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すべての研究会開催スケジュール (検索条件: すべての年度)
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| MRIS, ITE-MMS (連催) |
2022-12-08 13:55 |
愛媛 | 愛媛大学 + オンライン開催 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
垂直磁化SAF固定層を用いたCPP-GMR膜の電流誘起磁化反転 ○潘 達・曹 哲・大島大輝・加藤剛志（名大）  MRIS2022-19 |
3次元磁気メモリ素子開発を目指し，垂直磁化Co/Pd膜の電流誘起磁化反転を検討した． Ruを介して人工積層フェリ磁性（S... [more] | MRIS2022-19 pp.7-10 |
| ITE-MMS, MRIS (連催) |
2010-10-14 16:15 |
秋田 | 秋田県産業技術総合研究センター 高度技術研究所 | 垂直磁気異方性制御が可能なL10型Fe(PdxPt1-x)合金を用いたスピン注入書き込みMRAM用FePt基TMR積層膜の作製 ○大宮翔吾・吉村 哲・江川元太・斉藤 準（秋田大） MR2010-27 |
我々は、高い規則度を有しながら垂直磁気異方性磁界の制御が可能なL10-Fe(Pd,Pt)薄膜を作製した。 本薄膜をスピ... [more] |
MR2010-27 pp.31-36 |
| ICD, SDM (共催) |
2010-08-27 14:35 |
北海道 | 札幌エルプラザ内男女共同参画センター | 不揮発再構成可能な回路へのスピンMOSFETの応用 ○井口智明・丸亀孝生・棚本哲史・杉山英行・石川瑞恵・斉藤好昭（東芝） SDM2010-147 ICD2010-62 |
スピン注入書き込み可能な新しいタイプのスピンMOSFET（Spin-transfer-Torque Switching ... [more] | SDM2010-147 ICD2010-62 pp.125-129 |
| ICD | 2010-04-22 15:45 |
神奈川 | 湘南工大 | [依頼講演] 双方向ローカルライトドライバ，1/0平均化リファレンスセル，2T1Rセルレイアウトを用いた32Mb SPRAM ○竹村理一郎・河原尊之（日立）・三浦勝哉・山本浩之（日立/東北大）・早川 純・松崎 望・小埜和夫・山ノ内路彦・伊藤顕知・高橋宏昌（日立）・池田正二（東北大）・長谷川晴弘・松岡秀行（日立）・大野英男（東北大） ICD2010-10 |
1.8 V動作，32 nsアクセス，セル書き込み時間40 nsの32 Mb SPRAMを試作した。本チップは，150 n... [more] | ICD2010-10 pp.53-57 |
| SDM, ED (共催) |
2009-06-24 15:00 |
海外 | 海雲台グランドホテル（釜山、韓国） | Transient characteristic of fabricated Magnetic Tunnel Junction (MTJ) programmed with CMOS circuit ○Masashi Kamiyanagi・Fumitaka Iga・Shoji Ikeda（Tohoku Univ.）・Katsuya Miura（Tohoku Univ./Hitachi）・Jun Hayakawa（Hitachi）・Haruhiro Hasegawa・Takahiro Hanyu・Hideo Ohno・Tetsuo Endoh（Tohoku Univ.） ED2009-52 SDM2009-47 |
In this paper, it is shown that our fabricated MTJ of 60x180... [more] | ED2009-52 SDM2009-47 pp.9-12 |
| SDM, ED (共催) |
2009-06-24 15:15 |
海外 | 海雲台グランドホテル（釜山、韓国） | Study of the DC Performance of Fabricated Magnetic Tunnel Junction Integrated on Back-end Metal Line of CMOS Circuits ○Fumitaka Iga・Masashi Kamiyanagi・Shoji Ikeda（Tohoku Univ.）・Katsuya Miura（Tohoku Univ./Hitachi）・Jun Hayakawa（Hitachi）・Haruhiro Hasegawa・Takahiro Hanyu・Hideo Ohno・Tetsuo Endoh（Tohoku Univ.） ED2009-53 SDM2009-48 |
In this paper, we have succeeded in the fabrication of high ... [more] | ED2009-53 SDM2009-48 pp.13-16 |
| ICD, SDM (共催) |
2007-08-24 15:15 |
北海道 | 北見工業大学 | 積層フェリ自由層トンネル磁気抵抗効果素子を備えたSPRAMのリードディスターブ耐性と書き込み電流のばらつきの低減 ○三浦勝哉・河原尊之・竹村理一郎（日立）・早川 純（日立/東北大）・山ノ内路彦（日立）・池田正二・佐々木龍太郎（東北大）・伊藤顕知・高橋宏昌・松岡秀行（日立）・大野英男（東北大） SDM2007-166 ICD2007-94 |
磁性体メモリの一つであるSPin-transfer torque RAM（SPRAM）は，高速動作，低電力化が可能な不揮... [more] | SDM2007-166 ICD2007-94 pp.135-138 |
| ICD | 2007-04-12 13:00 |
大分 | 大分県・湯布院・七色の風 | ［招待講演］双方向電流書換方式、平行化方向読出し方式を用いた2Mb-SPRAM（SPin-transfer torque RAM) ○竹村理一郎・河原尊之・三浦勝哉（日立）・早川 純（日立/東北大）・池田正二・李 永珉・佐々木龍太郎（東北大）・後藤 康・伊藤顕知（日立）・目黒敏靖・松倉文礼（東北大）・高橋宏昌（日立/東北大）・松岡秀行（日立）・大野英男（東北大） ICD2007-6 |
トンネル磁気抵抗のスピン制御にスピン注入磁化反転方式を用いたSPRAM（SPin-transfer torque RAM... [more] | ICD2007-6 pp.29-34 |
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