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セッション終了後に懇親会を開催いたします。出欠をお知らせください。

シリコン材料・デバイス研究会（SDM）

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専門委員長		大野裕三 (筑波大)
副委員長		国清辰也 (ルネサスエレクトロニクス)
幹事		黒田理人 (東北大)
幹事補佐		山口直 (ルネサスエレクトロニクス)

電子ディスプレイ研究会（EID）

[schedule] [select]

専門委員長		志賀智一 (電通大)
副委員長		木村睦 (龍谷大)，小南裕子 (静岡大)
幹事		伊達宗和 (NTT)，山口雅浩 (東工大)
幹事補佐		山口留美子 (秋田大)，新田博幸 (ジャパンディスプレイ)，中田充 (NHK)，小尻尚志 (日本ゼオン)，野中亮助 (東芝)，奥野武志 (Samsung R&D Inst. Japan)

日時	2015年12月14日(月)　11:00 - 16:30
議題	シリコン関連材料の作製と評価およびディスプレイ技術
会場名	龍谷大学響都ホール校友会館
住所	京都アバンティ 9階
交通案内	JR京都駅八条東口より徒歩約1分 https://www.ryukoku.ac.jp/ryudaihall/index.php
会場世話人連絡先	龍谷大学理工学部電子情報学科木村睦 077-543
他の共催	◆応用物理学会共催
著作権について	以下の論文すべての著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)

12月14日(月) 午前最新半導体デバイス座長: 木村睦（龍谷大） 11:00 - 13:15
(1)	11:00-11:15	高い選択比をもつSiNxエッチングガスを用いたFinFET構造の作製 EID2015-9 SDM2015-92	○小尻尚志・諏訪智之・橋本圭市・寺本章伸・黒田理人・須川成利（東北大）
(2)	11:15-11:30	DNAのMOSFETチャネル材料としての検討～非クーロンブロッケード/ステアケース現象～ EID2015-10 SDM2015-93	○松尾直人・中村文耶・高田忠雄・山名一成・部家　彰（兵庫県立大）・横山　新（広島大）・大村泰久（関西大）
(3)	11:30-11:45	超分子タンパク質を利用した超微細FETへのメモリ応用 EID2015-11 SDM2015-94	○番　貴彦・上沼睦典（奈良先端大）・右田真司（産総研）・石河泰明・山下一郎・浦岡行治（奈良先端大）
(4)	11:45-12:00	NiOを用いたReRAMにおけるフォーミング特性の分布 EID2015-12 SDM2015-95	○西　佑介・木本恒暢（京大）
(5)	12:00-12:15	ゲート電圧印加が光電変換効率に及ぼす効果 EID2015-13 SDM2015-96	○大木康平・日下部昂志・松尾直人・部家　彰（兵庫県立大）
	12:15-13:15	昼食　（ 60分）
12月14日(月) 午後薄膜プロセス・デバイス座長: 木本恒暢（京大） 13:15 - 15:00
(6)	13:15-13:30	a-Ge膜のFLA結晶化におけるランプ印加電圧依存性 EID2015-14 SDM2015-97	○平野翔大・部家　彰・松尾直人（兵庫県立大）・河本直哉（山口大）・中村祥章・横森岳彦・吉岡正樹（USHIO）
(7)	13:30-13:45	グリーンレーザーアニールによる非晶質基板上への（１１１）面配向多結晶ゲルマニウム薄膜の形成	○仁枝嘉昭・高尾　透（奈良先端大）・堀田昌宏（京大）・佐々木伸夫（日本女子大）・石河泰明・浦岡行治（奈良先端大）
(8)	13:45-14:00	RFマグネトロンスパッタリング法によるIn2O3薄膜の特性評価 EID2015-15 SDM2015-98	○吉岡敏博・小川淳史・弓削政博・松田時宜・木村　睦（龍谷大）
(9)	14:00-14:15	ミストCVD法によるGaxSn1-xO薄膜の特性評価 EID2015-16 SDM2015-99	○弓削政博・小川淳史・吉岡敏博・加藤雄太・松田時宜・木村　睦（龍谷大）
(10)	14:15-14:30	IGZOのアニール温度に対するMR効果の変化 EID2015-17 SDM2015-100	○宮村祥吾・志賀春紀・今西恒太・符川明日香・木村　睦・松田時宜（龍谷大）
(11)	14:30-14:45	CrSiNの磁気特性測定 EID2015-18 SDM2015-101	○志賀春紀・宮村祥吾・今西恒太・符川明日香・木村　睦・松田時宜（龍谷大）・廣島　安（KOA）
	14:45-15:00	休憩　（ 15分）
12月14日(月) 午後薄膜トランジスタ・アプリケーション座長: 浦岡行治（奈良先端大） 15:00 - 16:30
(12)	15:00-15:15	薄膜poly-Geをチャネルに利用したガラス上の自己整合メタルダブルゲート低温poly-Ge TFTの特性 EID2015-19 SDM2015-102	○西村勇哉・原　明人（東北学院大）
(13)	15:15-15:30	SnO2/Al2O3薄膜の特性評価と薄膜トランジスタの評価 EID2015-20 SDM2015-103	○小川淳史・弓削政博・吉岡敏博・松田時宜・木村　睦（龍谷大）
(14)	15:30-15:45	低温Poly-Si TFTの赤外線照射に対する電流特性評価 EID2015-21 SDM2015-104	○北島秀平・木藤克哉・松田時宜・木村　睦（龍谷大）・井上昌秀（華為技術日本）
(15)	15:45-16:00	薄膜トランジスタを用いた人工網膜の研究開発～ TFTのin vitro実験～ EID2015-22 SDM2015-105	○春木翔太・冨岡圭佑・松田時宜・木村　睦（龍谷大）
(16)	16:00-16:15	簡略化エレメントを用いたニューラルネットワークのFPGAによる動作検証 EID2015-23 SDM2015-106	○中村奈央・森田竜平・古我祐貴・中西弘樹・杉崎澄生・横山朋陽・和多田晃樹・松田時宜・木村　睦（龍谷大）
(17)	16:15-16:30	超簡略化構造のセルラニューラルネットワークの研究開発～ FPGAと可変抵抗による動作検証～ EID2015-24 SDM2015-107	○中西弘樹・森田竜平・古我裕貴・中村奈央・杉崎澄生・横山朋陽・和多田晃樹・松田時宜・木村　睦（龍谷大）

講演時間
一般講演	発表 10 分＋質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
SDM	シリコン材料・デバイス研究会（SDM） [今後の予定はこちら]
	問合先	黒田理人(東北大) Tel 022-795-4833 Fax 022-795-4834 E-: e3
EID	電子ディスプレイ研究会（EID） [今後の予定はこちら]
	問合先