Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380
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LQE2012-121
高速MBE成長法による19層積層InGaAs／GaAs量子ドットレーザの利得評価
○田之上文彦（首都大東京/NICT）・菅原宏治（首都大東京）・赤羽浩一・山本直克（NICT）
pp. 1 - 4
LQE2012-122
ポリマー光回路を用いた面出射光源の研究
○天野 建・佐々木史雄・浮田茂也・鈴木基史・青柳昌宏・小森和弘（産総研）
pp. 5 - 8
LQE2012-123
GaInAsP/InP横方向電流注入型半導体薄膜レーザの低しきい値動作化
○進藤隆彦・二見充輝・土居恭平・雨宮智宏・西山伸彦・荒井滋久（東工大）
pp. 9 - 14
LQE2012-124
AlGaInAs系高抵抗埋め込み型DRレーザの超高速直接変調
○下山峰史・松田 学・奥村滋一・植竹理人・江川 満・山本剛之（富士通研）
pp. 15 - 18
LQE2012-125
1550nm/1310nm 2波長発振高出力LD
○森本慎太郎・森 浩・山田敦史・長島靖明・藤田幹明・大貫紳一・吉田谷弘明・三瀬一明（アンリツデバイス）
pp. 19 - 22
LQE2012-126
選択的反導波クラッド層を設けた非対称リッジ型半導体レーザー
○檜垣将広・沼居貴陽（立命館大）
pp. 23 - 26
LQE2012-127
［奨励講演］フォトニック結晶レーザによる特異な集光特性を有するビームの発生
○北村恭子・西本昌哉・酒井恭輔・野田 進（京大）
pp. 27 - 30
LQE2012-128
［奨励講演］ウェハ接合によるシリコン基板上量子ドットレーザの進展
○田辺克明・荒川泰彦（東大）
pp. 31 - 33
LQE2012-129
窒素プラズマ活性化を用いたIII-V/Si直接貼り付けとそのハイブリッドレーザへの応用
○林 侑介・長部 亮・福田渓太・カン ジュンヒョン・渥美裕樹・西山伸彦・荒井滋久（東工大）
pp. 35 - 40
LQE2012-130
フォトニック結晶面発光レーザにおける非発振バンドを介した散乱現象
○廣瀬和義・黒坂剛孝・渡邉明佳・杉山貴浩（浜松ホトニクス）・梁 永・野田 進（京大）
pp. 41 - 46
LQE2012-131
2次元光閉じ込め構造を用いた中空導波路DBRレーザのアサーマル特性と狭線幅特性の検討
○山川英明・阿久津友宏・坂口孝浩・小山二三夫（東工大）
pp. 47 - 50
LQE2012-132
単一ストライプ構造を有する集積型波長可変レーザの注入同期特性
アルボレス メヒア アーロン・○鍬塚治彦（産総研）・金子俊光・上坂勝己・小路 元（住友電工）・石川 浩（産総研）
pp. 51 - 54
LQE2012-133
1550nm AlGaInAs埋込構造を有するDFBアレイ集積型波長可変光源
○岩井則広・若葉昌布・小早川将子・清田和明・黒部立郎・小林 剛・木本竜也・向原智一・横内則之・粕川秋彦（古河電工）
pp. 55 - 58
LQE2012-134
LGLC型波長可変レーザを用いたTunable TOSAにおけるフルC-band 10.7Gbps-80kmファイバ伝送
○直江和彦・中村 厚・笹田紀子・中西 慧・佐久間 康・元田勝也・山下 武・矢萩智彦（日本オクラロ）・鈴木崇功・有本英生・田中滋久（日立）
pp. 59 - 63
注： 本技術報告は査読を経ていない技術報告であり，推敲を加えられていずれかの場に発表されることがあります．