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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2020-11-19
11:00
ONLINE オンライン開催 [招待講演]古典MDで再現されたHigh-kゲートスタックの界面ダイポール
渡邉孝信早大SDM2020-23
 [more] SDM2020-23
pp.5-10
SDM 2020-11-19
16:45
ONLINE オンライン開催 モンテカルロシミュレーションによる微細Siワイヤのフォノンの平均自由行程の解析
鈴木悠平藤田悠摩阪工大)・ファウジア ホティマトゥル野北崇人池田浩也静岡大)・渡邉孝信早大)・鎌倉良成阪工大SDM2020-28
 [more] SDM2020-28
pp.28-31
SDM, ED, CPM
(共催)
2019-05-16
13:00
静岡 静岡大学(浜松) Siワイヤサーモパイルの熱起電力に与えるフォノンドラッグ効果の考察
鈴木悠平ホティマトゥル ファウジア静岡大)・鎌倉良成阪工大)・渡邉孝信早大)・ファイズ サレマラヤ大)・池田浩也静岡大ED2019-10 CPM2019-1 SDM2019-8
 [more] ED2019-10 CPM2019-1 SDM2019-8
pp.1-4
SDM 2018-10-18
13:30
宮城 東北大学未来情報産業研究館5F ラマン分光法による熱電デバイス応用へ向けたSiナノワイヤのプロセス評価
横川 凌明大)・富田基裕渡邉孝信早大)・小椋厚志明大SDM2018-61
Siナノワイヤ(SiNW)はバルクSiと比較して電気伝導率を維持しつつ熱伝導率が大幅に低下することから次世代熱電材料とし... [more] SDM2018-61
pp.47-50
ED, SDM
(共催)
2017-02-24
16:45
北海道 北海道大学百年記念会館 分子動力学法を用いた2元系IV-IV族混晶半導体のフォノン物性の再現と予測
富田基裕早大/明大/学振)・小椋厚志明大)・渡邉孝信早大ED2016-141 SDM2016-158
本研究ではSiGe、GeSnおよびSiSn混晶用原子間ポテンシャルを作成し、分子動力学(MD)法を用いてSiGe、GeS... [more] ED2016-141 SDM2016-158
pp.61-66
SDM 2012-11-16
13:00
東京 機械振興会館 立体構造シリコン中の熱輸送に関する分子動力学シミュレーション
図師知文早大/JST)・大毛利健治山田啓作筑波大/JST)・渡邉孝信早大/JSTSDM2012-108
ナノMOSFETにおいて形成されるとされる縦波光学(LO)フォノンが滞留した非平衡熱分布,いわゆるホットスポットの熱散逸... [more] SDM2012-108
pp.47-52
SDM 2011-11-11
11:15
東京 機械振興会館 非対称ホーン形状チャネルにおける電流密度の向上 ~ EMC-MDシミュレーションによる検討 ~
神岡武文早大/JST)・今井裕也早大)・大毛利健治白石賢二筑波大/JST)・鎌倉良成阪大/JST)・渡邉孝信早大/JSTSDM2011-123
キャリア輸送のチャネル形状依存性をモンテカルロ/分子動力学(EMC/MD)シミュレーションにより調査した.非対称なホーン... [more] SDM2011-123
pp.45-50
SDM 2009-06-19
10:00
東京 東京大学(生産研An棟) 分子動力学法によるGeO2/Ge界面のモデリング ~ SiO2/Siとの違い ~
渡邉孝信恩田知弥登坂 亮山本英明早大SDM2009-27
GeとOの任意の混在系を再現する原子間相互作用モデルを開発し、この相互作用モデルを用いた分子動力学シミュレーションでGe... [more] SDM2009-27
pp.3-8
SDM 2008-06-10
09:30
東京 東京大学(生産研 An棟) 歪Siナノワイヤトランジスタにおけるトランスコンダクタンスエンハンスメント
清家 綾丹下智之佐野一拓杉浦裕樹土田育新太田洋道渡邉孝信早大)・小瀬村大亮小椋厚志明大)・大泊 巌早大SDM2008-48
熱酸化膜起因の引っ張り歪を印加する事により、n型ナノワイヤFETs (n-nwFETs)、p型のナノワイヤFETs(p-... [more] SDM2008-48
pp.35-39
SDM, VLD
(共催)
2007-10-30
10:00
東京 機械振興会館 周期的な不純物原子配列を有する半導体の電気伝導シミュレーション
照沼知英渡邉孝信品田賢宏早大)・鎌倉良成谷口研二阪大)・大泊 巌早大VLD2007-50 SDM2007-194
 [more] VLD2007-50 SDM2007-194
pp.1-4
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