Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380
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ICD2008-1
［招待講演］非対称ユニットβレシオセルを用いた0.7V,1GHz動作45nm SRAMマクロ
○佐々木貴彦・川澄 篤・矢部友章・武山泰久・平林 修・櫛田桂一（東芝）・東畑晃史（東芝マイクロエレクトロニクス）・片山 明・深野 剛・藤村勇樹・大塚伸朗（東芝）
pp. 1 - 6
ICD2008-2
［招待講演］NMOSおよびPMOSの基板バイアスを個別制御した65nm SRAM
○山岡雅直（日立）・前田徳章・島崎靖久（ルネサステクノロジ）・長田健一（日立）
pp. 7 - 12
ICD2008-3
［招待講演］833MHz周波数動作グラフィックス用途向け疑似2ポートeDRAM
○加来真理子・岩井 斎・永井 健・和田政春・鈴木 淳・高井智久・糸賀尚子・宮崎隆行・岩井隆之（東芝）・竹中博幸（東芝マイクロエレクトロニクス）・北城岳彦・宮野信治・大塚伸朗（東芝）
pp. 13 - 18
ICD2008-4
［招待講演］コンシューマエレクトロニクス向け混載DRAM技術
○白井浩樹・石川亮佑・伊藤雄一・北村卓也・竹内麻美・佐甲 隆・井上 顕・川崎 澄・勝木信幸・星崎博之・桑原愼一・夏目秀隆・坂尾眞人・谷川高穂（NECエレクトロニクス）
pp. 19 - 24
ICD2008-5
43nmCMOS技術を用いた120mm2 16Gb多値NANDフラッシュメモリの開発
○中村 大・神田和重・小柳 勝・山村俊雄・細野浩司・吉原正浩（東芝）・三輪 達・加藤洋介（サンディスク）・Alex Mak・Siu Lung Chan・Frank Tsai・Raul Cernea・Binh Le（サンディスクコーポレーション）・牧野英一・平 隆志（東芝）
pp. 25 - 30
ICD2008-6
［招待講演］SSD動向とNANDフラッシュメモリ
○竹内 健（東大）
pp. 31 - 36
ICD2008-7
［パネル討論］大容量フラッシュメモリの可能性を探る ～ 進行するフラッシュ革命のインパクト ～
○梶谷一彦（エルピーダメモリ）・篠崎直治（Spansion）・柿原俊男（日立グローバルストレージテクノロジーズ）・神田和重（東芝）・小林三千夫（Spansion）・佐圓 真（日立）・杉林直彦（NEC）・竹内 健（東大）・塚澤寿夫（東芝）
pp. 37 - 38
ICD2008-8
2ポートアンチヒューズセルを格子状に配置した65nm Pure CMOSプロセスで搭載可能なOne-time Programmableメモリ
○松藤謙介・行川敏正・中野浩明・伊藤 洋・和田 修・大塚伸朗（東芝）
pp. 39 - 44
ICD2008-9
［招待講演］自動車用MCU対応8kB EEPROMエミュレーションデータフラッシュモジュールと混載フラッシュの動向
○河井伸治・細金 明・久家重博・阿部俊広・橋本康平・大石 司・辻 直樹・榊原清彦・野口健二（ルネサステクノロジ）
pp. 45 - 50
ICD2008-10
［招待講演］電子システムの環境中性子線起因のエラーの現状と対策 ～ マルチノードアップセット問題の対応 ～
○伊部英史（日立）
pp. 51 - 56
ICD2008-11
［招待講演］二重トンネル接合層を用いた15nmプラナーバルクSONOS型メモリー素子
○大場竜二・三谷祐一郎・杉山直治・藤田 忍（東芝）
pp. 57 - 62
ICD2008-12
共有書き込みトランジスタセルとリーク電流複製読み出し方式を用いた4-Mb MRAMマクロ
○根橋竜介・崎村 昇・杉林直彦・本庄弘明・齊藤信作・加藤有光・笠井直記（NEC）
pp. 63 - 68
ICD2008-13
半ピッチシフト方式とビット線分離型2T1MTJセルを用いた混載向け250MHz,1Mb-MRAMマクロ
○崎村 昇・杉林直彦・根橋竜介・本庄弘明・斉藤信作・加藤有光・笠井直記（NEC）
pp. 69 - 74
ICD2008-14
TbCoFe/CoFe垂直磁化膜を用いたMRAM素子におけるスピン注入磁化反転の実証
○中山昌彦・甲斐 正・下村尚治・天野 実・北川英二・永瀬俊彦・吉川将寿・岸 達也・池川純夫・與田博明（東芝）
pp. 75 - 78
ICD2008-15
［招待講演］二元系酸化物RRAM特性の電極材料依存性
○玉井幸夫（シャープ）・島 久・秋永広幸（産総研）・細井康成・大西茂夫・粟屋信義（シャープ）
pp. 79 - 82
ICD2008-16
先端不揮発性メモリの将来展望とそのBiCS型積層化に関する基礎検討 ～ FeRAMのBiCS型積層化に関する基礎検討 ～
○渡辺重佳（湘南工科大）
pp. 83 - 88
今後、次の点を修正する予定です。(1)欠けている表紙画像・奥付画像を補完いたします。(2)欠けている発行日の情報を補完いたします。
注： 本技術報告は査読を経ていない技術報告であり，推敲を加えられていずれかの場に発表されることがあります．