Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380
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ED2019-33
ZnOのALD成長での平坦薄膜成長条件の調査
○山本 燎・加納寛人・中村篤志・居波 渉（静岡大）
pp. 1 - 4
ED2019-34
ミストCVD法によりc面サファイア基板上に高温下で成長したZnO結晶の発光特性
○大橋紘誠・藤原健八・山本幹大・原 和彦（静岡大）・酒井 優（山梨大）・光野徹也（静岡大）
pp. 5 - 8
ED2019-35
化学溶液析出法によって種々のTCOシード層に成長したZnOナノロッドの構造およびフォトルミネッセンス特性
濱本昂大・○寺迫智昭（愛媛大）・矢木正和（香川高専）・古林 寛・山本哲也（高知工科大）
pp. 9 - 13
ED2019-36
化学溶液析出法による極薄GZO薄膜シード層上へのZnOナノロッドの成長と構造及び光学特性
○寺迫智昭・濱本昂大・山田健太・甲田真一朗（愛媛大）・矢木正和（香川高専）・古林 寛・山本哲也（高知工科大）
pp. 15 - 20
ED2019-37
電気化学的な処理を用いた酸化亜鉛光触媒の特性改善
○安部功二・大竹徳人（名工大）
pp. 21 - 24
ED2019-38
β-Ga2O3 SBDを利用したRF－DC変換回路における負荷抵抗と電極面積依存性
○橋川 誠・浦田幸佑・竹ノ畑拓海・大石敏之・大島孝仁（佐賀大）
pp. 25 - 28
ED2019-39
リセス深さによるノーマリーオフ型GaN MOSFETsの短チャンネル効果改善
○加藤大望・梶原瑛祐・向井 章・大野浩志・新留 彩・田島純平・彦坂年輝・蔵口雅彦・布上真也（東芝）
pp. 29 - 32
ED2019-40
ICP-RIEによって作製されたGaNトレンチ側壁のダメージ評価
○山田真嗣・櫻井秀樹（名大/アルバック）・長田大和・中村敏幸・上村隆一郎（アルバック）・須田 淳・加地 徹（名大）
pp. 33 - 35
ED2019-41
ALDにより成膜したSiO2/Al2O3 2層絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MIS-HEMTのデバイス特性評価
○横井駿一・古岡啓太・久保俊晴・江川孝志（名工大）
pp. 37 - 40
ED2019-42
両極性同時成長を用いたGaN-QPM結晶の作製およびSHGに向けた光学特性評価
○松久快生・小林佑斗・石原弘基・杉浦真子・杉田篤史・井上 翼・中野貴之（静岡大）
pp. 41 - 44
ED2019-43
AlGaNをを量子井戸に用いた電子線励起レーザ
○櫻木勇介・安江信次・手良村昌平・荻野雄矢・田中隼也・岩山 章・岩谷素顕・上山 智・竹内哲也・赤崎 勇（名城大）・三宅秀人（三重大）
pp. 45 - 48
ED2019-44
MOCVD法によるGaN、GaInN上への厚膜AlInN膜のエピタキシャル成長
○山中瑞樹・三好実人・江川孝志（名工大）・岡田成仁・只友一行（山口大）・竹内哲也（名城大）
pp. 49 - 52
ED2019-45
c面GaNに格子整合する組成近傍の四元混晶AlGaInNエピタキシャル膜の成長と結晶及び光学特性評価
○原田紘希・三好実人・江川孝志（名工大）・竹内哲也（名城大）
pp. 53 - 56
ED2019-46
AlInN/GaN多層膜反射鏡を有するGaN系面発光レーザーの偏波特性
○小田 薫・飯田涼介・岩山 章・清原一樹・竹内哲也・上山 智・岩谷素顕（名城大）・赤崎 勇（名城大/名大）
pp. 57 - 60
ED2019-47
蒸着Sn膜の直接硫化による二硫化錫薄膜の結晶性評価
○田村優樹・中村篤志（静岡大）
pp. 61 - 64
ED2019-48
有機太陽電池用反射防止ナノテクスチャに関する実験検討
○平賀健太・久保田 繁・鹿又健作・有馬ボシールアハンマド（山形大）・水野 潤（早大）・廣瀬文彦（山形大）
pp. 65 - 68
ED2019-49
エレクトロスピニング法を用いたポリウレタンファイバーマットのコンポジット化
○森 拓海・中村篤志（静岡大）
pp. 69 - 72
ED2019-50
pHセンサにおける電極表面特異性の評価
○新澤亮介・中村篤志（静岡大）
pp. 73 - 76
ED2019-51
非酵素グルコースセンサの作製
○丹羽貴大・中村篤志（静岡大）
pp. 77 - 80
ED2019-52
脳深部光刺激用LEDプローブの実現に向けた針型構造の作製
○中山雄晟・安永弘樹（豊橋技科大）・稲波千尋・大澤匡弘（名古屋市大）・関口寛人（豊橋技科大/JSTさきがけ）
pp. 81 - 84
ED2019-53
DCスパッタAlNテンプレートを用いたUVC-LEDの進展
○最上耀介（理研/埼玉大）・大澤篤史・尾崎一人・谷岡千丈・前岡淳史（SCREEN）・糸数雄吏・桑葉俊輔（理研/埼玉大）・定 昌史・前田哲利（理研）・矢口裕之（埼玉大）・平山秀樹（理研）
pp. 85 - 88
ED2019-54
微傾斜AlN(0001)面上へのGaN極薄膜量子井戸の作製と光学特性
○船戸 充・小林敬嗣・川上養一（京大）
pp. 89 - 92
ED2019-55
UV-B領域AlGaN発光層の光学利得と内部ロスの転位密度依存性
○田中隼也・川瀬雄太（名城大）・佐藤恒輔（旭化成/名城大）・安江信次・手良村昌平・荻野雄矢（名城大）・岩山 章（名城大/三重大）・岩谷素顕・竹内哲也・上山 智（名城大）・赤﨑 勇（名城大/名大）・三宅秀人（三重大）
pp. 93 - 96
ED2019-56
InGaN量子井戸におけるMobility Edgeの見積り方法に関する実験的・理論的検討
○藤田貴志・坂井繁太・池田優真・山口敦史（金沢工大）・草薙 進・蟹谷裕也・工藤喜弘・冨谷茂隆（ソニー）
pp. 97 - 100
ED2019-57
光音響・発光同時計測によるInGaN量子井戸の内部量子効率の推定
○森 恵人・高橋佑知・森本悠也・山口敦史（金沢工大）・草薙 進・蟹谷裕也・工藤喜弘・冨谷茂隆（ソニー）
pp. 101 - 106
ED2019-58
光熱偏向分光によるIII-V族窒化物の評価
○角谷正友（物質・材料研究機構）
pp. 107 - 110
注： 本技術報告は査読を経ていない技術報告であり，推敲を加えられていずれかの場に発表されることがあります．