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シリコン材料・デバイス研究会 (SDM) (検索条件: 2015年度)
「from:2015-10-29 to:2015-10-29」による検索結果
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2015-10-29 14:00 |
宮城 | 東北大学未来研 | ［招待講演］イオン注入技術の現状と課題 ○中島良樹・濱本成顕・酒井滋樹・おの田 博（日新イオン機器）  SDM2015-71 |
[more] | SDM2015-71 pp.1-6 |
| SDM | 2015-10-29 14:50 |
宮城 | 東北大学未来研 | Ar/H2混合ガス熱処理によるSi表面平坦化プロセスの検討 ○工藤聡也・大見俊一郎（東工大） SDM2015-72 |
超高純度Arを用いた高清浄雰囲気における熱処理により、Si表面を原子レベルで平坦化できることが報告されている。本研究では... [more] | SDM2015-72 pp.7-12 |
| SDM | 2015-10-29 15:20 |
宮城 | 東北大学未来研 | Xe/H2プラズマを用いたシリコン基板表面の低温平坦化技術 ○諏訪智之・寺本章伸・後藤哲也・平山昌樹・須川成利・大見忠弘（東北大） SDM2015-73 |
MOSデバイスにおいてゲート絶縁膜とシリコンの界面の平坦性は，デイバス性能および動作信頼性に大きく影響する．近年開発が盛... [more] | SDM2015-73 pp.13-16 |
| SDM | 2015-10-29 16:00 |
宮城 | 東北大学未来研 | 原子オーダー平坦なゲート絶縁膜/シリコン界面を導入したMOSFETの電気的特性 ○後藤哲也・黒田理人・諏訪智之・寺本章伸・小原俊樹・木本大幾・須川成利（東北大）・鎌田 浩・熊谷勇喜・渋沢勝彦（ラピスセミコンダクタ宮城） SDM2015-74 |
シリコン表面原子オーダー平坦化技術を，テクノロジーノード0.22umのshallow trench isolation ... [more] | SDM2015-74 pp.17-22 |
| SDM | 2015-10-29 16:30 |
宮城 | 東北大学未来研 | ［招待講演］フラッシュメモリとCMOSロジックの近接混載技術による低消費電力・高速FPGA ○財津光一郎・辰村光介・松本麻里・小田聖翔・安田心一（東芝） SDM2015-75 |
従来のFPGAではメモリとしてSRAMが用いられてきたが，これを不揮発メモリであるフラッシュメモリで置き換えることにより... [more] | SDM2015-75 pp.23-28 |
| SDM | 2015-10-30 09:30 |
宮城 | 東北大学未来研 | ［招待講演］マイクロ波励起プラズマによる立体構造体への等方均一注入技術 ○上田博一（TEL TDC）・ピーター ベントゼック（TEL AMERICA）・岡 正浩・小林勇気・杉本靖広・川上 聡（TEL TDC） SDM2015-76 |
Si FIN 構造体へのコンフォーマル砒素ドーピング形成をRLSATMマイクロ波プラズマと650～850度程度の低温熱処... [more] | SDM2015-76 pp.29-33 |
| SDM | 2015-10-30 10:20 |
宮城 | 東北大学未来研 | トンネル電流・拡散電流併用MOSFETのデバイスシミュレーション検討 ○古川貴一・寺本章伸・黒田理人・諏訪智之・橋本圭市・小尻尚志・須川成利（東北大） SDM2015-77 |
[more] | SDM2015-77 pp.35-40 |
| SDM | 2015-10-30 10:50 |
宮城 | 東北大学未来研 | 酸素ラジカル処理を用いた強誘電体BiFeO3薄膜の形成技術 ○今泉文伸・後藤哲也・寺本章伸・須川成利（東北大） SDM2015-78 |
将来の強誘電体メモリ、センサー、太陽電池に有効であるBiFeO3 (BFO)薄膜を、スパッタリングと酸素ラジカル処理を組... [more] | SDM2015-78 pp.41-44 |
| SDM | 2015-10-30 13:00 |
宮城 | 東北大学未来研 | ［招待講演］大画面シート型ディスプレイ実現に向けたディスプレイ材料・プロセス技術 ○藤崎好英（NHK） SDM2015-79 |
高臨場感放送メディアの進展,スマートフォンなど情報端末の急速な普及に伴い,いつでもどこでも高品質な映像コンテンツを視聴で... [more] | SDM2015-79 pp.45-48 |
| SDM | 2015-10-30 13:50 |
宮城 | 東北大学未来研 | HfO2をゲート絶縁膜に用いたペンタセンOFETのデバイス特性に関する検討 ○前田康貴・劉 野原・大見俊一郎（東工大） SDM2015-80 |
p型有機半導体として広く知られているペンタセンは下層材料や堆積温度により、グレインの形状が大きく変化することが報告されて... [more] | SDM2015-80 pp.49-52 |
| SDM | 2015-10-30 14:30 |
宮城 | 東北大学未来研 | 窒素添加LaB6ターゲットによる低仕事関数LaB6スパッタ薄膜の形成 ○石井秀和（東北大）・高橋健太郎（住友大阪セメント）・後藤哲也・須川成利・大見忠弘（東北大） SDM2015-81 |
LaB6薄膜をマグネトロンスパッタ法で形成し，その仕事関数を評価した．LaB6薄膜の仕事関数は，LaB6ターゲット中の窒... [more] | SDM2015-81 pp.53-56 |
| SDM | 2015-10-30 15:00 |
宮城 | 東北大学未来研 | Investigation of stacked HfN gate insulator formed by ECR plasma sputtering ○Nithi Atthi・Shun-ichiro Ohmi（Tokyo Tech） SDM2015-82 |
[more] | SDM2015-82 pp.57-62 |
| SDM | 2015-10-30 15:30 |
宮城 | 東北大学未来研 | 高精度ガス制御器を用いたAl2O3のALD成膜におけるプロセス温度の検討 ○杉田久哉・幸田安真・諏訪智之・黒田理人・後藤哲也・石井秀和（東北大）・山下 哲（フジキン）・寺本章伸・須川成利・大見忠弘（東北大） SDM2015-83 |
[more] | SDM2015-83 pp.63-68 |
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