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シリコン材料・デバイス研究会 (SDM) (検索条件: 2018年度)
「from:2018-06-25 to:2018-06-25」による検索結果
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2018-06-25 11:00 |
愛知 | 名古屋大学 VBL３F | オフ角を有するm面GaN基板上GaN-MOSキャパシタの界面準位評価 ○出来真斗・安藤悠人・渡邉浩崇・田中敦之・久志本真希・新田州吾・本田善央・天野 浩（名大）  SDM2018-16 |
[more] | SDM2018-16 pp.1-4 |
| SDM | 2018-06-25 11:20 |
愛知 | 名古屋大学 VBL３F | ArまたはHe希釈リモート酸素プラズマCVDによって形成したSiO2/GaN界面の構造・特性比較 グェン スァン チュン（名大）・○田岡紀之（AIST-NU GaN-OIL）・大田晃生（名大）・山田 永・高橋言緒（AIST-NU GaN-OIL）・池田弥央・牧原克典（名大）・清水三聡（AIST-NU GaN-OIL）・宮崎誠一（名大） SDM2018-17 |
[more] | SDM2018-17 pp.5-9 |
| SDM | 2018-06-25 11:40 |
愛知 | 名古屋大学 VBL３F | 高性能GaN MOSFET実現に向けたSiO2/GaN界面制御 ○細井卓治・山田高寛・野崎幹人（阪大）・高橋言諸・山田 永・清水三聡（産総研）・吉越章隆（原子力機構）・志村考功・渡部平司（阪大） SDM2018-18 |
GaN MOSFETは高耐圧・低損失スイッチング素子として期待されているが、その実現には良質な絶縁膜および絶縁膜/GaN... [more] | SDM2018-18 pp.11-14 |
| SDM | 2018-06-25 12:00 |
愛知 | 名古屋大学 VBL３F | n-GaN自然酸化膜界面層がAl2O3/n-GaN MOSキャパシタの電気特性へ及ぼす効果 ○弓削雅津也（芝浦工大）・生田目俊秀・色川芳宏・大井暁彦・池田直樹・Liwen Sang・小出康夫（物質・材料研究機構）・大石知司（芝浦工大） SDM2018-19 |
本研究では、Al$_2$O$_3$/n-GaN MOSキャパシタの固定電荷及びダイポールの生成に対する自然酸化膜界面層(... [more] | SDM2018-19 pp.15-18 |
| SDM | 2018-06-25 13:30 |
愛知 | 名古屋大学 VBL３F | ［依頼講演］反転層チャネルダイヤモンドMOSFET ～ ウェットアニール処理による高品質ダイヤモンドMOS界面の形成 ～ ○松本 翼（金沢大）・加藤宙光・牧野俊晴・小倉政彦・竹内大輔（産総研）・猪熊孝夫（金沢大）・山崎 聡（産総研）・徳田規夫（金沢大） SDM2018-20 |
ダイヤモンド半導体においても、ノーマリーオフ動作可能な反転層チャネルMOSFETが実現した。ダイヤモンド半導体では、Si... [more] | SDM2018-20 pp.19-22 |
| SDM | 2018-06-25 14:00 |
愛知 | 名古屋大学 VBL３F | ［依頼講演］ダイヤモンドパワー電界効果トランジスタの進展 ○川原田 洋・大井信敬・畢 特・今西祥一朗・岩瀧雅幸・矢部太一・平岩 篤（早大） SDM2018-21 |
ダイヤモンドと絶縁膜界面の2次元正孔ガスを利用した電界効果トランジスタを利用して、高耐圧（～2000 V）の電界効果トラ... [more] | SDM2018-21 pp.23-28 |
| SDM | 2018-06-25 14:30 |
愛知 | 名古屋大学 VBL３F | ［依頼講演］ダイヤモンドデバイス応用研究の現状と課題：バルク・表面の結晶品質 ○加藤有香子（産総研）・滝沢耕平（東京都市大）・牧野俊晴・加藤宙光・小倉政彦・竹内大輔・山崎 聡（産総研）・野平博司（東京都市大） |
[more] | |
| SDM | 2018-06-25 15:15 |
愛知 | 名古屋大学 VBL３F | リモートプラズマ支援CVDにより形成したSiO2/GaN界面の化学結合状態および熱的安定性評価 ○松田亮平・大田晃生（名大）・田岡紀之（産総研）・池田弥央・牧原克典（名大）・清水三聡（産総研）・宮崎誠一（名大） SDM2018-22 |
n型GaN(0001)基板上に、リモートプラズマ支援CVDにより厚さ~6.2nmのSiO2を堆積し、X線光電子分光法(X... [more] | SDM2018-22 pp.29-32 |
| SDM | 2018-06-25 15:35 |
愛知 | 名古屋大学 VBL３F | 酸素ラジカル照射によるAl2O3/SiC MOS界面の改質効果 ○土井拓馬（名大）・竹内和歌奈（愛知工大）・坂下満男（名大）・田岡紀之（産総研）・中塚 理・財満鎭明（名大） SDM2018-23 |
SiCを用いたパワーMOSFETの省電力化には、絶縁膜/SiC界面の界面準位密度の低減が必須である。本研究では、現在主流... [more] | SDM2018-23 pp.33-36 |
| SDM | 2018-06-25 15:55 |
愛知 | 名古屋大学 VBL３F | 第一原理計算による超格子GeTe/Sb2Te3相変化メモリの理論的検討 ○野原弘晶・白川裕規・洗平昌晃・白石賢二（名大） SDM2018-24 |
[more] | SDM2018-24 pp.37-41 |
| SDM | 2018-06-25 16:15 |
愛知 | 名古屋大学 VBL３F | HfO2系強誘電体薄膜の大きな抗電界がもたらす課題 ○右田真司・太田裕之（産総研）・鳥海 明（東大） SDM2018-25 |
HfO2系強誘電体薄膜は従来の強誘電体酸化物材料にない多くの優れた特性を備えており、LSI用の次世代メモリ材料として様々... [more] | SDM2018-25 pp.43-46 |
| SDM | 2018-06-25 16:35 |
愛知 | 名古屋大学 VBL３F | X線光電子分光法によるY2O3/SiO2界面におけるシリケート化反応およびダイポールの評価 藤村信幸・○大田晃生・池田弥央・牧原克典・宮崎誠一（名大） SDM2018-26 |
[more] | SDM2018-26 pp.47-51 |
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