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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| R | 2015-11-19 14:25 |
大阪 | 大阪中央電気倶楽部 | ソフトエラーの同時発生範囲の測定方法 ○益田 昇・安永守利（筑波大）  R2015-57 |
中性子線による半導体集積回路のソフトエラーでは1 粒子の中性子線が複数の回路に同時にエラーを起こす場合があり，これを対策... [more] | R2015-57 pp.5-10 |
| ICD | 2013-04-12 16:20 |
茨城 | 産業技術総合研究所 つくばセンター | マルチビットアップセット耐性を有するNMOS内側レイアウトを用いた6T SRAM ○吉本秀輔・和泉慎太郎・川口 博・吉本雅彦（神戸大） ICD2013-23 |
本論文では，マルチビットアップセット耐性を有するNMOS内側レイアウトを有する6T SRAMセルレイアウトを提案する．提... [more] | ICD2013-23 pp.121-126 |
| ICD | 2012-12-18 11:45 |
東京 | 東工大蔵前会館 ロイアルブルーホール | 65 nmプロセスにおける低消費電力冗長化FF（BCDMR-ACFF）の設計と評価 ○増田政基・久保田勘人・山本亮輔（京都工繊大）・古田 潤（京大）・小林和淑（京都工繊大）・小野寺秀俊（京大） ICD2012-117 |
集積回路の微細化に伴い、ソフトエラーが問題となっている。対策として冗長化を行なうが、面積・消費電力が増大する。面積を削減... [more] | ICD2012-117 pp.109-113 |
| ICD | 2011-12-16 14:50 |
大阪 | 大阪大学会館 | マルチビットアップセット耐性及びシングルビットアップセット耐性を備えた8T SRAMセルレイアウト ○梅木洋平・吉本秀輔・天下卓郎・川口 博（神戸大）・吉本雅彦（神戸大/JST） ICD2011-134 |
本論文ではマルチビット・アップセット(MBU)を軽減する分割ワード線構造における新規8TSRAMセルレイアウトを提案する... [more] | ICD2011-134 pp.161-166 |
| SDM | 2010-11-12 13:50 |
東京 | 機械振興会館 | インバータセルにおけるSingle-Event-Transientパルス発生のモデリング ○田中克彦・中村英之・上村大樹・竹内 幹・福田寿一・熊代成孝・最上 徹（MIRAI-Selete） SDM2010-180 |
宇宙線中性子起因の二次イオンが発生させた電荷によって生じたエラー信号パルスが組み合わせ回路中を伝播する Single E... [more] | SDM2010-180 pp.47-52 |
| ITE-MMS, ITE-CE, MRIS (共催) |
2009-01-15 13:30 |
大阪 | パナソニック 松心会館 | 超高記録密度塗布型磁気記録媒体用Fe16N2超微粒子の開発 ○佐々木勇治・井上鉄太郎・渡辺利幸・土井嗣裕・岸本幹雄（日立マクセル）・奥 隆之・加倉井和久（原子力機構） MR2008-51 |
新しい磁気記録媒体用の磁性粉末としてFe16N2超微粒子を開発した．18nm程度の球状超微粒子であり，表面は酸化物，内部... [more] | MR2008-51 pp.5-9 |
| ICD | 2005-04-15 14:00 |
福岡 | 福岡システムLSI 総合開発センター | 電荷収集と寄生バイポーラ効果を考慮したSRAMの中性子ソフトエラー解析 ○長田健一（日立）・北井直樹（日立超LSIシステムズ）・蒲原史朗（ルネサステクノロジ）・河原尊之（日立） |
α線や中性子線によって生じるSRAMセルのソフトエラーについて解析した．SRAMのクロスカップルインバータの帰還作用をデ... [more] | ICD2005-18 pp.31-36 |
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