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電子デバイス研究会 (ED) (検索条件: 2011年度)
「from:2011-07-29 to:2011-07-29」による検索結果
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ED | 2011-07-29 13:30 |
新潟 | 長岡技術科学大学マルチメディアシステムセンター | AlGaN/GaN HFETに対する炭素添加高抵抗化SiドープGaNバッファ層の効果 ○深井雅之・柿澤秀介・伏見 浩（新日本無線）  ED2011-37 |
AlGaN/GaN HFETに必要な高抵抗バッファ層を，フェルミレベル効果の利用による低温成長の炭素添加SiドープGaN... [more] | ED2011-37 pp.1-6 |
| ED | 2011-07-29 13:55 |
新潟 | 長岡技術科学大学マルチメディアシステムセンター | AlGaN/GaN HFETのMIMゲート構造による界面電荷の制御 ○深澤義道・脇 英司・伏見 浩（新日本無線） ED2011-38 |
高周波用AlGaN/GaN HFETにおいて，分極電荷を制御できればデバイス特性の向上に有効である．そこで，ECRスパッ... [more] | ED2011-38 pp.7-12 |
| ED | 2011-07-29 14:20 |
新潟 | 長岡技術科学大学マルチメディアシステムセンター | Characterization of sputtered AlN amorphous films and their applications to AlGaN/GaN MIS-HFET ○Hong-An Shih・Masahiro Kudo・Masashi Akabori・Toshi-kazu Suzuki（JAIST） ED2011-39 |
[more] | ED2011-39 pp.13-16 |
| ED | 2011-07-29 14:45 |
新潟 | 長岡技術科学大学マルチメディアシステムセンター | AlGaN/GaN HEMTにおけるMOS界面特性と電流コラプスの評価 ○橋詰 保・水江千帆子・掘 祐臣・田島正文・大井幸多（北大） ED2011-40 |
[more] | ED2011-40 pp.17-20 |
| ED | 2011-07-29 15:20 |
新潟 | 長岡技術科学大学マルチメディアシステムセンター | フラッシングスプレーCVD法によるNb2O5膜の成膜 ○富永浩二（堀場製作所）・寺阪正訓・清水哲夫（堀場エステック）・千田二郎（同志社大）・石田耕三（堀場製作所） ED2011-41 |
4Gbit以降のDRAM用キャパシタ材料の候補である比誘電率が60のNb2O5膜に着目した。CVDプロセスにおいて出発原... [more] | ED2011-41 pp.21-24 |
| ED | 2011-07-29 15:45 |
新潟 | 長岡技術科学大学マルチメディアシステムセンター | GaAs(001)上のAlNスパッタ堆積およびAl2O3原子層堆積における表面前処理の効果 ○工藤昌宏・Hong-An Shih・赤堀誠志・鈴木寿一（北陸先端大） ED2011-42 |
[more] | ED2011-42 pp.25-30 |
| ED | 2011-07-29 16:10 |
新潟 | 長岡技術科学大学マルチメディアシステムセンター | SiNx絶縁ゲートGaAsエッチングナノワイヤFETにおける低周波雑音特性の評価 ○村松 徹・三浦健輔・白鳥悠太・葛西誠也（北大） ED2011-43 |
半導体電界効果トランジスタ（FET）の微細化に伴い素子自身が発する雑音が増大しており，雑音特性の理解と制御が重要になって... [more] | ED2011-43 pp.31-34 |
| ED | 2011-07-29 16:35 |
新潟 | 長岡技術科学大学マルチメディアシステムセンター | フォトニック結晶構造作製を目的とした高Al組成AlGaAs誘導結合型プラズマエッチング ○北林佑太・望月雅矢・石川史太郎・近藤正彦（阪大） ED2011-44 |
本研究ではフォトニック結晶作製を目的とした，Cl$_2$/BCl$_3$/CH$_4$を用いた高Al組成AlGaAs誘導... [more] | ED2011-44 pp.35-39 |
| ED | 2011-07-29 17:00 |
新潟 | 長岡技術科学大学マルチメディアシステムセンター | III-V化合物半導体を用い歪み駆動自己変形プロセスで作製した微小な円弧型カンチレバーの弾性測定 ○岩瀬比宇麻・王 建・赤堀誠志・山田省二（北陸先端大） ED2011-45 |
[more] | ED2011-45 pp.41-44 |
| ED | 2011-07-30 09:00 |
新潟 | 長岡技術科学大学マルチメディアシステムセンター | P3HT/n-Si有機無機接合へテロダイオードの電荷注入機構と発電特性の解析 ○金子 翔・大山直樹・籾山克章・鈴木貴彦・廣瀬文彦（山形大） ED2011-46 |
