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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
MRIS, ITE-MMS
(連催)
2022-12-08
15:55
愛媛 愛媛大学 + オンライン開催
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
CoFeB/Sb2Te3の相制御による磁気緩和定数の増大
諸田美砂子齊藤雄太畑山祥吾内田紀行産総研MRIS2022-23
Sb_2Te_3やBi_2Te_3などのカルコゲナイド材料は、結晶とアモルファスの相の違いにより抵抗率が変化する相変化材... [more] MRIS2022-23
pp.28-31
MWP 2019-05-22
14:30
東京 機械振興会館 [招待講演]省電力高速データ通信に向けた電子スピン偏極制御面発光レーザ
横田信英二坂薫平東北大)・池田和浩産総研)・八坂 洋東北大MWP2019-1
IoT技術の進展を支える省電力高速データ通信用光源技術の開拓が求められている.我々は低コストかつ省電力な面発光レーザ(V... [more] MWP2019-1
pp.1-4
MRIS, ITE-MMS
(連催)
2018-10-19
09:15
大阪 大阪大学 [招待講演]有機半導体を用いたプリンテッドエレクトロニクス・スピントロニクス
渡邉峻一郎東大MRIS2018-17
有機半導体は印刷プロセスを用いて簡便かつ安価に成膜することが可能であり, 近年その性能指標である移動度はアモルファスシリ... [more] MRIS2018-17
pp.21-26
OPE, LQE, OCS
(共催)
2018-10-18
15:25
佐賀 佐賀県教育会館 第1会議室 高速化に向けた面発光レーザの電子スピン偏極変調特性
横田信英二坂薫平東北大)・池田和浩産総研)・八坂 洋東北大OCS2018-36 OPE2018-72 LQE2018-61
データ通信トラフィックの急激な増大に対応するため,省電力かつ低コストな面発光レーザ(VCSEL)の高速化が求められている... [more] OCS2018-36 OPE2018-72 LQE2018-61
pp.47-50
MRIS, ITE-MMS
(連催)
2017-10-20
09:40
新潟 柏崎エネルギーホール、新潟 強磁性/非磁性二層構造におけるスピン緩和特性の温度依存性
野村竜也有木大晟木村 崇九大
強磁性/非磁性二層チャネル構造におけるスピン伝導特性を調査した。このような系では、スピンチャネル中に接合された強磁性薄膜... [more]
OPE, EST, LQE, EMT, PN, MWP
(共催)
IEE-EMT
(連催) [詳細]
2017-01-19
09:30
三重 伊勢市観光文化会館 スピン制御面発光レーザにおける発振円偏光度の複屈折依存性
横田信英竹内隆太郎八坂 洋東北大)・池田和浩産総研PN2016-63 EMT2016-92 OPE2016-138 LQE2016-127 EST2016-102 MWP2016-76
InAlGaAs量子井戸活性層構造面発光半導体レーザ(VCSEL)にスピン偏極電子を光励起することで,初めて円偏光発振特... [more] PN2016-63 EMT2016-92 OPE2016-138 LQE2016-127 EST2016-102 MWP2016-76
pp.127-130
SDM, ED
(共催)
2013-02-28
10:15
北海道 北海道大学(百年記念会館) 超伝導島電極を有する強磁性SETにおける磁気抵抗比の極性とトンネル抵抗値の相関
滝口将志守屋雅隆島田 宏水柿義直電通大ED2012-140 SDM2012-169
強磁性体-超伝導体-強磁性体からなる二重トンネル接合デバイスでは,バイアス電圧が超伝導ギャップ近傍にて負の磁気抵抗比が現... [more] ED2012-140 SDM2012-169
pp.65-70
MBE 2010-05-21
13:50
富山 富山大学 生体磁気計測を目指した超高感度光ポンピング原子磁気センサの開発 ~ 計測感度と帯域幅のセンサ動作条件依存性に関する検討 ~
鎌田啓吾田上周路京大)・石川 潔兵庫県立大)・小林哲生京大MBE2010-3
我々は,脳磁図や心磁図等の生体磁気計測を目標として超高感度光ポンピング原子磁気センサを開発している.センサのふるまいは,... [more] MBE2010-3
pp.13-18
OPE, LQE, OCS
(共催)
2009-10-22
10:15
福岡 九州大学 GaAs(110)基板上に作製したスピン面発光半導体レーザの発振円偏光スイッチング
池田和浩黄 晋二片山健夫河口仁司奈良先端大OCS2009-44 OPE2009-110 LQE2009-69
スピン面発光半導体レーザ(Spin VCSEL)は、活性層中の光学遷移選択則を介して電子のスピン偏極に依存した発振偏光が... [more] OCS2009-44 OPE2009-110 LQE2009-69
pp.15-20
US 2009-10-23
11:50
東京 東京大学 生産技術研究所 四重極型EMS粘度計による複雑流体の粘弾性スペクトル測定
山崎祐太酒井啓司東大US2009-70
微量の試料を用いてdisposableな粘弾性測定を行うことのできる、電磁回転式(EMS)粘度計を開発した。試料中に入れ... [more] US2009-70
pp.71-75
OPE, EMD, CPM, LQE
(共催)
2009-08-20
17:05
宮城 東北大学 GaAs(110)基板上に作製したスピン面発光半導体レーザの光励起円偏光発振
黄 晋二藤野寛之河口仁司奈良先端大EMD2009-42 CPM2009-66 OPE2009-90 LQE2009-49
半導体レーザの活性層において電子スピン偏極を生じさせることにより、光学遷移選択則を介した円偏光レーザ発振が可能となる。G... [more] EMD2009-42 CPM2009-66 OPE2009-90 LQE2009-49
pp.83-88
LQE 2009-05-22
13:05
富山 金沢大学角間キャンパス、自然科学研究科棟 G15会議室 GaAs(110)上のGaAs/AlGaAs量子井戸の結晶成長と電子スピン緩和時間の評価
揖場 聡黄 晋二河口仁司奈良先端大LQE2009-9
(110)基板上のIII–V族化合物半導体量子井戸は、非常に長い電子スピン緩和時間を示すことから、スピンデバ... [more] LQE2009-9
pp.43-48
CPM, ED, SDM
(共催)
2008-05-16
13:15
愛知 名古屋工業大学 歪み超格子スピン偏極電子源構造におけるバッファ層歪み緩和過程と偏極度の関係
前多悠也金 秀光谷奥雅俊渕 真悟宇治原 徹竹田美和山本尚人真野篤志中川靖英山本将博奥見正治中西 彊名大)・坂 貴大同工大)・堀中博道阪府大)・加藤俊宏大同特殊鋼ED2008-16 CPM2008-24 SDM2008-36
我々はこれまでにGaAs/GaAsP歪み超格子半導体フォトカソードにより、高輝度・高偏極度スピン偏極電子源の実現に成功し... [more] ED2008-16 CPM2008-24 SDM2008-36
pp.75-80
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