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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2023-06-26 13:30 |
広島 | 広島大学 ナノデバイス研究所 | ［依頼講演］オペランドレーザー励起光電子顕微鏡による強誘電体キャパシタの非破壊イメージングの開拓 ○藤原弘和・糸矢祐喜・小林正治・バレイユ セドリック・辛 埴・谷内敏之（東大）  SDM2023-32 |
HfO$_2$ 系強誘電体キャパシタの特性変動メカニズムを解明するために、in-situ 電気特性評価システムが実装され... [more] | SDM2023-32 pp.19-22 |
| EID, SDM (共催) ITE-IDY (連催) [詳細] |
2020-12-02 11:40 |
ONLINE | オンライン開催 | ニューラルネットワーク用強誘電体薄膜の誘電特性評価 ○石崎勇真・梅村浩輝・松川大毅・木村 睦（龍谷大）・徳光永輔（北陸先端大）・羽賀健一・土井利浩（三菱マテリアル） EID2020-5 SDM2020-39 |
ニューロモーフィックシステムは、ニューロンとシナプスの要素を実装するハードウェアレベルの生体模擬システムであり、低消費電... [more] | EID2020-5 SDM2020-39 pp.17-20 |
| SDM | 2019-01-29 09:55 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］強誘電体トランジスタで観測される急峻スロープ特性の解析 ○右田真司・太田裕之（産総研）・鳥海 明（東大） SDM2018-82 |
最近強誘電体トランジスタの電気測定において急峻スロープ特性がしばしば観測され、これを負性容量効果という新しい動作原理によ... [more] | SDM2018-82 pp.5-8 |
| SDM | 2017-10-26 10:50 |
宮城 | 東北大学未来研 | ZrO2シード層がHfxZr1-xO2薄膜の強誘電性へ及ぼす効果 ○女屋 崇（明大/物質・材料研究機構）・生田目俊秀（物質・材料研究機構/JST）・澤本直美（明大）・大井暁彦・池田直樹・知京豊裕（物質・材料研究機構）・小椋厚志（明大） SDM2017-57 |
本研究では、TiN下部電極と強誘電体HfxZr1-xO2 (HZO)薄膜の間に原子層堆積法を用いて成膜したZrO2膜をシ... [more] | SDM2017-57 pp.39-44 |
| SDM | 2016-06-29 10:00 |
東京 | キャンパス・イノベーションセンター東京 | ［依頼講演］強誘電体HfSiOキャパシタにおける形成プロセスと膜物性・電気特性の関係 ○上牟田雄一・藤井章輔・高石理一郎・井野恒洋・中崎 靖・齋藤真澄・小山正人（東芝） SDM2016-32 |
TiN/HfSiO/TiN構造の膜物性および電気特性について上部TiN電極プロセスおよび結晶化アニール温度との関係を調べ... [more] | SDM2016-32 pp.1-4 |
| SDM | 2016-06-29 11:15 |
東京 | キャンパス・イノベーションセンター東京 | 強誘電体ナノワイヤキャパシタの作製 ～ 高集積強誘電体メモリへの応用を目指して ～ ○藤沢浩訓・清水 勝・中嶋誠二（兵庫県立大） SDM2016-35 |
有機金属化学気相堆積(MOCVD)法のみにより，直径110 nm，アスペクト比90のZnOナノワイヤを凸型テンプレートと... [more] | SDM2016-35 pp.15-19 |
| ICD | 2015-04-17 13:30 |
長野 | 信州大学 | ［依頼講演］強誘電体キャパシタを用いた長期データ保持可能な低消費電力不揮発フリップフロップの構成 ○木村啓明・淵上貴昭・丸本共治・藤森敬和（ローム）・和泉慎太郎・川口 博・吉本雅彦（神戸大） ICD2015-11 |
本稿では，不揮発フリップフロップの低消費電力LSI応用に向け，電源オフ期間にデータ保持する強誘電体キャパシタのリテンショ... [more] | ICD2015-11 pp.51-55 |
| ICD | 2010-04-22 14:20 |
神奈川 | 湘南工大 | ［招待講演］Chain FeRAM技術概要とScalingに適したShield-Bitline-Overdrive技術 ○高島大三郎・滋賀秀裕・橋本大輔・宮川 正・尾崎 徹・金谷宏行・首藤 晋・山川晃司・國島 巌（東芝） ICD2010-8 |
本論文では、高密度化/高速化/高バンド幅化が可能なChain FeRAMTM技術の概要と、Scalingに適したShie... [more] | ICD2010-8 pp.41-46 |
| ICD, IPSJ-ARC (共催) |
2008-05-14 11:15 |
東京 | 日立中央研究所 | 強誘電体機能パスゲートを用いたマルチコンテクストフィールドプログラマブルVLSIの構成 ○井戸端紀彰・石原翔太・張山昌論・亀山充隆（東北大） ICD2008-28 |
マルチコンテクストFPGA(Field Programmable Gate Array)では, コンテクストを高速に切り... [more] | ICD2008-28 pp.57-62 |
| ICD | 2006-04-13 13:00 |
大分 | 大分大学 | ［特別招待講演］Chain FeRAM技術と将来展望 ○高島大三郎（東芝） |
連鎖型強誘電体メモリ(chain FeRAM®)は、高密度/高速/低消費電力化が可能な新規メモリとして有望である... [more] | ICD2006-6 pp.31-36 |
| MW, ED (共催) |
2005-11-17 13:10 |
佐賀 | 佐賀大学 | MOD法によるBST薄膜を用いた20GHz帯チューナブル移相器とその360度デジタルPHEMT IC移相器への応用 ○野田 実（阪大）・佐々木善伸（三菱電機）・ダニエル ポポビッチ・奥山雅則（阪大）・小丸真喜雄（三菱電機） |
BaxSr1-xTiO3 (BST) 強誘電体薄膜を用いたチューナブル移相器を作製し，360度デジタルPHEMT移相器へ... [more] | ED2005-164 MW2005-119 pp.33-37 |
| CAS, SIP, VLD (共催) |
2005-06-28 14:50 |
宮城 | 東北大学 | 相補形強誘電体ロジックと超並列算術演算VLSIへの応用 ○松永翔雲・羽生貴弘（東北大） |
本稿では，クイック・オン可能な細粒度超並列構造を実現容易にする相補形強誘電体ロジックインメモリ回路を提案する．強誘電体キ... [more] | CAS2005-25 VLD2005-36 SIP2005-49 pp.61-65 |
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