・橋本昌宜・尾上孝雄（阪大）
(9)	13:25-13:50	CMOSミックストシグナル/RF回路における基板結合対策	○小坂大輔・永田　真（神戸大）・村坂佳隆・岩田　穆（エイアールテック）
(10)	13:50-14:15	LDD構造CMOSFETにおける(高ドープ/低ドープ）・ドレイン解析用テスト構造	○大曽根隆志（岡山県立大）・松田敏弘（富山県立大）・岡田和彦・森下賢幸・小椋清孝（岡山県立大）・岩田栄之（富山県立大）
	14:15-14:30	休憩　（ 15分）
(11)	14:30-14:55	MTCMOS回路の遅延時間モデリングと静的タイミング解析への応用手法	○大久保直昭・宇佐美公良（芝浦工大）
(12)	14:55-15:20	動作時および待機時における電源電圧およびしきい電圧の制御による消費電力最小化のためのモニタリング方式	○池永佳史・野村昌弘・武田晃一・中澤陽悦（NEC）・相本代志治（NECエレクトロニクス）・萩原靖彦（NEC）
(13)	15:20-15:45	低消費電力・低リーク電流CMOS平方根回路	○小林伸彰・榎本忠儀（中大）
(14)	15:45-16:10	レプリカセルバイアス技術を用いた低リークSRAMマクロ	○平林　修・武山泰久・大竹博之・櫛田桂一・大塚伸朗（東芝）
	16:10-16:20	休憩　（ 10分）
(15)	16:20-18:20	[パネルディスカッション] サブ50-nm時代の切り札、SOI ～ SOIがBulkに勝てる技術はこれだ！～	榎本忠儀（中大）・○道関隆国（NTT）・有本和民（ルネサステクノロジ）・井田次郎（OKI）・一法師隆志（ルネサステクノロジ）・三木和彦（東芝）・山岡雅直（日立）・吉見　信（SOITEC）
8月19日(金) 午前 08:30 - 12:00
(16)	08:30-08:55	-90dBc@10kHzの位相ノイズを実現するバンド幅制御機能付き分数分周シンセサイザの開発	○道正志郎・森江隆史・岡本好史・山田祐嗣・曽川和昭（松下電器）
(17)	08:55-09:20	ディジタルI/Qミスマッチ補正回路を搭載したLow-IF方式シングルチップCMOS Bluetooth-EDR送信機	○石黒仁揮・宮下大輔・島田太郎・香西昌平・小林弘幸・間島秀明・阿川謙一・濱田基嗣・羽鳥文敏（東芝）
(18)	09:20-09:45	セグメント反転構成とカスケード・ダイナミックエレメントマッチングを用いた106dBオーディオ用ディジタル-アナログ変換器	○井戸　徹・石塚総一郎（日本テキサス・インスツルメンツ）
	09:45-10:00	休憩　（ 15分）
(19)	10:00-10:45	［特別招待講演］HfSiON ～その高耐熱性に基づくhigh-kゲート絶縁膜としての期待と残された課題～	○西山　彰・小山正人・上牟田雄一・小池正浩・飯島良介・山口　豪・鈴木正道・井野恒洋・小野瑞城（東芝）
(20)	10:45-11:10	Mixed Signal CMOS用HfSiON ゲート絶縁膜の最適化	○小島健嗣・飯島良介・大黒達也・渡辺　健・高柳万里子・百瀬寿代・石丸一成・石内秀美（東芝）
(21)	11:10-11:35	Hf系高誘電率ゲート絶縁膜のAl濃度変調及びパーシャルシリサイドゲート電極によるCMOS非対称閾値の改善	○門島　勝・小川有人・高橋正志（MIRAI-ASET）・太田裕之（MIRAI-ASRC）・三瀬信行・岩本邦彦（MIRAI-ASET）・右田真司（MIRAI-ASRC）・藤原英明・佐竹秀喜・生田目俊秀（MIRAI-ASET）・鳥海　明（MIRAI-ASRC/東大）
(22)	11:35-12:00	poly-Si電極における仕事関数変調とそのデバイスインパクト～ SiON/poly-Si界面の微量Hfの効果～	○由上二郎（ルネサステクノロジ）・嶋本泰洋（日立）・井上真雄・水谷斉治・林　岳・志賀克哉・藤田文子・土本淳一・大野吉和・米田昌弘（ルネサステクノロジ）
	12:00-13:00	昼食　（ 60分）
8月19日(金) 午後 13:00 - 17:15
(23)	13:00-13:25	MTJ抵抗比による電圧センス型1T2MTJ MRAM	○青木正樹・岩佐　拓・佐藤嘉洋（富士通研）
(24)	13:25-13:50	90nm GenericロジックCMOSプロセスを用いたメモリアレイ0.5V動作Asymmetric Three-Tr. Cell (ATC) DRAMの提案	○市橋　基（半導体理工学研究センター/ルネサステクノロジ）・戸田春希（半導体理工学研究センター/東芝）・伊藤寧夫（半導体理工学研究センター/東芝マイクロエレクトロニクス）・石橋孝一郎（半導体理工学研究センター/ルネサステクノロジ）
(25)	13:50-14:15	0.4V高速動作、長リテンション時間を実現する12F2ツインセルDRAMアレー	○竹村理一郎・伊藤清男・関口知紀・秋山　悟・半澤　悟（日立）・梶谷一彦（エルピーダメモリ）・河原尊之（日立）
(26)	14:15-14:40	AG-ANDフラッシュメモリにおける多値高速書込み技術～多値レベルに応じて最適容量を選択する改良型定電荷注入書込み方式～	○大津賀一雄・倉田英明（日立）・小堺健司・野田敏史（ルネサステクノロジ）・笹子佳孝・有金　剛・河村哲史・小林　孝（日立）
(27)	14:40-15:05	FinFETを用いたhp22nm node SRAMのロバストなデバイス設計	○岡野王俊・石田達也・佐々木貴彦・泉田貴士・近藤正樹・藤原　実・青木伸俊・稲葉　聡・大塚伸朗・石丸一成・石内秀美（東芝）
	15:05-15:15	休憩　（ 10分）
(28)	15:15-17:15	[パネルディスカッション] ゲートリークの救世主、それはHigh-k！	榎本忠儀（中大）・○高柳万里子（東芝）・佐藤成生（富士通）・新居浩二（ルネサステクノロジ）・西山　彰（東芝）・長谷　卓（NEC）・濱田基嗣（東芝）・由上二郎（ルネサステクノロジ）

問合先と今後の予定
ICD	集積回路研究会（ICD） [今後の予定はこちら]
	問合先	相本代志治（NECエレクトロニクス） TEL 044-435-1258, FAX 044-435-1878 E-: aicel
SDM	シリコン材料・デバイス研究会（SDM） [今後の予定はこちら]
	問合先	西岡泰城（日本大学理工学部精密機械工学科） TEL047-469-6482,FAX047-467-9504 E-:etn-u,acmsk