| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 研究会 開催スケジュール |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
すべての研究会開催スケジュール (検索条件: すべての年度)
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2015-01-27 11:40 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］電子・フォノン統合モンテカルロシミュレータによる微細トランジスタの自己発熱析 ○鎌倉良成・インドラ ヌル アディスシロ・久木田健太郎・脇村 豪（阪大）・木場隼介・土屋英昭（神戸大）・森 伸也（阪大）  SDM2014-139 |
[more] | SDM2014-139 pp.17-20 |
| SDM | 2014-11-07 11:15 |
東京 | 機械振興会館 | モンテカルロ法を用いたSiダブルゲート構造MOSFETの準バリスティック輸送係数の抽出 ○土屋英昭・石田良馬（神戸大）・鎌倉良成・森 伸也（阪大）・宇野重康（立命館大）・小川真人（神戸大） SDM2014-105 |
本稿では、モンテカルロシミュレーションを用いてSiダブルゲート構造MOSFETの準バリスティック輸送係数を抽出し、物理的... [more] | SDM2014-105 pp.53-58 |
| SDM | 2013-11-15 13:25 |
東京 | 機械振興会館 | ウィグナーモンテカルロ法を用いた極微細III-V MOSFETの量子輸送解析 ○大森正規・木場隼介・前川容佑（神戸大）・土屋英昭（神戸大/JST）・鎌倉良成・森 伸也（阪大/JST）・小川真人（神戸大） SDM2013-111 |
本稿では、ウィグナーモンテカルロシミュレーションを用いて、III-V MOSFETにおけるソース・ドレイン(SD)直接ト... [more] | SDM2013-111 pp.65-70 |
| SDM | 2011-11-11 10:25 |
東京 | 機械振興会館 | 第一原理バンド計算を援用したSiナノワイヤ及びInAsナノワイヤFETのバリスティック性能比較 滝口直也・木場隼介（神戸大）・○土屋英昭（神戸大/JST）・小川真人（神戸大） SDM2011-121 |
本稿では、<110>方向のSiナノワイヤ及びInAsナノワイヤの断面サイズによるバンド構造の変化を調べるために、第一原理... [more] | SDM2011-121 pp.33-38 |
| SDM [詳細] | 2008-11-14 16:15 |
東京 | 機械振興会館 | シリコンナノワイヤトランジスタの3次元量子輸送シミュレーション ○山田吉宏・土屋英昭・小川真人（神戸大） SDM2008-182 |
極限構造MOSトランジスタとして、シリコンナノワイヤをチャネルとする1次元MOSトランジスタが注目されている。本稿では、... [more] | SDM2008-182 pp.77-82 |
| SDM [詳細] | 2008-11-14 16:40 |
東京 | 機械振興会館 | 第一原理計算によるひずみシリコンナノ構造チャネルの電子状態解析 ○前川忠史・山内恒毅・原 孟史・土屋英昭・小川真人（神戸大） SDM2008-183 |
シリコンMOSFETの性能向上を実現する技術として、ひずみシリコンによる高キャリア移動度化に加え、ナノワイヤ等の新構造の... [more] | SDM2008-183 pp.83-88 |
| SDM, VLD (共催) |
2007-10-30 10:25 |
東京 | 機械振興会館 | 量子補正モンテカルロシミュレーションによる非Si材料nチャネルMOSFETの電流駆動力評価 ○森 隆志・東 祐介・土屋英昭（神戸大） VLD2007-51 SDM2007-195 |
近年，極微細n-チャネルMOSFETの電流駆動力を向上させるために，Geや?-?族化合物半導体等の高移動度チャネル材料の... [more] | VLD2007-51 SDM2007-195 pp.5-10 |
| SDM, VLD (共催) |
2006-09-26 15:00 |
東京 | 機械振興会館 | ナノスケールMOSFETのバリスティック輸送特性 ○土屋英昭・藤井一也・森 隆志・三好旦六（神戸大） |
キャリアのバリスティック輸送は，MOSFETの電流駆動力を向上させるテクノロジーブースターの一つとして期待されている。本... [more] | VLD2006-47 SDM2006-168 pp.49-54 |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]