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シリコン材料・デバイス研究会 (SDM) (検索条件: 2008年度)
「from:2008-06-09 to:2008-06-09」による検索結果
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2008-06-09 13:30 |
東京 | 東京大学(生産研 An棟) | ［チュートリアル講演］高性能CMOSのための高移動度チャネル技術の現状と展望 ○高木信一（東大）  SDM2008-42 |
45nm世代を迎え、種々の微細化限界により、CMOS性能の飽和が顕在化している。このため、チャネルの電流駆動力向上やマル... [more] | SDM2008-42 pp.1-6 |
| SDM | 2008-06-09 14:40 |
東京 | 東京大学(生産研 An棟) | ［チュートリアル講演］化合物半導体電子デバイス開発の軌跡 ○大野泰夫（徳島大） SDM2008-43 |
化合物半導体は、高移動度と言うことでシリコンデバイスを超える次世代デバイスと期待されてきた。実際に衛星放送受信用低雑音F... [more] | SDM2008-43 pp.7-12 |
| SDM | 2008-06-09 15:50 |
東京 | 東京大学(生産研 An棟) | Si反転層中のホールサブバンド分散 ○武田さくら・森田 誠・大杉拓也・谷川洋平・大門 寛（奈良先端大） SDM2008-44 |
CMOSchannel 中の電子やホールの有効質量の軽量化は情報処理速度向上のための有力な手段である。電 子やホールの... [more] |
SDM2008-44 pp.13-16 |
| SDM | 2008-06-09 16:15 |
東京 | 東京大学(生産研 An棟) | MOS反転層モビリティの高精度評価 ○鳥海 明・喜多浩之（東大） SDM2008-45 |
[more] | SDM2008-45 pp.17-22 |
| SDM | 2008-06-09 16:50 |
東京 | 東京大学(生産研 An棟) | シリコン(110)面pMOSFETにおける反転層容量と低電界移動度特性 ○齋藤真澄・小林茂樹・内田 建（東芝） SDM2008-46 |
本論文ではシリコン(110)面pMOSFETの基本輸送特性について系統的に調べる。(110)面pFETでは基板面に垂直な... [more] | SDM2008-46 pp.23-27 |
| SDM | 2008-06-09 17:15 |
東京 | 東京大学(生産研 An棟) | 極薄膜SOIトランジスタにおける量子効果による移動度向上 ○平本俊郎・清水 健・筒井 元（東大） SDM2008-47 |
[more] | SDM2008-47 pp.29-34 |
| SDM | 2008-06-10 09:30 |
東京 | 東京大学(生産研 An棟) | 歪Siナノワイヤトランジスタにおけるトランスコンダクタンスエンハンスメント ○清家 綾・丹下智之・佐野一拓・杉浦裕樹・土田育新・太田洋道・渡邉孝信（早大）・小瀬村大亮・小椋厚志（明大）・大泊 巌（早大） SDM2008-48 |
熱酸化膜起因の引っ張り歪を印加する事により、n型ナノワイヤFETs (n-nwFETs)、p型のナノワイヤFETs(p-... [more] | SDM2008-48 pp.35-39 |
| SDM | 2008-06-10 09:55 |
東京 | 東京大学(生産研 An棟) | III-VチャネルMISFET実現に向けたゲート絶縁膜界面制御技術 ○安田哲二・宮田典幸（産総研）・大竹晃浩（物質・材料研究機構） SDM2008-49 |
22 nm世代以降のCMOSにおいて性能向上を実現するためのオプションとして，III-V族半導体のnチャネルへの導入が注... [more] | SDM2008-49 pp.41-46 |
| SDM | 2008-06-10 10:30 |
東京 | 東京大学(生産研 An棟) | Ru/HfSiONゲートスタックのバックサイドX線光電子分光分析 ～ Ruの実効仕事関数変化の起源 ～ ○森 大樹・大田晃生・吉永博路・宮崎誠一（広島大）・門島 勝・奈良安雄（半導体先端テクノロジーズ） SDM2008-50 |
