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シリコン材料・デバイス研究会 (SDM) (検索条件: 2008年度)
「from:2009-02-26 to:2009-02-26」による検索結果
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM, ED (共催) |
2009-02-26 13:30 |
北海道 | 北海道大学 | ［招待講演］Si基板上に形成したエピタキシャルグラフェンとその電子デバイス応用 ○尾辻泰一・末光哲也・姜 顯澈・唐澤宏美・宮本 優・半田浩之・末光眞希（東北大）・佐野栄一（北大）・リズィー マキシム・リズィー ヴィクトール（会津大）  ED2008-224 SDM2008-216 |
Si基板上にエピタキシャル成長したグラフェンとその電子デバイス応用について研究状況を紹介する．グラフェンの形成技術として... [more] | ED2008-224 SDM2008-216 pp.1-6 |
| SDM, ED (共催) |
2009-02-26 14:10 |
北海道 | 北海道大学 | マンガンをイオン注入したSOI層の磁気特性 ○宮崎康晶（NTT/慶大）・小野行徳・影島博之・永瀬雅夫・藤原 聡（NTT）・太田英二（慶大） ED2008-225 SDM2008-217 |
[more] | ED2008-225 SDM2008-217 pp.7-11 |
| SDM, ED (共催) |
2009-02-26 14:35 |
北海道 | 北海道大学 | マグネタイト/インジウム砒素ヘテロ構造の作製とスピン注入への応用 ○江尻剛士・J. バベシュ バブ・陽 完治（北大） ED2008-226 SDM2008-218 |
[more] | ED2008-226 SDM2008-218 pp.13-17 |
| SDM, ED (共催) |
2009-02-26 15:00 |
北海道 | 北海道大学 | 有機金属気相選択成長によるInPナノワイヤの成長と構造相転移 ○北内悠介・本久順一・小林靖典・福井孝志（北大） ED2008-227 SDM2008-219 |
[more] | ED2008-227 SDM2008-219 pp.19-22 |
| SDM, ED (共催) |
2009-02-26 15:40 |
北海道 | 北海道大学 | Field Emitter Arrayの高機能化とその応用 ○根尾陽一郎・武田匡史・田上智也・堀江 瞬・青木 徹・三村秀典（静岡大）・吉田知也・長尾昌善・金丸正剛（産総研） ED2008-228 SDM2008-220 |
我々は電界放射微小電子源（Field Emission Array: FEA）に従来にない構造の集束電極を付加することで... [more] | ED2008-228 SDM2008-220 pp.23-27 |
| SDM, ED (共催) |
2009-02-26 16:05 |
北海道 | 北海道大学 | 入力離散化器付き単一電子トランジスタおよびターンスタイルの特性 ○滝口将志・速水翔太・大塚正喜・河合章生・守屋雅隆・小林忠行・島田 宏・水柿義直（電通大） ED2008-229 SDM2008-221 |
本報告において，我々は単一電子デバイス用の「入力離散化器」を提案し，その応用例について述べる．入力離散化器は,1個の微小... [more] | ED2008-229 SDM2008-221 pp.29-34 |
| SDM, ED (共催) |
2009-02-26 16:30 |
北海道 | 北海道大学 | 共鳴トンネル素子を用いた超高速コンパレータ ○江幡友彦・大前宇一郎・町田和也・和保孝夫（上智大） ED2008-230 SDM2008-222 |
A/D変換器に用いられるコンパレータでは、入力信号と基準値の差が小さい場合、それをデジタル出力値まで増幅させる時間(再生... [more] | ED2008-230 SDM2008-222 pp.35-40 |
| SDM, ED (共催) |
2009-02-26 16:55 |
北海道 | 北海道大学 | AlNセラミック基板上に集積した共鳴トンネルペア発振器 ○前澤宏一（富山大）・亀谷直樹・岸本 茂・水谷 孝（名大）・赤松和弘（日鉱金属） ED2008-231 SDM2008-223 |
