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電磁界理論技術委員会 (IEE-EMT)
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マグネティックス研究会 (IEE-MAG)
医用・生体工学技術委員会 (IEE-MBE)
マイクロマシン・センサシステム研究会 (IEE-MSS)
光・量子デバイス技術委員会 (IEE-OQD)
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研究会
発表日時
開催地
タイトル・著者
抄録
資料番号
OPE
,
LQE
,
OCS
(共催)
2024-10-18
10:25
山口
KDDIホール
有機金属気相成長法による中赤外波長帯超格子および共振器構造の作製
○
荒井昌和
(
宮崎大
)・
藤澤 剛
(
北大(現法大)
)・
前田幸治
(
宮崎大
)
[more]
OPE
,
OCS
,
LQE
(共催)
2022-10-21
13:20
愛媛
松山市民会館 小ホール
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
1.06ミクロン帯光無線給電、光ファイバ給電用光電変換素子
本村優芽
・
櫛山 爽
・
西岡賢祐
・○
荒井昌和
(
宮崎大
)
OCS2022-34 OPE2022-80 LQE2022-43
[more]
OCS2022-34
OPE2022-80
LQE2022-43
pp.90-93
OCS
,
OPE
,
LQE
(共催)
2017-10-26
11:40
熊本
桜の馬場城彩苑(熊本)
中赤外波長帯発光・受光デバイスのためのIII-V族、IV族結晶成長技術
○
荒井昌和
・
吉元圭太
・
山形勇也
・
藤原由生
・
高橋 翔
(
宮崎大
)・
藤澤 剛
(
北大
)・
前田幸治
(
宮崎大
)
OCS2017-40 OPE2017-72 LQE2017-45
中赤外波長帯域は多数のガスの光吸収線があり、高性能な半導体レーザ、受光素子ができれば小型で高感度なガスセンシングが可能と...
[more]
OCS2017-40
OPE2017-72
LQE2017-45
pp.25-28
LQE
,
OPE
,
OCS
(共催)
2016-10-27
16:35
宮崎
宮崎市民プラザ(宮崎)
中赤外フォトニクスのためのGeリブ導波路とGeSn導波路の高効率接続ならびにGeSn/SiGeSn多重量子井戸導波路の消光特性に関する理論的検討
○
秋江みなみ
・
佐藤孝憲
・
牧野俊太郎
(
北大
)・
荒井昌和
(
宮崎大
)・
藤澤 剛
・
齊藤晋聖
(
北大
)
OCS2016-44 OPE2016-85 LQE2016-60
波長2 μm帯における集積型光アクティブデバイスへの応用を念頭に,Si基板上のGeリブ導波路と,さらにその上に積層された...
[more]
OCS2016-44
OPE2016-85
LQE2016-60
pp.55-60
LQE
2015-12-18
11:30
東京
機械振興会館
[奨励講演]GaAs/InGaAs系1.3 um帯メタモルフィックレーザの高速変調動作
○
中尾 亮
・
荒井昌和
・
小林 亘
・
硴塚孝明
・
山本 剛
・
松尾慎治
(
NTT
)
LQE2015-126
[more]
LQE2015-126
pp.15-20
OPE
,
LQE
(共催)
2014-12-19
16:40
東京
機械振興会館(12/18)、NTT厚木センタ(12/19)
その場ウェハ曲率測定による格子緩和率制御手法を用いて作製したGaAs/InGaAs系1.3 um帯メタモルフィックレーザの高速変調動作
○
中尾 亮
・
荒井昌和
・
小林 亘
・
山本 剛
・
松尾慎治
(
NTT
)
OPE2014-150 LQE2014-137
メタモルフィック成長技術は,半導体デバイス作製における格子整合の制約を解放し,通信波長帯レーザの高性能化や光電子集積など...
[more]
OPE2014-150
LQE2014-137
pp.59-64
LQE
,
LSJ
(共催)
2014-05-22
14:00
福井
福井大学文京キャンパス
波長・温度無依存InP(110)マッハ・ツェンダー光変調器
○
小木曽義弘
・
荒井昌和
・
山田英一
・
田野辺博正
・
柴田泰夫
・
神徳正樹
(
NTT
)
LQE2014-2
本稿では, InPマッハ・ツェンダー光変調器において,高速かつ温度・波長無依存な変調動作を低損失に実現したので報告する....
[more]
LQE2014-2
pp.5-8
OPE
,
LQE
(共催)
EMD
,
CPM
,
OME
(共催)
(併催)
[詳細]
2012-06-22
10:30
東京
機械振興会館
GaAs基板上1.3 µm帯メタモルフィックレーザによる20 Gbit/s直接変調動作
○
荒井昌和
・
金澤 慈
・
田所貴志
・
神徳正樹
(
NTT
)
OPE2012-11 LQE2012-15
通信用レーザの高速化、低消費電力化の需要が増してきている。GaAs基板上にメタモルフィック成長技術を用いて擬似的なInG...
