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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| OME | 2023-01-27 15:05 |
高知 | 高知商工会館 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
植物由来のイソソルビド骨格を有する無色・低誘電・光学活性な半脂環式ポリイミド ○澤田梨々花・石毛亮平・安藤慎治（東工大）  OME2022-77 |
光学活性を示す植物由来のイソソルビド（ISS）と無水トリメリット酸から誘導されるテトラカルボン酸二無水物を用いて，主鎖に... [more] | OME2022-77 pp.14-17 |
| SDM | 2017-02-06 10:05 |
東京 | 東京大学/本郷 | ［招待講演］Impact of Dry Process Damage on Chemical Mechanical Planarization with Cu/low-k Structure ○小寺雅子・矢野博之・宮下直人（東芝） SDM2016-139 |
銅配線と低誘電率膜からなるLSI構造（Cu/low-k構造）においてドライエッチング工程後にLow-k膜中のC-H/C-... [more] | SDM2016-139 pp.1-4 |
| SDM | 2011-02-07 15:55 |
東京 | 機械振興会館 | 新プリカーサーを用いた低透水性バリアLow-k SiC膜(k<3.5) ○宇佐美達矢・小林千香子・三浦幸男（ルネサス エレクトロニクス）・永野修次（大陽日酸）・大音光市（ルネサス エレクトロニクス）・清水秀治（大陽日酸）・加田武史・大平達也（トリケミカル研）・藤井邦宏（ルネサス エレクトロニクス） SDM2010-225 |
今回、CuバリアLow-k膜として、新プリカーサーであるDiBDMS (Di-iso-Buthyl DiMethyl S... [more] | SDM2010-225 pp.55-58 |
| SDM | 2010-02-05 13:30 |
東京 | 機械振興会館 | CuAl合金配線を適用した32nmノード対応高信頼性配線技術の開発 ○井口 学・横川慎二・相澤宏一・角原由美・土屋秀昭・岡田紀雄・今井清隆・戸原誠人・藤井邦宏（NECエレクトロニクス）・渡部忠兆（東芝） SDM2009-186 |
CuAl合金シードプロセスを低誘電率層間膜（k=2.4）と低誘電率積層バリア膜（k=3.9）を用いた32nmノード配線構... [more] | SDM2009-186 pp.25-29 |
| SDM | 2010-02-05 16:15 |
東京 | 機械振興会館 | 多孔質低誘電率膜CMP時の誘電率評価 ○小寺雅子・高橋琢視・南幅 学（東芝） SDM2009-191 |
近年の高速LSIデバイスでは多孔質低誘電率膜が絶縁膜として使用されるが，加工中に誘電率が変化することが問題である．本研究... [more] | SDM2009-191 pp.53-58 |
| SDM | 2007-10-05 10:55 |
宮城 | 東北大学 | 低誘電率アモルファスハイドロカーボン（aCHx）膜の銅配線バリアー特性の検討 ○石川 拓（東京エレクトロン技研/東北大）・野沢俊久・松岡孝明（東京エレクトロン技研）・寺本章伸・平山昌樹・伊藤隆司・大見忠弘（東北大） SDM2007-183 |
近年、半導体デバイスの高集積化が進み、デバイスの高速動作の観点から配線のRC遅延を減少させるために低誘電率層間絶縁膜とC... [more] | SDM2007-183 pp.31-34 |
| ICD, CPM (共催) |
2005-01-28 16:15 |
東京 | 機械振興会館 | 65nm時代以降のSoCデバイステスト技術 ～ Low-k/Cu配線技術対応の試験および解析手法 ～ ○山崎 眞・古川靖夫（アドバンテスト） |
高性能化するSoCデバイスにおける歩留まり向上とテスト品質の確保という課題を両立するため、デバイス毎に試験条件を最適化す... [more] | CPM2004-173 ICD2004-218 pp.65-70 |
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