Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380
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SDM2015-92
高い選択比をもつSiNxエッチングガスを用いたFinFET構造の作製
○小尻尚志・諏訪智之・橋本圭市・寺本章伸・黒田理人・須川成利（東北大）
pp. 1 - 4
SDM2015-93
DNAのMOSFETチャネル材料としての検討 ～ 非クーロンブロッケード/ステアケース現象 ～
○松尾直人・中村文耶・高田忠雄・山名一成・部家 彰（兵庫県立大）・横山 新（広島大）・大村泰久（関西大）
pp. 5 - 7
SDM2015-94
超分子タンパク質を利用した超微細FETへのメモリ応用
○番 貴彦・上沼睦典（奈良先端大）・右田真司（産総研）・石河泰明・山下一郎・浦岡行治（奈良先端大）
pp. 9 - 12
SDM2015-95
NiOを用いたReRAMにおけるフォーミング特性の分布
○西 佑介・木本恒暢（京大）
pp. 13 - 17
SDM2015-96
ゲート電圧印加が光電変換効率に及ぼす効果
○大木康平・日下部昂志・松尾直人・部家 彰（兵庫県立大）
pp. 19 - 22
SDM2015-97
a-Ge膜のFLA結晶化におけるランプ印加電圧依存性
○平野翔大・部家 彰・松尾直人（兵庫県立大）・河本直哉（山口大）・中村祥章・横森岳彦・吉岡正樹（USHIO）
pp. 23 - 26
SDM2015-98
RFマグネトロンスパッタリング法によるIn2O3薄膜の特性評価
○吉岡敏博・小川淳史・弓削政博・松田時宜・木村 睦（龍谷大）
pp. 27 - 30
SDM2015-99
ミストCVD法によるGaxSn1-xO薄膜の特性評価
○弓削政博・小川淳史・吉岡敏博・加藤雄太・松田時宜・木村 睦（龍谷大）
pp. 31 - 34
SDM2015-100
IGZOのアニール温度に対するMR効果の変化
○宮村祥吾・志賀春紀・今西恒太・符川明日香・木村 睦・松田時宜（龍谷大）
pp. 35 - 38
SDM2015-101
CrSiNの磁気特性測定
○志賀春紀・宮村祥吾・今西恒太・符川明日香・木村 睦・松田時宜（龍谷大）・廣島 安（KOA）
pp. 39 - 42
SDM2015-102
薄膜poly-Geをチャネルに利用したガラス上の自己整合メタルダブルゲート低温poly-Ge TFTの特性
○西村勇哉・原 明人（東北学院大）
pp. 43 - 47
SDM2015-103
SnO2/Al2O3薄膜の特性評価と薄膜トランジスタの評価
○小川淳史・弓削政博・吉岡敏博・松田時宜・木村 睦（龍谷大）
pp. 49 - 52
SDM2015-104
低温Poly-Si TFTの赤外線照射に対する電流特性評価
○北島秀平・木藤克哉・松田時宜・木村 睦（龍谷大）・井上昌秀（華為技術日本）
pp. 53 - 56
SDM2015-105
薄膜トランジスタを用いた人工網膜の研究開発 ～ TFTのin vitro実験 ～
○春木翔太・冨岡圭佑・松田時宜・木村 睦（龍谷大）
pp. 57 - 60
SDM2015-106
簡略化エレメントを用いたニューラルネットワークのFPGAによる動作検証
○中村奈央・森田竜平・古我祐貴・中西弘樹・杉崎澄生・横山朋陽・和多田晃樹・松田時宜・木村 睦（龍谷大）
pp. 61 - 64
SDM2015-107
超簡略化構造のセルラニューラルネットワークの研究開発 ～ FPGAと可変抵抗による動作検証 ～
○中西弘樹・森田竜平・古我裕貴・中村奈央・杉崎澄生・横山朋陽・和多田晃樹・松田時宜・木村 睦（龍谷大）
pp. 65 - 68
注： 本技術報告は査読を経ていない技術報告であり，推敲を加えられていずれかの場に発表されることがあります．