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シリコン材料・デバイス研究会 (SDM) (検索条件: 2009年度)
「from:2010-02-05 to:2010-02-05」による検索結果
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2010-02-05 10:05 |
東京 | 機械振興会館 | ［基調講演］三次元集積化技術の課題と展望 ○小柳光正・福島誉史・李 康旭・田中 徹（東北大）  SDM2009-182 |
(事前公開アブストラクト) [more] | SDM2009-182 pp.1-6 |
| SDM | 2010-02-05 10:50 |
東京 | 機械振興会館 | 耐水性分子細孔SiOCH膜中に形成された高信頼CoWBメタル被覆Cu配線 ○林 喜宏・田上政由・古武直也・井上尚也・中沢絵美子・有田幸司（NECエレクトロニクス） SDM2009-183 |
28ｎｍ世代以降の最先端ＬＳＩや車載用途などの高い信頼性が必要とされるＬＳＩに向けて、多孔質絶縁膜に埋設されたＣｕダマシ... [more] | SDM2009-183 pp.7-11 |
| SDM | 2010-02-05 11:20 |
東京 | 機械振興会館 | EUVリソグラフィーを用いた70nmピッチCu/ポーラス低誘電率膜デュアルダマシンインテグレーションの基礎検討 ○中村直文・小田典明・曽田栄一・細井信基・側瀬聡文・青山 肇・田中雄介・河村大輔・隣 真一・塩原守雄・垂水喜明・近藤誠一・森 一朗・斎藤修一（半導体先端テクノロジーズ） SDM2009-184 |
本報告においては、EUVリソグラフィーを用いた70nmピッチ2層デュアルダマシン構造の作製を行い、電気特性の評価を行った... [more] | SDM2009-184 pp.13-18 |
| SDM | 2010-02-05 13:00 |
東京 | 機械振興会館 | Porous Low-k膜対応Direct-CMPプロセス開発 ○興梠隼人（パナソニック）・千葉原宏幸（ルネサステクノロジ）・鈴木 繁・筒江 誠（パナソニック）・瀬尾光平（パナソニックセミコンダクターエンジニアリング）・岡 好浩・後藤欣哉・赤澤守昭・宮武 浩（ルネサステクノロジ）・松本 晋・上田哲也（パナソニック） SDM2009-185 |
テクノロジーノードが32nm以細のデバイスにおいて、配線の実効誘電率を低減するため、Porous Low-k膜を直接研磨... [more] | SDM2009-185 pp.19-23 |
| SDM | 2010-02-05 13:30 |
東京 | 機械振興会館 | CuAl合金配線を適用した32nmノード対応高信頼性配線技術の開発 ○井口 学・横川慎二・相澤宏一・角原由美・土屋秀昭・岡田紀雄・今井清隆・戸原誠人・藤井邦宏（NECエレクトロニクス）・渡部忠兆（東芝） SDM2009-186 |
CuAl合金シードプロセスを低誘電率層間膜（k=2.4）と低誘電率積層バリア膜（k=3.9）を用いた32nmノード配線構... [more] | SDM2009-186 pp.25-29 |
| SDM | 2010-02-05 14:00 |
東京 | 機械振興会館 | 低抵抗・高信頼Cu配線のためのシリサイドキャップ技術 ○林 裕美・松永範昭・和田 真・中尾慎一・坂田敦子・渡邉 桂・柴田英毅（東芝） SDM2009-187 |
Cu配線におけるシリサイドキャップはエレクトロマイグレーション(EM)信頼性を高める選択キャップ技術として有望であるが、... [more] | SDM2009-187 pp.31-36 |
| SDM | 2010-02-05 14:30 |
東京 | 機械振興会館 | Ti合金による自己形成バリアを用いたデュアルダマシンCu配線の特性 ○大森和幸・森 健壹・前川和義（ルネサステクノロジ）・小濱和之・伊藤和博（京大）・大西 隆・水野雅夫（神戸製鋼所）・浅井孝祐（ルネサステクノロジ）・村上正紀（学校法人立命館）・宮武 浩（ルネサステクノロジ） SDM2009-188 |
プロセスの微細化が進むにしたがって、配線抵抗がデバイスの性能に与える影響は大きくなる．我々は、低抵抗かつ高信頼なCu配線... [more] | SDM2009-188 pp.37-41 |
| SDM | 2010-02-05 15:15 |
東京 | 機械振興会館 | 次世代LSIパッケージ用チップ及びパッケージレベルのシームレスインターコネクト技術 ○山道新太郎・森 健太郎・菊池 克・村井秀哉・大島大輔・中島嘉樹（NEC）・副島康志・川野連也（NECエレクトロニクス）・村上朝夫（NEC） SDM2009-189 |
インターポーザ基板製造プロセスをベースとするチップ－パッケージ間の多層Cuめっき配線技術を開発した。Cu配線の厚さは5～... [more] | SDM2009-189 pp.43-48 |
| SDM | 2010-02-05 15:45 |
東京 | 機械振興会館 | 低速陽電子ビームを用いたCu/Low-k配線構造中の欠陥検出 ○上殿明良（筑波大）・井上尚也・林 喜宏・江口和弘・中村友二・廣瀬幸範・吉丸正樹（半導体理工学研究センター）・大島永康・大平俊行・鈴木良一（産総研） SDM2009-190 |
陽電子消滅は結晶中の点欠陥やポーラス材料の空隙を非破壊で感度良く検出することができる手法である．陽電子が電子と対消滅する... [more] | SDM2009-190 pp.49-52 |
| SDM | 2010-02-05 16:15 |
東京 | 機械振興会館 | 多孔質低誘電率膜CMP時の誘電率評価 ○小寺雅子・高橋琢視・南幅 学（東芝） SDM2009-191 |
近年の高速LSIデバイスでは多孔質低誘電率膜が絶縁膜として使用されるが，加工中に誘電率が変化することが問題である．本研究... [more] | SDM2009-191 pp.53-58 |
| SDM | 2010-02-05 16:45 |
東京 | 機械振興会館 | Cu／Low-k配線パターンのラインエッジラフネス評価 ○山口敦子・龍崎大介・武田健一（日立）・川田洋揮（日立ハイテクノロジーズ） SDM2009-192 |
Cu/low-k配線パターンのラインエッジラフネス（LER）評価方法を確立するため，レジスト，low-k，Cu/low-... [more] | SDM2009-192 pp.59-63 |
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