Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380
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LQE2008-128
高出力1.3μm帯25Gbps EA変調器集積半導体レーザ
○高橋博之（OKI）・島村知周・杉山 直・久保田宗親（OKIセミコンダクタ）・中村幸治（OKI）
pp. 1 - 4
LQE2008-129
50nm位相連続波長掃引可能なSi-MEMS可動ミラーを用いたInP系波長可変面発光レーザ
矢野哲夫・齋藤裕己・蒲原敦彦・野田隆一郎・手塚信一郎・藤村直之・大山将也・渡辺哲也・○平田隆昭（横河電機）・西山伸彦（東工大）
pp. 5 - 9
LQE2008-130
間接注入励起を用いた量子カスケードレーザ ～ 注入層内キャリア数の動的抑圧効果 ～
○藤田和上・山西正道・枝村忠孝・杉山厚志・落合隆英・古田慎一・秋草直大・菅 博文（浜松ホトニクス）
pp. 11 - 15
LQE2008-131
［招待講演］半導体レーザ国際会議(ISLC 2008)報告
○辻 伸二（日立）
pp. 17 - 22
LQE2008-132
1.3μm帯量子ドットDFBレーザ ～ 高密度量子ドットと縦型グレーティングの導入 ～
○天野 建・五島敬史郎・菅谷武芳・小森和弘・森 雅彦（産総研）
pp. 23 - 26
LQE2008-133
回折レンズを用いた時空間同時集光
○山下 智（徳島大）・長谷川智士（宇都宮大）・早崎芳夫（徳島大/宇都宮大）
pp. 27 - 30
LQE2008-134
［奨励講演］半導体二重リング共振器を用いた波長可変レーザとその展開
○瀬川 徹・松尾慎治・硴塚孝明・佐藤具就・近藤康洋・鈴木博之・高橋 亮（NTT）
pp. 31 - 36
LQE2008-135
Semiconductor Lasers with Optical Antiguiding Layers for Horizontal Transverse Modes
○Hazuki Yoshida・Naoki Shomura・Takahiro Numai（Ritsumeikan Univ.）
pp. 37 - 42
LQE2008-136
波長可変DFBレーザアレイ(TLA)の狭線幅化
○石井啓之・笠谷和生・大橋弘美（NTT）
pp. 43 - 46
LQE2008-137
半導体薄膜レーザ実現に向けた半絶縁性基板上GaInAsP薄膜への横注入型レーザ
○奥村忠嗣・黒川宗高・白尾瑞基・近藤大介・伊藤 瞳・西山伸彦・荒井滋久（東工大）
pp. 47 - 52
LQE2008-138
緑色半導体レーザに向けたInP基板上II-VI族材料の開拓
○野村一郎・岸野克巳・蛯沢智也・櫛田 俊・田才邦彦・中村 均・朝妻庸紀・中島 博（上智大）
pp. 53 - 58
LQE2008-139
マイクロプロジェクター用638nm単一横モードLD
○由川 真・島田尚往・柴田公隆・堀江淳一・小野健一・八木哲哉（三菱電機）
pp. 59 - 62
LQE2008-140
波長1.3μm帯高抵抗埋め込みAlGaInAs歪量子井戸DFBレーザの高速直接変調
○大坪孝二・松田 学（富士通研/富士通/光協会）・高田 幹・奥村滋一（富士通研）・江川 満（富士通研/富士通/光協会）・田中宏昌（富士通）・井出 聡（富士通研）・森 和行（富士通）・山本剛之（富士通研/富士通/光協会）
pp. 63 - 68
LQE2008-141
光導波路集積型マイクロディスク量子カスケードレーザ
○若山雄貴・岩本 敏・荒川泰彦（東大）
pp. 69 - 72
今後、次の点を修正する予定です。(1)欠けている表紙画像・奥付画像を補完いたします。(2)欠けている発行日の情報を補完いたします。
注： 本技術報告は査読を経ていない技術報告であり，推敲を加えられていずれかの場に発表されることがあります．