[more]
OPE2012-11
LQE2012-15
pp.9-12
LQE
2010-12-17
15:00
東京
機械振興会館
1.3ミクロン帯半導体レーザ基板用大型InGaAs単結晶の製造
○
木下恭一
・
依田眞一
(
JAXA
)・
青木拓克
・
山本 智
・
細川忠利
・
松島正明
(
フルウチ化学
)・
荒井昌和
(
NTT東日本
)・
川口悦弘
(
NEL
)・
狩野文良
(
NTT
)・
近藤康洋
(
NEL
)
LQE2010-123
半導体レーザの基板として均一組成の板状InxGa1-xAs (x: 0.10 – 0.13) 単結晶育成に世...
[more]
LQE2010-123
pp.43-46
EMD
,
OPE
,
LQE
,
CPM
(共催)
2010-08-27
17:45
北海道
千歳アルカディアプラザ
1.3 um帯電界吸収型変調器集積レーザの静的消光比注入光強度依存性の解析
○
藤澤 剛
・
山中孝之
・
田所貴志
・
藤原直樹
・
荒井昌和
・
小林 亘
・
川口悦弘
・
都築 健
・
狩野文良
(
NTT
)
EMD2010-61 CPM2010-77 OPE2010-86 LQE2010-59
電界吸収型変調器集積レーザの静的消光比が変調器への注入光強度に強く依存することを見出し、デバイスシミュレーションによる理...
[more]
EMD2010-61
CPM2010-77
OPE2010-86
LQE2010-59
pp.163-168
OPE
,
EMT
,
LQE
,
PN
,
IEE-EMT
(共催)
2010-01-28
16:25
京都
京大桂キャンパス、Bクラスター事務管理棟 、大会議室_A会場、桂ラウンジ_B会場
100Gbit/sイーサネット用の1.3um帯電界吸収型変調器集積レーザによる25Gbit/s,シングルモードファイバ40km伝送
○
藤澤 剛
・
荒井昌和
・
藤原直樹
・
小林 亘
・
田所貴志
・
都築 健
・
赤毛勇一
・
伊賀龍三
・
山中孝之
・
狩野文良
(
NTT
)
PN2009-45 OPE2009-183 LQE2009-165
中、長距離用の100 Gbit/sイーサネットに対応可能な、1.3 m帯の電界吸収型変調器集積レーザを開...
[more]
PN2009-45
OPE2009-183
LQE2009-165
pp.57-60
LQE
,
OPE
(共催)
2009-06-19
15:20
東京
機械振興会館6階66号室
10Gb/s,1.55um,EADFBレーザの広温度範囲(-25~100℃)SMF80km伝送
○
小林 亘
・
荒井昌和
・
山中孝之
・
藤原直樹
・
藤澤 剛
・
都築 健
・
田所貴志
・
狩野文良
(
NTT
)
OPE2009-25 LQE2009-28
低消費電力で低コストな光通信用モジュールの実現の鍵となる、電界吸収型変調器集積DFBレーザのペルチェレス動作の実現を目的...
[more]
OPE2009-25
LQE2009-28
pp.51-54
OCS
,
LQE
,
OPE
(共催)
2008-10-23
09:00
福岡
九州大学
10 Gbit/s動作SOA集積型n-p-i-n構造 InPマッハツェンダ変調器
○
保井孝子
・
柴田泰夫
・
都築 健
・
菊池順裕
・
荒井昌和
・
川口悦弘
(
NTT
)・
八坂 洋
(
東北大
)
OCS2008-47 OPE2008-90 LQE2008-59
SOAとn-p-i-n構造InP マッハツェンダ変調器(MZM)をモノリシック集積し(SOA-MZM)、C帯全域でチップ...
[more]
OCS2008-47
OPE2008-90
LQE2008-59
pp.1-6
LQE
,
CPM
,
EMD
,
OPE
(共催)
2008-08-29
10:15
宮城
東北大学
InGaAs基板上1.3ミクロン帯リッジレーザによる10Gbps直接変調動作
○
荒井昌和
・
田所貴志
・
藤澤 剛
・
小林 亘
・
川口悦弘
・
湯田正宏
(
NTT
)・
木下恭一
・
依田真一
(
JAXA
)・
近藤康洋
(
NTT
)
EMD2008-48 CPM2008-63 OPE2008-78 LQE2008-47
[more]
EMD2008-48
CPM2008-63
OPE2008-78
LQE2008-47
pp.83-88
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