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シリコン材料・デバイス研究会 (SDM) (検索条件: 2011年度)
「from:2011-10-20 to:2011-10-20」による検索結果
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2011-10-20 13:30 |
宮城 | 東北大学未来研 | ［招待講演］完全空乏型SOI MOSFETにおける特性ばらつきとランダムテレグラフノイズ ○平本俊郎（東大）  SDM2011-97 |
イントリンジックチャネル完全空乏型(FD) SOI MOSFETの統計的性質を実測し，従来のバルクMOSトランジスタと比... [more] | SDM2011-97 pp.1-4 |
| SDM | 2011-10-20 14:20 |
宮城 | 東北大学未来研 | 埋め込み構造によるMOSFETにおけるランダム・テレグラフ・ノイズの低減 ○鈴木裕彌・黒田理人・寺本章伸・米澤彰浩・松岡弘章・中澤泰希・阿部健一・須川成利・大見忠弘（東北大） SDM2011-98 |
ブロードチャネル構造によって，劇的なランダム・テレグラフ・ノイズ（RTN）の低減効果を得た．形成されるチャネルの位置をト... [more] | SDM2011-98 pp.5-9 |
| SDM | 2011-10-20 14:45 |
宮城 | 東北大学未来研 | 異常Stress Induced Leakage Currentの発生・回復特性の統計的評価 ○稲塚卓也・熊谷勇喜・黒田理人・寺本章伸・須川成利・大見忠弘（東北大） SDM2011-99 |
[more] | SDM2011-99 pp.11-16 |
| SDM | 2011-10-20 15:20 |
宮城 | 東北大学未来研 | Effect of Si surface roughness on electrical characteristics of HfON gate insulator ○Dae-Hee Han・Shun-ichiro Ohmi（Tokyo Inst. of Tech.） SDM2011-100 |
[more] | SDM2011-100 pp.17-20 |
| SDM | 2011-10-20 15:45 |
宮城 | 東北大学未来研 | ラジカル反応ベース絶縁膜形成プロセスにおける界面平坦化効果と絶縁膜破壊特性との関係 ○黒田理人・寺本章伸・李 翔・諏訪智之・須川成利・大見忠弘（東北大） SDM2011-101 |
[more] | SDM2011-101 pp.21-26 |
| SDM | 2011-10-20 16:10 |
宮城 | 東北大学未来研 | ［特別講演］学問に基づいた本物のシリコン産業技術の創出 ○大見忠弘（東北大） SDM2011-102 |
インテル社のマイクロプロセッサの動作速度がこの6年間，3GHzクロック程度で完全に停滞していることが象徴するように，現状... [more] | SDM2011-102 pp.27-36 |
| SDM | 2011-10-21 09:00 |
宮城 | 東北大学未来研 | ［招待講演］角度分解硬X線光電子分光法によるHfO2/Si/歪みGe/SiGe構造の評価 ○野平博司・小松 新・那須賢太郎・星 裕介・榑林 徹・澤野憲太郎（東京都市大）・マクシム ミロノフ（Warwick大）・白木靖寛（東京都市大） SDM2011-103 |
Si-cap層の厚さとHfO2堆積後の熱処理(PDA)が，HfO2/Si-cap/歪みGe/Si0.5Ge0.5/Si ... [more] | SDM2011-103 pp.37-41 |
| SDM | 2011-10-21 09:50 |
宮城 | 東北大学未来研 | 32nmノードCMOSFETのチャネルひずみ評価 ○武井宗久・橋口裕樹・山口拓也・小瀬村大亮（明大）・永田晃基（明大/学振）・小椋厚志（明大） SDM2011-104 |
歪技術はポストスケーリング時代のブースターテクノロジーとして実用化されている。しかし、その詳細なメカニズムおよび評価手法... [more] | SDM2011-104 pp.43-48 |
| SDM | 2011-10-21 10:15 |
宮城 | 東北大学未来研 | SiO2/Si界面における構造遷移層の酸化手法依存性 ○諏訪智之・熊谷勇喜・寺本章伸（東北大）・木下豊彦・室隆桂之（高輝度光科学研究センター）・服部健雄・大見忠弘（東北大） SDM2011-105 |
酸素ラジカルおよび酸素分子で形成したSiO2膜について、Si 2pからの軟X線励起角度分解光電子スペクトルを測定し、Si... [more] | SDM2011-105 pp.49-52 |
