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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| AP | 2022-04-15 10:25 |
山形 | 山形市食糧会館 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
動作切換可能なスロットペアを備えた導波管スロットアレーを用いた符号分割多重化によるDBFに関する検討 ○中本成洋・紀平一成・深沢 徹・稲沢良夫（三菱電機）  AP2022-3 |
従来，フル DBF アンテナの低コスト化／低消費電力化技術として，各素子アンテナ信号に直交符号を乗算・合成し，信号処理で... [more] | AP2022-3 pp.13-18 |
| AP | 2021-10-07 13:00 |
ONLINE | オンライン開催 | ［ポスター講演］PINダイオードスイッチを用いたクロスボウタイアンテナの偏波切替えの最適化 ○重田悠希・佐藤源之（東北大） AP2021-78 |
我々はアレイ型地中レーダ (GPR) に用いる偏波計測が可能なクロスボウタイアンテナの開発を進めている．クロスボウタイア... [more] | AP2021-78 pp.47-48 |
| MW | 2017-12-19 10:30 |
東京 | 国士舘大学 | PINダイオードを用いた4.5-/4.9-GHz帯域可変型GaN HEMT高効率電力増幅器 ○眞下和樹・石川 亮・本城和彦（電通大） MW2017-142 |
次世代移動体通信に向けた、4.5-/4.9-GHz帯域可変型GaN HEMT高効率電力増幅器の設計・評価を行った。切替素... [more] | MW2017-142 pp.1-6 |
| SDM | 2012-12-07 10:00 |
京都 | 京都大学(桂) | 超高耐圧SiC PiNダイオードの作製と低オン抵抗化 ○梶 直樹・丹羽弘樹・須田 淳・木本恒暢（京大） SDM2012-115 |
超高耐圧SiCバイポーラデバイス実現には、接合終端構造の設計が重要になる。本研究では、当グループが提案した空間変調型Ju... [more] | SDM2012-115 pp.1-5 |
| SDM | 2011-12-16 11:00 |
奈良 | 奈良先端科学技術大学院大学 | 接合終端構造の改良による15kV級SiC PiNダイオードの実現 ○丹羽弘樹・馮 淦・須田 淳・木本恒暢（京大） SDM2011-135 |
様々な接合終端構造を有する4H-SiC PiNダイオードを作製し、その耐圧特性を評価した。その結果two-zone JT... [more] | SDM2011-135 pp.17-21 |
| MW | 2011-10-21 09:25 |
東京 | 電気通信大学 | PINダイオード容量補償シリーズ型2段構成SPDT高周波スイッチ ○高橋健作・坂上岩太・岡村信吾・王 小龍・田原 稔（富山大） MW2011-101 |
PINダイオード容量の補償を考慮した2段構成シリーズ型SPDT高周波スイッチを製作した．高周波スイッチは無線通信機器で使... [more] | MW2011-101 pp.83-88 |
| AP, SAT (併催) |
2011-07-15 15:50 |
長野 | 信州大学工学部(長野市) | PINダイオードを用いた偏波切替マルチバンド平面アンテナの設計法 山浦健太・○木村雄一・羽石 操（埼玉大） AP2011-47 |
本稿では、PINダイオードを用いて電子的に偏波方向の切替を可能とするマルチバンド平面アンテナの設計法について検討を加えた... [more] | AP2011-47 pp.115-119 |
| AP | 2010-03-08 16:25 |
埼玉 | 埼玉大学 | ミリ波イメージング用リフレクトアレーアンテナ ○鴨田浩和・岩崎 徹・津持 純・九鬼孝夫（NHK） AP2009-219 |
ミリ波イメージング用の電子走査アンテナとして，60GHz帯リフレクトアレーアンテナを試作・評価した．リフレクトアレーの反... [more] | AP2009-219 pp.85-90 |
| MW | 2009-09-25 09:25 |
東京 | 電通大 | PINダイオードを用いた60GHz帯電子走査リフレクトアレーアンテナ ○鴨田浩和・岩崎 徹・津持 純・九鬼孝夫（NHK） MW2009-75 |
60GHz帯電子走査リフレクトアレーアンテナの試作・評価を行った．反射素子は，誘電体基板上に形成されたマイクロストリップ... [more] | MW2009-75 pp.7-12 |
| LQE, CPM, EMD, OPE (共催) |
2008-08-28 16:25 |
宮城 | 東北大学 | SiGeアノード層を用いたファストリカバリダイオードの高速・低抵抗化 ○宮城達郎・井田雄介・鈴木貴彦・成田 克・廣瀬文彦（山形大） EMD2008-43 CPM2008-58 OPE2008-73 LQE2008-42 |
電力変換回路用還流ダイオードとして使われているSi-pinダイオードのp層とi層のライフタイムを個別に制御し、順バイアス... [more] | EMD2008-43 CPM2008-58 OPE2008-73 LQE2008-42 pp.61-64 |
| SDM | 2007-12-14 16:20 |
奈良 | 奈良先端科学技術大学院大学 | 傾斜メサ構造とJTE領域を有する10 kV SiC PiNダイオード ○日吉 透（京大）・堀 勉（日立）・須田 淳・木本恒暢（京大） SDM2007-233 |
次世代パワーデバイス用半導体として期待されているSiCを用いて、デバイス終端構造に改良を加えた10 kV PiNダイオー... [more] | SDM2007-233 pp.47-50 |
| CPM | 2007-08-10 11:20 |
山形 | 山形大学 | SiGeをアノード層に用いた高速リカバリpinダイオード ○井田雄介・長瀬真一・廣瀬文彦（山形大） CPM2007-48 |
電力用還流ダイオードとして広く使われているSi-pinダイオードのp層にSiGeを用い、i層への金拡散を併用することで、... [more] | CPM2007-48 pp.65-67 |
| ED | 2007-06-16 12:00 |
富山 | 富山大学 | バナジウムイオン注入ガードリングを用いた4H-SiC PiNダイオードの逆方向特性 ○小野修一・新井 学（新日本無線） ED2007-46 |
4H-SiC PiNダイオードのターミネーションとして、メサ構造とガードリング構造の２種類を形成して、逆方向特性を比較し... [more] | ED2007-46 pp.79-83 |
| EMCJ | 2007-01-27 10:10 |
鹿児島 | 鹿児島県市町村自治会館 | 自律制御型電磁界感応機能性材料による電波吸収体の特性改善法について ○河村主税・小塚洋司（東海大） EMCJ2006-111 |
これまで，種々の形質を発現する生物細胞に見立てた単位セル（電子回路網）と固体の物質構成を象徴する結晶格子概念を融合させた... [more] | EMCJ2006-111 pp.75-79 |
| MW | 2005-12-16 14:00 |
広島 | 広島市立大学 | 集中定数トライバンドGaAs FET電力増幅器 ○内田浩司・高山洋一郎・藤田孝之・前中一介（兵庫県立大） |
マイクロ波帯で使用する1トランジスタ集中定数トライバンドGaAs FET電力増幅器の構成法を提案し，設計・試作を行った．... [more] | MW2005-137 pp.55-60 |
| EMCJ | 2005-06-09 10:35 |
北海道 | 北海道大学学術交流会館 | コンピュータ制御型人工媒質の電波吸収特性について 小塚洋司・○杉山真一郎・河村主税（東海大） |
先に新しい人工媒質として，能動回路を装荷した単位回路素子と称するものから成る電磁界感応機能性材料（EMCM）を提案した．... [more] | EMCJ2005-21 pp.13-17 |
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