AlN セラミック基板上に共鳴トンネルダイオードペア発振器を作製し，その特性を調べた．作製には微小デバイスブロックの配置... [more] | ED2008-231 SDM2008-223 pp.41-46 |
| SDM, ED (共催) |
2009-02-27 09:00 |
北海道 | 北海道大学 | 電界放射電流誘起型エレクトロマイグレーション法による単電子トランジスタの作製 ○友田悠介・久米 彌・花田道庸・高橋佳祐・白樫淳一（東京農工大） ED2008-232 SDM2008-224 |
単電子トランジスタに代表されるナノスケールデバイスの作製技術として、エレクトロマイグレーションを利用した簡便な手法を提案... [more] | ED2008-232 SDM2008-224 pp.47-52 |
| SDM, ED (共催) |
2009-02-27 09:25 |
北海道 | 北海道大学 | Si細線に作製したダブルドット単電子トランジスタの特性 ○曹 民圭・開澤拓弥・有田正志（北大）・藤原 聡（NTT）・高橋庸夫（北大） ED2008-233 SDM2008-225 |
SOI基板上に作成したシリコン細線を酸化することによりパターン依存酸化現象が生じ、簡単に単電子トランジスタを作成できるこ... [more] | ED2008-233 SDM2008-225 pp.53-58 |
| SDM, ED (共催) |
2009-02-27 09:50 |
北海道 | 北海道大学 | シリコンナノワイヤpMOSFET及び室温動作単正孔トランジスタにおける一軸歪みの効果 ○鄭 然周・Chen Jiezhi・更屋拓哉・平本俊郎（東大） ED2008-234 SDM2008-226 |
NW(nanowire) pFET及びSHT(single-hole transistor)における一軸歪みの効果を報告... [more] | ED2008-234 SDM2008-226 pp.59-62 |
| SDM, ED (共催) |
2009-02-27 10:15 |
北海道 | 北海道大学 | GaAsナノワイヤ3分岐接合デバイスの動作特性評価と解析 ○中田大輔・アブドゥール ラーマン シャハリン ファズリ・白鳥悠太（北大）・葛西誠也（北大/JST） ED2008-235 SDM2008-227 |
ナノワイヤ３分岐接合デバイスは，低温から室温までの広い温度領域において特異な非線形特性を示し，論理回路や高周波回路への応... [more] | ED2008-235 SDM2008-227 pp.63-68 |
| SDM, ED (共催) |
2009-02-27 10:55 |
北海道 | 北海道大学 | 磁束と電荷を結ぶ新しい機能デバイスの開拓 ○雨宮好仁・高橋庸夫（北大） ED2008-236 SDM2008-228 |
[more] | ED2008-236 SDM2008-228 pp.69-74 |
| SDM, ED (共催) |
2009-02-27 11:20 |
北海道 | 北海道大学 | GaAsナノワイヤネットワークを用いたナノデバイス集積系による確率共鳴の発現と解析 ○葛西誠也（北大/JST）・浅井哲也・白鳥悠太・趙 洪泉（北大） ED2008-237 SDM2008-229 |
雑音により系の応答が向上する確率共鳴現象を，GaAsナノワイヤネットワーク上に形成したトランジスタを用いて観測することに... [more] | ED2008-237 SDM2008-229 pp.75-79 |
| SDM, ED (共催) |
2009-02-27 11:45 |
北海道 | 北海道大学 | 高効率熱電変換デバイス用シリコンナノ構造の熱電特性 ○池田浩也・ファイズ サレ・浅井清涼・石田明広（静岡大） ED2008-238 SDM2008-230 |
実用化に対して十分な変換効率を持つ熱電変換デバイスのための材料として，シリコンナノ構造に注目し ている．我々は，電子の閉... [more] | ED2008-238 SDM2008-230 pp.81-85 |
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