| SDM | 2011-10-21 10:50 |
宮城 | 東北大学未来研 | AR-XPSによる種々の表面処理したIn0.53Ga0.47As表面の化学結合状態の評価 ○沼尻侑也・山下晃司・小松 新（東京都市大）・ザデ ダリューシュ・角嶋邦之・岩井 洋（東工大）・野平博司（東京都市大） SDM2011-106 |
我々はHF，自然酸化，(NH4)2S，またはHMDS(Hexamethydisilazane)という表面処理がIn0.5... [more] | SDM2011-106 pp.53-58 |
| SDM | 2011-10-21 11:15 |
宮城 | 東北大学未来研 | 混晶化によるPtSiのコンタクト抵抗低減に関する検討 ○大見俊一郎（東工大） SDM2011-107 |
[more] | SDM2011-107 pp.59-62 |
| SDM | 2011-10-21 11:40 |
宮城 | 東北大学未来研 | Effect of peripheral region on the electrical properties of pentacene-based organic field-effect transistors with HfON gate insulator ○Min Liao・Hiroshi Ishiwara・Shun-ichiro Ohmi（Tokyo Inst. of Tech.） SDM2011-108 |
[more] | SDM2011-108 pp.63-66 |
| SDM | 2011-10-21 13:10 |
宮城 | 東北大学未来研 | ［招待講演］実験融合マルチレベルコンピュータ化学手法の開発とシリコン材料・デバイスへの応用 ○宮本 明・南雲 亮・三浦隆治・鈴木 愛・坪井秀行・畠山 望・高羽洋充・小澤純夫（東北大） SDM2011-109 |
コンピュータの進歩とともに、永年実験的研究が主体であったもの造りの分野でも、新しい化学、コンピュータ化学が生まれてきてい... [more] | SDM2011-109 pp.67-72 |
| SDM | 2011-10-21 14:00 |
宮城 | 東北大学未来研 | ［招待講演］物理的プラズマダメージによるMOSFETバラツキ増大予測のための包括モデル ○江利口浩二・中久保義則・松田朝彦・鷹尾祥典・斧 高一（京大） SDM2011-110 |
プロセスプラズマからのイオン衝撃による物理的プラズマダメージが，デバイス特性に及ぼす影響について詳細に考察した．イオンの... [more] | SDM2011-110 pp.73-78 |
| SDM | 2011-10-21 14:50 |
宮城 | 東北大学未来研 | 電気的手法を用いた物理的Si基板ダメージのプラズマプロセス依存性の検討 ○中久保義則・江利口浩二・松田朝彦・鷹尾祥典・斧 高一（京大） SDM2011-111 |
プラズマプロセス中に形成される物理的Si基板ダメージを電流電圧特性及び電気容量特性により評価した。大気暴露による表面酸化... [more] | SDM2011-111 pp.79-84 |
| SDM | 2011-10-21 15:25 |
宮城 | 東北大学未来研 | 高純度有機金属ガス供給システムに関する研究 ○山下 哲・石井秀和・志波良信・北野真史・白井泰雪・須川成利・大見忠弘（東北大） SDM2011-112 |
半導体製造プロセスにおいてプロセスガスの流量制御は基板表面におけるガス組成やチャンバ圧力を決定する重要なファクターである... [more] | SDM2011-112 pp.85-90 |
| SDM | 2011-10-21 15:50 |
宮城 | 東北大学未来研 | TSVを用いた3次元FPGAの性能評価 ○宮本直人（東北大）・松本洋平（東京海洋大）・小池汎平（産総研）・松村忠幸・長田健一・中川八穂子（超先端電子技術開発機構）・大見忠弘（東北大） SDM2011-113 |
近年，微細化に替わる集積化技術の１つとして３次元積層技術の研究が盛んに行われている．中でも規則的構造を持つリコンフィギュ... [more] | SDM2011-113 pp.91-96 |
| SDM | 2011-10-21 16:15 |
宮城 | 東北大学未来研 | 高精密三次元実装にむけた、アルカリエッチングによるシリコン貫通電極形成技術 ○吉川和博（プレテックAT）・吉田達朗・添田一喜・平塚亮輔・大見忠弘（東北大） SDM2011-114 |
[more] | SDM2011-114 pp.97-100 |
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