Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380
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ED2013-37
共鳴トンネルダイオードを用いた極短パルス生成器の高出力化
○呉 東坡・水牧勝太朗・潘 杰・森 雅之・前澤宏一（富山大）
pp. 1 - 4
ED2013-38
高性能共鳴トンネルダイオードのための溶融ガリウムバンプを用いたFluidic Self-Assembly
○中野 純・柴田知明・森田弘樹・坂本 宙・森 雅之・前澤宏一（富山大）
pp. 5 - 8
ED2013-39
トンネルダイオード線路上のエッジ振動ダイナミクス
○楢原浩一（山形大）
pp. 9 - 13
ED2013-40
［招待講演］容量-周波数-温度マッピングによるGaN系金属-絶縁体-半導体デバイスの解析
○鈴木寿一・Hong-An Shih・工藤昌宏（北陸先端大）
pp. 15 - 18
ED2013-41
スパッタリング堆積BN膜のAlGaN/GaN金属-絶縁体-半導体ヘテロ接合電界効果トランジスタへの応用
○山本裕司・Tuan Quy Nguyen・Hong-An Shih・工藤昌宏・鈴木寿一（北陸先端大）
pp. 19 - 23
ED2013-42
AlGaN/GaNと金属との反応による二次元電子ガス濃度と移動度の増加
○徳田博邦・小島敏和・葛原正明（福井大）
pp. 25 - 28
ED2013-43
Al2O3/ n-Ga2O3 MOS ダイオード特性評価
○上村崇史・ワン マンホイ（NICT）・佐々木公平（タムラ製作所）・ダイワシガマニ キルシナムルティ（NICT）・倉又朗人（タムラ製作所）・増井建和（光波）・山腰茂伸（タムラ製作所）・東脇正高（NICT）
pp. 29 - 32
ED2013-44
超高性能デジタルマイクロフォンセンサのためのInP基板へのMEMSマイクロフォン作製プロセス
○藤野舜也・水野雄太・高岡和央・森 雅之・前澤宏一（富山大）
pp. 33 - 36
ED2013-45
真空アニール法がAl2O3/GaSb MOS界面に与える影響
○後藤高寛・藤川紗千恵・藤代博記（東京理科大）・小倉睦郎・安田哲二・前田辰郎（産総研）
pp. 37 - 42
ED2013-46
Ga/Si(111)表面再構成構造を用いたSi(111)基板上GaSbナノ構造の形成
○町田龍人・戸田隆介・吉木圭祐・藤川紗千恵（東京理科大）・原 紳介（NICT）・色川勝己・三木裕文（東京理科大）・河津 璋（東京電機大）・藤代博記（東京理科大）
pp. 43 - 48
ED2013-47
InGaAs 2次元電子ガス 2層系におけるサブバンド輸送と量子ホール効果
○日高志郎・岩瀬比宇麻・赤堀誠志・山田省二（北陸先端大）・今中康貴・高増 正（物質・材料研究機構）
pp. 49 - 53
ED2013-48
GaAs上の領域選択分子線成長による面内配向InAsナノワイヤの試作と電気的評価
○赤堀誠志・村上達也・山田省二（北陸先端大）
pp. 55 - 59
ED2013-49
Si(111)上へのSb再構成構造を利用したInSbの選択成長
○王 シン・森 雅之・前澤宏一（富山大）
pp. 61 - 65
注： 本技術報告は査読を経ていない技術報告であり，推敲を加えられていずれかの場に発表されることがあります．