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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2023-02-07 13:20 |
東京 | 東京大学 武田ホール （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
［招待講演］BSIピクセルピッチハイブリッド接合および3層積層技術 ○谷田一真・鈴木 繁・瀬尾俊紀・森永泰規・興梠隼人・手谷道成・浜田政一・江藤竜二・山下武志・加藤靖啓・佐藤直昭・清水但美・塙 哲郎・久保裕子・伊藤史隆・野口佳裕・中村成志・水越隆司・竹内雅彦・鈴木政勝・新添真人・宮永 績・池田 敦・松本 晋（パナソニック・タワージャズセミコンダクター）  SDM2022-88 |
裏面照射型(BSI)イメージセンサに用いるピクセルピッチハイブリッド接合(1.35µm)およびフルハイブリッド接合による... [more] | SDM2022-88 pp.13-16 |
| DC, SS (共催) |
2018-10-05 10:00 |
愛知 | 犬山国際観光センター「フロイデ」 | 組込みシステムの要求仕様書を対象とした状態遷移モデル作成支援 ○中村 成・山本椋太・吉田則裕・高田広章（名大） SS2018-22 DC2018-23 |
要求仕様書は多くの場合，自然言語で記述される．そのため，目視による確認では発見できない記述漏れや不整合が存在しうる． ... [more] |
SS2018-22 DC2018-23 pp.25-30 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2015-11-27 10:00 |
大阪 | 大阪市立大学・学術情報センター会議室 | 伝導型の違いからみたGaN中プラズマ照射誘起欠陥の挙動解明 ○古賀祐介・中村成志・奥村次徳（首都大東京） |
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| CAS, CS, SIP (共催) |
2012-03-08 16:25 |
新潟 | 新潟大学駅南キャンパス「ときめいと」 | 位相一致法を用いた光学的距離測定手法の設計と実装 中村成希・○井上裕貴・杉本雅則（東大）・橋爪宏達（NII） CAS2011-120 SIP2011-140 CS2011-112 |
本稿では，位相一致法を用いた光距離測定手法の提案を行う．送受する信号に連続した周波数成分を必要とするチャープ変調光を用い... [more] | CAS2011-120 SIP2011-140 CS2011-112 pp.77-82 |
| US | 2012-02-23 15:50 |
東京 | GEヘルスケア・ジャパン株式会社 日野本社５階会議室 | 単眼カメラと超音波による高精度三次元位置認識手法 ○蟹江教佳・中村成希・杉本雅則（東大）・橋爪宏達（NII） US2011-113 |
本稿では、単眼カメラと超音波による三次元位置認識手法について提案する。我々は、これまでに高精度に位置推定が可能な位相一致... [more] | US2011-113 pp.51-56 |
| ED | 2010-09-13 13:50 |
福岡 | 九州工業大（若松キャンパス） | Pd/AlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ構造センサの水素応答メカニズム ○瀧本拓真・中村成志・奥村次徳（首都大東京） |
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| EA, US (併催) |
2010-01-26 10:00 |
大阪 | 関西大 | 超音波通信を用いた移動体位置および速度の実時間高精度推定 ○佐藤智彦・中村成希・杉本雅則（東大）・橋爪宏達（NII） US2009-101 |
著者らが提案した位相一致法という高精度測距手法による超音波位置認識システムでは，送受信機間距離4m の静止計測で標準偏差... [more] | US2009-101 pp.75-80 |
| EA, US (併催) |
2010-01-26 10:25 |
大阪 | 関西大 | 拡張位相一致法を用いた移動体の3次元位置速度同時計測 ○中村成希・佐藤智彦・杉本雅則（東大）・橋爪宏達（NII） US2009-102 |
本稿では，拡張位相一致法を用いた移動体の3次元位置速度同時計測システムを提案する．本システムは，高精度位置推定の可能な位... [more] | US2009-102 pp.81-86 |
| ED | 2009-06-11 15:35 |
東京 | 東京工業大学 | GaN中のプラズマ照射誘起欠陥の電気的評価 ○中村成志・星野晃一・落合俊輔・須原理彦・奥村次徳（首都大東京） ED2009-40 |
[more] | ED2009-40 pp.21-25 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2008-11-28 15:45 |
愛知 | 名古屋工業大学 | AlGaN/GaNヘテロ構造における曲げ変形と2DEGのシミュレーション ○束原 肇・中村成志・奥村次徳（首都大東京） ED2008-182 CPM2008-131 LQE2008-126 |
AlGaN/GaNヘテロ構造にMEMS技術（マイクロオリガミ）を適用し，界面に生じる二次元電子ガス（2DEG）の影響を調... [more] | ED2008-182 CPM2008-131 LQE2008-126 pp.149-154 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2008-11-28 16:10 |
愛知 | 名古屋工業大学 | Pd/AlGaN/GaN HEMT型水素ガスセンサにおける水素検出メカニズムの検討 ○高橋紀行・中村成志・奥村次徳（首都大東京） ED2008-183 CPM2008-132 LQE2008-127 |
100ppm以下の水素濃度検知を目指し，ゲート電極にパラジウム(Pd)を用いたAlGaN/GaN 高電子移動度トランジス... [more] | ED2008-183 CPM2008-132 LQE2008-127 pp.155-159 |
| R, ED, SDM (共催) |
2005-11-25 15:30 |
大阪 | 中央電気倶楽部 | 水素プラズマ照射されたn型窒化ガリウムの電気特性評価 ○須田将之（都立大）・中村成志・須原理彦・奥村次徳（都立大/首都大東京） |
プラズマ照射によるn-GaNの電気特性への影響を評価した．水素プラズマ照射されたSi doped n-GaNにおいて，低... [more] | R2005-45 ED2005-180 SDM2005-199 pp.43-46 |
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