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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ED 2023-12-08
09:25
愛知 ウインクあいち(愛知県産業労働センター) 衛星通信用地上局向けKa帯高出力ヘリックス形TWTの開発
松本大輝木村圭伯町田哲夫宗廣孝継NECネットワーク・センサED2023-47
近年,インターネットの普及に伴い衛星通信分野では従来のC帯やKu帯より情報通信量が大きいKa帯を使用した大容量衛星通信(... [more] ED2023-47
pp.35-38
ED 2021-12-09
10:15
ONLINE オンライン開催 300GHz帯FWG形TWTの開発
梶川恵広松本大輝笠原明彦安孫子修司NECネットワーク・センサED2021-38
近年,テラヘルツ帯(本稿では100 GHz〜3 THz,波長100 µm〜3 mmとする)の中でも300 GHz帯を用い... [more] ED2021-38
pp.7-10
SDM 2020-02-07
14:20
東京 東京大学/本郷キャンパス工学部4号館3階42講義室(419号室) [招待講演]真空紫外光を用いた印刷・めっきによる配線技術
三成剛生李 万里孫 晴晴李 玲頴物質・材料研究機構)・リュウ シューイン鄭州大)・金原正幸C-INKSDM2019-94
高精細なプリンテッドエレクトロニクス技術と、選択的無電解めっき技術を紹介します。 [more] SDM2019-94
pp.27-30
ED 2017-10-26
14:45
宮城 東北大学電気通信研究所本館6階大会議室 テラヘルツ波帯における真空デバイスへの取組み(その3)
梶川恵広吉田 満宗廣孝継増田則夫NECネットワーク・センサ)・関根徳彦菅野敦史山本直克笠松章史寳迫 巌NICTED2017-39
“テラヘルツギャップ”と呼ばれる周波数帯における電力発生技術の開発が重要な課題の一つとなっており,真空デバイスは高出力の... [more] ED2017-39
pp.13-16
ED 2016-10-25
14:15
三重 三重大学 新産業創成研究拠点(旧VBL) テラヘルツ波帯における真空デバイスへの取組み(その2)
吉田 満小林潤一藤下祐亮増田則夫NECネットワーク・センサ)・関根徳彦菅野敦史山本直克笠松章史寳迫 巌NICTED2016-45
真空デバイスと光デバイスの狭間付近には、テラヘルツギャップと呼ばれる有益なデバイスのない領域が存在している。現在、真空デ... [more] ED2016-45
pp.9-12
ED 2015-10-22
16:20
愛知 名城大学名駅サテライト(MSAT) テラヘルツ波帯における真空デバイスへの取組み
吉田 満岡本耕治増田則夫松岡順一NECネットワーク・センサ)・関根徳彦菅野敦史山本直克寳迫 巌NICTED2015-60
真空デバイスと光デバイスの狭間付近には、テラヘルツギャップと呼ばれる有益なデバイスのない領域が存在している。現在、真空デ... [more] ED2015-60
pp.31-34
ED 2014-10-21
16:20
北海道 北大エンレイソウ a-Seのキャリア増倍を利用した光検出器の高感度化
増澤智昭静岡大)・大西正徳胡谷大志大畑慧訓月村玲菜落合 潤齋藤市太郎国際基督教大)・山田貴壽産総研)・根尾陽一郎三村秀典静岡大)・岡野 健国際基督教大ED2014-67
アモルファスセレン(a-Se)を用いた光検出器は,高い位置分解能と応答速度を兼ね備え,さらにキャリア増倍による高感度化が... [more] ED2014-67
pp.25-28
ED 2014-10-22
11:00
北海道 北大エンレイソウ テラヘルツ波帯における真空デバイスの開発動向と取組
吉田 満岡本耕治増田則夫松岡順一ネットコムセック)・関根徳彦菅野敦史川西哲也寳迫 巌NICTED2014-71
テラヘルツ波は、これまでも電波天文や分析の分野で広く研究されてきたが、更に、工業、医療、バイオ、セキュリティさまざまな分... [more] ED2014-71
pp.43-47
ED 2008-08-04
16:10
静岡 静岡大学浜松キャンパス 国際真空電子デバイス会議(IVEC2008)報告
影山隆雄北九州産業学術推進機構ED2008-116
第9回国際真空電子デバイス会議を中心にデバイスと設計、カソード技術の最近の研究開発動向を報告する. 特に,コンパクトな高... [more] ED2008-116
pp.35-38
ED 2008-08-05
11:40
静岡 静岡大学浜松キャンパス 高効率真空ナノランプの開発
中本正幸白鳥硬次文 宗鉉静岡大)・平木博久静岡大/ダイヤライトジャパン)・羽場方紀ダイヤライトジャパン)・平木昭夫阪大/ダイヤライトジャパンED2008-123
従来、バックライトや一般照明用として過度の輝度を持つLED等の点光源や冷陰極および熱陰極蛍光ランプ等の線光源が用いられて... [more] ED2008-123
pp.67-70
ED 2006-08-03
16:30
大阪 大阪大学 コンベンションセンター TFT制御FED
長尾昌善安室千晃坂村祐一金丸正剛伊藤順司産総研
フィールドエミッションディスプレイの各画素のフィールドエミッタアレイ(FEA)を薄膜トランジスタ(TFT)で制御する”T... [more] ED2006-126
pp.47-52
ED 2005-12-22
14:25
東京 機械振興会館 FEA制御のためのポリシリコンTFTの構造最適化
安室千晃坂村祐一長尾昌善田上尚男金丸正剛伊藤順司産総研
我々は,HfC被覆を施したシリコンフィールドエミッタアレイ(FEA)とそれを制御するポリシリコン薄膜トランジスタ(TFT... [more] ED2005-186
pp.21-26
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