Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380
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ED2007-179
イットリウムアルミネート(YAlO)薄膜の電気的特性評価
○松之内恵子・小松直佳・木村千春・青木秀充・杉野 隆（阪大）
pp. 1 - 6
ED2007-180
フッ化水素と有機溶媒の混合液を用いた積層メタルゲートのガルバニックコロージョン抑制
○渡邊大祐・青木秀充・堀田沙織・木村千春・杉野 隆（阪大）
pp. 7 - 11
ED2007-181
高温高圧水中でのSiCおよびGaN表面の酸化処理
○二ツ木高志（阪大/オルガノ）・大江太郎（オルガノ）・青木秀充・小松直佳・木村千春・杉野 隆（阪大）
pp. 13 - 17
ED2007-182
多重台形型チャネルを持つAlGaN/GaN HEMTの高温での電流安定性
○田村隆博・小谷淳二・大井幸多・橋詰 保（北大）
pp. 19 - 22
ED2007-183
AlGaN/GaN HEMTのDCストレスによる信頼性評価
○松下景一・寺本信一郎・桜井博幸・沈 正七・川崎久夫・高木一考・高田賢治・津田邦男（東芝）
pp. 23 - 26
ED2007-184
高信頼GaN-HEMT開発のための劣化モード解析
○井上雄介・増田 哲・金村雅仁・多木俊裕・牧山剛三・岡本直哉・今西健治・吉川俊英・原 直紀・重松寿生・常信和清（富士通研）
pp. 27 - 31
ED2007-185
AlGaN/GaN HEMT量産のためのリーク電流による選別
○八巻史一・石井和明・西 眞弘・生松 均・舘野泰範・川田春雄（ユーディナデバイス）
pp. 33 - 37
ED2007-186
Cuイオンドリフトに起因したCu配線間TDDB劣化モデル
○鈴村直仁・山本茂久・真壁一也・小笠原 誠・小守純子・村上英一（ルネサステクノロジ）
pp. 39 - 44
今後、次の点を修正する予定です。(1)欠けている表紙画像・奥付画像を補完いたします。(2)欠けている発行日の情報を補完いたします。
注： 本技術報告は査読を経ていない技術報告であり，推敲を加えられていずれかの場に発表されることがあります．