厚さ1~6nmのSiO2もしくは厚さ0.7nmのSiON上に、~2.5nmのHfSiONを形成後、仕事関数制御メタルとし... [more] | SDM2008-50 pp.47-52 |
| SDM | 2008-06-10 10:55 |
東京 | 東京大学(生産研 An棟) | High-k MOSデバイスのしきい値電圧制御におけるhigh-k/SiO2界面の役割 ○岩本邦彦・上牟田雄一（半導体MIRAI-ASET）・布重 裕（芝浦工大/半導体MIRAI-産総研ASRC）・平野晃人・小川有人・渡邉幸宗（半導体MIRAI-ASET）・右田慎二・水林 亘・森田行則（半導体MIRAI-産総研ASRC）・高橋正志（半導体MIRAI-ASET）・太田裕之（半導体MIRAI-産総研ASRC）・生田目俊秀（半導体MIRAI-ASET）・鳥海 明（半導体MIRAI-産総研ASRC/東大） SDM2008-51 |
[more] | SDM2008-51 pp.53-58 |
| SDM | 2008-06-10 11:20 |
東京 | 東京大学(生産研 An棟) | TiAlN/HfSiONゲートスタックにおけるX線光電子分光分析 ～ Al拡散による実効仕事関数変化の緩和 ～ ○大田晃生・森 大樹・吉永博路・宮崎誠一（広島大）・門島 勝・奈良安雄（半導体先端テクノロジーズ） SDM2008-52 |
厚さ~2.5nmのHfSiON膜をSiO2(~1nm)/Si(100)上に形成後、仕事関数制御メタルとして厚さ~30nm... [more] | SDM2008-52 pp.59-64 |
| SDM | 2008-06-10 12:45 |
東京 | 東京大学(生産研 An棟) | Si(110)面上熱酸化膜形成時におけるSiサブオキサイド時間発展のXPSリアルタイム測定 ○山本喜久・富樫秀晃・今野篤史・松本光正・加藤 篤・齋藤英司・末光眞希（東北大）・寺岡有殿・吉越章隆（原子力機構） SDM2008-53 |
Si(110)表面の熱酸化膜被覆過程およびその界面結合状態をリアルタイム放射光光電子分光により調べた．その結果，酸化開始... [more] | SDM2008-53 pp.65-70 |
| SDM | 2008-06-10 13:10 |
東京 | 東京大学(生産研 An棟) | MOCVD法によるPr酸化膜の作製およびその電気的特性評価 ○近藤博基・櫻井晋也（名大）・酒井 朗（阪大）・小川正毅・財満鎭明（名大） SDM2008-54 |
バブリングによる原料供給が可能なシクロペンタジエニル錯体(Pr(EtCp)3)を用いた有機金属化学気相蒸着(MOCVD)... [more] | SDM2008-54 pp.71-75 |
| SDM | 2008-06-10 13:45 |
東京 | 東京大学(生産研 An棟) | MONOS型メモリの電荷蓄積機構の理論的研究 ○白石賢二・小林賢司（筑波大）・石田 猛・奥山 裕・山田廉一（日立） SDM2008-55 |
[more] | SDM2008-55 pp.77-82 |
| SDM | 2008-06-10 14:10 |
東京 | 東京大学(生産研 An棟) | 金属ナノドットを有する不揮発性メモリの基本特性 ○裴 艶麗・西嶋雅彦・福島誉史・田中 徹・小柳光正（東北大） SDM2008-56 |
[more] | SDM2008-56 pp.83-88 |
| SDM | 2008-06-10 14:35 |
東京 | 東京大学(生産研 An棟) | High-k膜を利用したバイオ系ドット型フローティングゲートメモリ ○小原孝介・浦岡行治・冬木 隆・山下一郎（奈良先端大）・八重樫利武・茂庭昌弘・吉丸正樹（半導体理工学研究センター） SDM2008-57 |
我々は生体由来の球殻タンパク質(フェリチン)を利用したドット型フローティングゲートメモリの開発を目指した研究を行っている... [more] | SDM2008-57 pp.89-92 |
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