電子情報通信学会技術研究報告

Print edition: ISSN 0913-5685      Online edition: ISSN 2432-6380

Volume 107, Number 325

電子部品・材料

開催日 2007-11-16 - 2007-11-17 / 発行日 2007-11-09

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目次

CPM2007-105
Bi-2212固有ジョセフソン接合の温度特性の解析
○毛利千里・小黒恭平・吉田 隆・富永隼賢・加藤孝弘・濱崎勝義(長岡技科大)
pp. 1 - 5

CPM2007-106
Bi系高温超伝導デバイスの作製とその特性評価
○吉田 隆・名和海明・富永隼賢・三輪 淳・加藤孝弘・濱崎勝義(長岡技科大)・島影 尚(NICT)
pp. 7 - 11

CPM2007-107
RFプラズマ堆積法により作製した有機薄膜の電気的特性・光学的特性
○テンクー ナズリン ビン テンクー イブラヒム・田中久仁彦・打木久雄(長岡技科大)
pp. 13 - 17

CPM2007-108
第三電極を有するRFマグネトロンスパッタ法によるZnO透明導電膜特性の均一性評価
○朝野 章(長岡技科大)・片桐裕則(長岡高専)・黒木雄一郎・安井寛治・高田雅介・赤羽正志(長岡技科大)
pp. 19 - 22

CPM2007-109
2スパッタ源反応性スパッタ法によるTiO2薄膜の高速堆積
境 哲也・神谷 攻・○星 陽一(東京工芸大)・清水英彦(新潟大)
pp. 23 - 27

CPM2007-110
ガスフロースパッタ法で作製されたZrO2膜をバッファ層として用いたNiCr薄膜抵抗の抵抗温度係数
○岩坪 聡(富山県工技センター)
pp. 29 - 34

CPM2007-111
ZrB2薄膜のキャラクタリゼーションとCu/SiO2間のバリヤ特性
○武山真弓(北見工大)・中台保夫・神原正三(アルバックマテリアル)・畠中正信(アルバック)・野矢 厚(北見工大)
pp. 35 - 38

CPM2007-112
ZrNバリヤを用いたCu/層間絶縁膜間の界面制御
武山真弓・○佐藤 勝・野矢 厚(北見工大)
pp. 39 - 42

CPM2007-113
サファイア基板及び白金電極上のCr2O3スパッタ薄膜の結晶成長
○大月俊平・浅田 毅・岩田展幸・山本 寛(日大)
pp. 43 - 48

CPM2007-114
ディップコートしたFeMo及びFePtナノ粒子触媒を用いたCVD法によるカーボンナノチューブの成長
○石塚大祐・園村拓也・奥山博基・岩田展幸・山本 寛(日大)
pp. 49 - 53

CPM2007-115
ホットメッシュCVD法によるGaN成長 ~ ルテニウムコーティッドタングステンメッシュの効果 ~
○深田祐介・安部和貴・黒木雄一郎(長岡技科大)・末光眞希・伊藤 隆(東北大)・成田 克(九工大)・遠藤哲郎(東北大)・中澤日出樹(弘前大)・高田雅介・安井寛治・赤羽正志(長岡技科大)
pp. 55 - 58

CPM2007-116
モノメチルゲルマンによるSi(001)-2x1清浄表面上へのGe, SiCナノドットの形成と制御
○荻原智明・須藤晴紀・安井寛治・赤羽正志・高田雅介(長岡技科大)
pp. 59 - 64

CPM2007-117
ホットメッシュCVD法によるSiCOI構造基板の作製とトップSi層厚依存性
○牧野雄一郎・三浦仁嗣・西山 洋・安井寛治・高田雅介・井上泰宣・赤羽正志(長岡技科大)
pp. 65 - 68

CPM2007-118
バイアス印加RFプラズマ窒化法によるSiC-MIS構造の作製
○石田芳樹・陳 晨・萩原正宜・塩沢宏章・仙石 昌・林部林平・山上朋彦・上村喜一(信州大)
pp. 69 - 72

CPM2007-119
Cu2ZnSnS4のバルク単結晶とゾル-ゲル・硫化法で作製した薄膜の光学特性
○宮本裕介・田中久仁彦・大貫雅俊・森竹典子・打木久雄(長岡技科大)
pp. 73 - 77

CPM2007-120
ゾルゲル・硫化法によるCu2ZnSnS4薄膜太陽電池の作製と評価
○大貫雅俊・森竹典子・田中久仁彦・打木久雄(長岡技科大)
pp. 79 - 82

CPM2007-121
PCD法によるCu2ZnSnS4を用いた3Dセル構造の作製
○森谷克彦・佐伯勇輔・田中久仁彦・打木久雄(長岡技科大)
pp. 83 - 87

CPM2007-122
PLD法によるEuGa2S4薄膜の作製と評価
○金田亮平・田中久仁彦・打木久雄(長岡技科大)
pp. 89 - 92

CPM2007-123
Sn添加CaAl2S4の光学特性
○太田 均・田中久仁彦・打木久雄(長岡技科大)
pp. 93 - 96

CPM2007-124
ケミカルバス法によるZnS薄膜の作製 ~ 膜厚の制御 ~
○上條和隆・小林敏志・坪井 望(新潟大)
pp. 97 - 101

CPM2007-125
Electrical properties of ZnSnAs2 thin films grown by MBE
○Joel T. Asubar・Tadasuke Yokoyama・Yoshio Jinbo・Naotaka Uchitomi(Nagaoka Univ. of Tech.)
pp. 103 - 107

CPM2007-126
強磁性半導体(Ga,Mn)As/Zn-doped-GaAs超格子構造のMBE成長とその低温熱処理効果
○中川久幸・ジョエル アスバル・神保良夫・内富直隆(長岡技科大)
pp. 109 - 113

CPM2007-127
Si基板上に成長したGaSb/AlGaSb多重量子井戸構造の評価
○豊田英之・安田武史・藤江周作(長岡技科大)・中村新一(青学大)・神保良夫・内富直隆(長岡技科大)
pp. 115 - 119

今後、次の点を修正する予定です。(1)欠けている表紙画像・奥付画像を補完いたします。(2)欠けている発行日の情報を補完いたします。

注: 本技術報告は査読を経ていない技術報告であり,推敲を加えられていずれかの場に発表されることがあります.


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