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 13件中 1~13件目  /   
研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
OPE, OCS, LQE
(共催)
2022-10-21
13:20
愛媛 松山市民会館 小ホール
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
1.06ミクロン帯光無線給電、光ファイバ給電用光電変換素子
本村優芽櫛山 爽西岡賢祐荒井昌和宮崎大
 [more]
OCS, OPE, LQE
(共催)
2017-10-26
11:40
熊本 桜の馬場城彩苑(熊本) 中赤外波長帯発光・受光デバイスのためのIII-V族、IV族結晶成長技術
荒井昌和吉元圭太山形勇也藤原由生高橋 翔宮崎大)・藤澤 剛北大)・前田幸治宮崎大OCS2017-40 OPE2017-72 LQE2017-45
中赤外波長帯域は多数のガスの光吸収線があり、高性能な半導体レーザ、受光素子ができれば小型で高感度なガスセンシングが可能と... [more] OCS2017-40 OPE2017-72 LQE2017-45
pp.25-28
LQE, OPE, OCS
(共催)
2016-10-27
16:35
宮崎 宮崎市民プラザ(宮崎) 中赤外フォトニクスのためのGeリブ導波路とGeSn導波路の高効率接続ならびにGeSn/SiGeSn多重量子井戸導波路の消光特性に関する理論的検討
秋江みなみ佐藤孝憲牧野俊太郎北大)・荒井昌和宮崎大)・藤澤 剛齊藤晋聖北大OCS2016-44 OPE2016-85 LQE2016-60
波長2 μm帯における集積型光アクティブデバイスへの応用を念頭に,Si基板上のGeリブ導波路と,さらにその上に積層された... [more] OCS2016-44 OPE2016-85 LQE2016-60
pp.55-60
LQE 2015-12-18
11:30
東京 機械振興会館 [奨励講演]GaAs/InGaAs系1.3 um帯メタモルフィックレーザの高速変調動作
中尾 亮荒井昌和小林 亘硴塚孝明山本 剛松尾慎治NTTLQE2015-126
 [more] LQE2015-126
pp.15-20
OPE, LQE
(共催)
2014-12-19
16:40
東京 機械振興会館(12/18)、NTT厚木センタ(12/19) その場ウェハ曲率測定による格子緩和率制御手法を用いて作製したGaAs/InGaAs系1.3 um帯メタモルフィックレーザの高速変調動作
中尾 亮荒井昌和小林 亘山本 剛松尾慎治NTTOPE2014-150 LQE2014-137
メタモルフィック成長技術は,半導体デバイス作製における格子整合の制約を解放し,通信波長帯レーザの高性能化や光電子集積など... [more] OPE2014-150 LQE2014-137
pp.59-64
LQE, LSJ
(共催)
2014-05-22
14:00
福井 福井大学文京キャンパス 波長・温度無依存InP(110)マッハ・ツェンダー光変調器
小木曽義弘荒井昌和山田英一田野辺博正柴田泰夫神徳正樹NTTLQE2014-2
本稿では, InPマッハ・ツェンダー光変調器において,高速かつ温度・波長無依存な変調動作を低損失に実現したので報告する.... [more] LQE2014-2
pp.5-8
OPE, LQE
(共催)
EMD, CPM, OME
(共催)
(併催) [詳細]
2012-06-22
10:30
東京 機械振興会館 GaAs基板上1.3 µm帯メタモルフィックレーザによる20 Gbit/s直接変調動作
荒井昌和金澤 慈田所貴志神徳正樹NTTOPE2012-11 LQE2012-15
通信用レーザの高速化、低消費電力化の需要が増してきている。GaAs基板上にメタモルフィック成長技術を用いて擬似的なInG... [more] OPE2012-11 LQE2012-15
pp.9-12
LQE 2010-12-17
15:00
東京 機械振興会館 1.3ミクロン帯半導体レーザ基板用大型InGaAs単結晶の製造
木下恭一依田眞一JAXA)・青木拓克山本 智細川忠利松島正明フルウチ化学)・荒井昌和NTT東日本)・川口悦弘NEL)・狩野文良NTT)・近藤康洋NELLQE2010-123
半導体レーザの基板として均一組成の板状InxGa1-xAs (x: 0.10 – 0.13) 単結晶育成に世... [more] LQE2010-123
pp.43-46
EMD, OPE, LQE, CPM
(共催)
2010-08-27
17:45
北海道 千歳アルカディアプラザ 1.3 um帯電界吸収型変調器集積レーザの静的消光比注入光強度依存性の解析
藤澤 剛山中孝之田所貴志藤原直樹荒井昌和小林 亘川口悦弘都築 健狩野文良NTTEMD2010-61 CPM2010-77 OPE2010-86 LQE2010-59
電界吸収型変調器集積レーザの静的消光比が変調器への注入光強度に強く依存することを見出し、デバイスシミュレーションによる理... [more] EMD2010-61 CPM2010-77 OPE2010-86 LQE2010-59
pp.163-168
OPE, EMT, LQE, PN, IEE-EMT
(共催)
2010-01-28
16:25
京都 京大桂キャンパス、Bクラスター事務管理棟 、大会議室_A会場、桂ラウンジ_B会場 100Gbit/sイーサネット用の1.3um帯電界吸収型変調器集積レーザによる25Gbit/s,シングルモードファイバ40km伝送
藤澤 剛荒井昌和藤原直樹小林 亘田所貴志都築 健赤毛勇一伊賀龍三山中孝之狩野文良NTTPN2009-45 OPE2009-183 LQE2009-165
中、長距離用の100 Gbit/sイーサネットに対応可能な、1.3 m帯の電界吸収型変調器集積レーザを開... [more] PN2009-45 OPE2009-183 LQE2009-165
pp.57-60
LQE, OPE
(共催)
2009-06-19
15:20
東京 機械振興会館6階66号室 10Gb/s,1.55um,EADFBレーザの広温度範囲(-25~100℃)SMF80km伝送
小林 亘荒井昌和山中孝之藤原直樹藤澤 剛都築 健田所貴志狩野文良NTTOPE2009-25 LQE2009-28
低消費電力で低コストな光通信用モジュールの実現の鍵となる、電界吸収型変調器集積DFBレーザのペルチェレス動作の実現を目的... [more] OPE2009-25 LQE2009-28
pp.51-54
OCS, LQE, OPE
(共催)
2008-10-23
09:00
福岡 九州大学 10 Gbit/s動作SOA集積型n-p-i-n構造 InPマッハツェンダ変調器
保井孝子柴田泰夫都築 健菊池順裕荒井昌和川口悦弘NTT)・八坂 洋東北大OCS2008-47 OPE2008-90 LQE2008-59
SOAとn-p-i-n構造InP マッハツェンダ変調器(MZM)をモノリシック集積し(SOA-MZM)、C帯全域でチップ... [more] OCS2008-47 OPE2008-90 LQE2008-59
pp.1-6
LQE, CPM, EMD, OPE
(共催)
2008-08-29
10:15
宮城 東北大学 InGaAs基板上1.3ミクロン帯リッジレーザによる10Gbps直接変調動作
荒井昌和田所貴志藤澤 剛小林 亘川口悦弘湯田正宏NTT)・木下恭一依田真一JAXA)・近藤康洋NTTEMD2008-48 CPM2008-63 OPE2008-78 LQE2008-47
 [more] EMD2008-48 CPM2008-63 OPE2008-78 LQE2008-47
pp.83-88
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