7月24日(金) 午後  13:15 - 14:55
(1)	13:15-13:40	N極性p形GaNショットキー接触の電気的特性の評価 ED2015-36	○青木俊周（福井大）・谷川智之・片山竜二・松岡隆志（東北大）・塩島謙次（福井大）
(2)	13:40-14:05	n-GaN自立基板の劈開面に形成したショットキーダイオードの評価 ED2015-37	○永縄　萌・青木俊周（福井大）・三島友義（法政大）・塩島謙次（福井大）
(3)	14:05-14:30	リセスゲートAlGaN/GaN-HEMT向け低ダメージドライエッチング ED2015-38	○美濃浦優一・岡本直哉・多木俊裕・尾崎史朗・牧山剛三・鎌田陽一・渡部慶二（富士通研）
(4)	14:30-14:55	AlN/AlGaN/GaN金属-絶縁体-半導体デバイスにおける低周波ノイズ ED2015-39	○鈴木寿一・Son Phuong Le・Tuan Quy Nguyen・Hong-An Shih（北陸先端大）
	14:55-15:10	休憩　（ 15分 ）
7月24日(金) 午後  15:10 - 16:25
(5)	15:10-15:35	X線光電子分光法によるSiO2/β-Ga2O3界面のバンドアライメント評価 ED2015-40	○小西敬太・上村崇史・ワン マンホイ（NICT）・佐々木公平・倉又朗人・山腰茂伸（タムラ製作所）・東脇正高（NICT）
(6)	15:35-16:00	SiC MOSFET特性の基板不純物濃度依存性 ED2015-41	○矢野裕司（奈良先端大/筑波大）・結城広登・冬木　隆（奈良先端大）
(7)	16:00-16:25	有機強誘電体を用いたMFS型ダイヤモンドFETの形成 ED2015-42	柄谷涼太・古市浩幹（金沢大）・中嶋宇史（東京理科大）・徳田規夫・○川江　健（金沢大）
7月25日(土) 午前  10:15 - 11:55
(8)	10:15-10:40	In-plane electrical properties of MnAs/InAs/GaAs(111)B heterostructures ED2015-43	○Md Earul Islam・Cong Thanh Nguyen・Masashi Akabori（JAIST）
(9)	10:40-11:05	再成長ソース・ドレインを有するマルチゲートMOSFETの作製プロセス ED2015-44	○木下治紀・祢津誠晃・三嶋裕一・金澤　徹・宮本恭幸（東工大）
(10)	11:05-11:30	AlInSbステップバッファ層を用いたInSb量子井戸歪緩和構造の電子輸送特性 ED2015-45	○竹鶴達哉・藤川紗千恵・原田義彬・鈴木浩基・磯野恭佑・加藤三四郎・辻　大介・藤代博記（東京理科大）
(11)	11:30-11:55	共鳴トンネル素子を用いたΔΣ型歪みセンサ ED2015-46	○前澤宏一・角谷祐一郎・中山大周・田近拓巳・森　雅之（富山大）

Last modified: 2015-06-05 19:42:09