塗布プロセスによって簡易な成膜が可能であり高移動度p型有機半導体として知られるP3HTを用いてn-Siとのヘテロ接合ダイ... [more] | ED2011-46 pp.45-49 |
| ED | 2011-07-30 09:25 |
新潟 | 長岡技術科学大学マルチメディアシステムセンター | MoO3ホール輸送層を用いた有機薄膜太陽電池の発電特性 ○吉田一樹・栗原 啓・籾山克章・鈴木貴彦・廣瀬文彦（山形大） ED2011-47 |
我々は有機薄膜太陽電池の高効率化を目的としpoly(3-hexylthiopene) (P3HT) : fulleren... [more] | ED2011-47 pp.51-56 |
| ED | 2011-07-30 09:50 |
新潟 | 長岡技術科学大学マルチメディアシステムセンター | 高溶解性チオフェンオリゴマーの塗布製膜性と有機薄膜太陽電池特性 ○鈴木貴彦・吉田一樹・栗原 啓・太田員正・佐藤和昭・大場好弘・廣瀬文彦（山形大） ED2011-48 |
[more] | ED2011-48 pp.57-58 |
| ED | 2011-07-30 10:15 |
新潟 | 長岡技術科学大学マルチメディアシステムセンター | 高温溶媒吸着法による色素増感太陽電池の高効率化 ○石田瑛之・吉田洋大・籾山克章・鈴木貴彦・廣瀬文彦（山形大） ED2011-49 |
色素増感太陽電池の発電効率はTiO2層上の色素の吸着量に依存する。これまで、色素吸着量を増やすために、高い比表面積を持つ... [more] | ED2011-49 pp.59-62 |
| ED | 2011-07-30 10:40 |
新潟 | 長岡技術科学大学マルチメディアシステムセンター | 陽極酸化による透明電極上への酸化チタンナノチューブ膜の形成 ○小島領太・Mohammad Maksudur Rahman・Mehdi El Fassy Fihry・木村康男・庭野道夫（東北大） ED2011-50 |
酸化チタンナノチューブは、色素増感太陽電池(DSC)の陰極材料として注目されているナノ材料である。陽極酸化は高い制御性を... [more] | ED2011-50 pp.63-66 |
| ED | 2011-07-30 11:15 |
新潟 | 長岡技術科学大学マルチメディアシステムセンター | ボウタイアンテナと三重障壁共鳴トンネルダイオードとを集積したゼロバイアス検波レクテナに関する解析 ○中村昌人・高萩 智・斉藤光史・須原理彦（首都大東京） ED2011-51 |
[more] | ED2011-51 pp.67-72 |
| ED | 2011-07-30 11:40 |
新潟 | 長岡技術科学大学マルチメディアシステムセンター | 粒子群最適化手法を用いた三重障壁共鳴トンネルダイオードの非線形等価回路の同定 ○浅川澄人・倉上祐司・斉藤光史・須原理彦（首都大東京） ED2011-52 |
およそ300GHz～10THzまでのTHz帯と呼ばれる周波数領域は、超高速無線通信やイメージングなどへの応用が期待されて... [more] | ED2011-52 pp.73-77 |
| ED | 2011-07-30 12:05 |
新潟 | 長岡技術科学大学マルチメディアシステムセンター | 量子補正モンテカルロ法による歪みInAs HEMTの解析 ○佐藤 純・町田史晴・原 紳介・藤代博記（東京理科大） ED2011-53 |
テラヘルツ応用やポストSi CMOS等の次世代デバイスとして，高い電子移動度を示すInAsをチャネルに用いたデバイスが注... [more] | ED2011-53 pp.79-84 |
| ED | 2011-07-30 13:30 |
新潟 | 長岡技術科学大学マルチメディアシステムセンター | Sbテンプレートを使用したSi(111)面上GaSb薄膜の作製とその評価 ○豊田英之・岡部晃也・神保良夫・内富直隆（長岡技科大） ED2011-54 |
本研究では、分子線エピタキシー法(MBE)によるSi(111)面上GaSb薄膜の作製とその評価を行った。Si-GaSb間... [more] | ED2011-54 pp.85-89 |
| ED | 2011-07-30 13:55 |
新潟 | 長岡技術科学大学マルチメディアシステムセンター | 表面再構成制御成長法で成長したSi(111)基板上のInSb MOSダイオードの作製 ○角田 梓・岩杉達矢・中谷公彦・中山幸二・森 雅之・前澤宏一（富山大） ED2011-55 |
我々はこれまでに、Si(111)基板上に１原子層程度のIn及びSb原子を吸着させることにより形成されるInSb単分子層を... [more] | ED2011-55 pp.91-96 |
| ED | 2011-07-30 14:20 |
新潟 | 長岡技術科学大学マルチメディアシステムセンター | スピン分離量評価へ向けたInSb系三重障壁共鳴トンネルダイオードの電流電圧特性解析 ○藤田昌成・斉藤光史・須原理彦（首都大東京） ED2011-56 |
本研究では、InSb系三重障壁共鳴トンネルダイオードの特性を利用し、スピン偏極した電流電圧特性の解析を行った。InSbは... [more] | ED2011-56 pp.97-102 |
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