1月14日(水) 午後  13:00 - 16:40
(1)	13:00-13:25	60GHz帯セクタ切替アンテナ用マルチポートスイッチの開発	○北沢祥一・三浦　周・大平昌敬・阿野　進・上羽正純（ATR）
(2)	13:25-13:50	24GHz1V動作擬似縦積み型ミキサ回路 ED2008-198 MW2008-163	○白水信弘・増田　徹・中村宝弘・鷲尾勝由（日立）
(3)	13:50-14:15	フリップチップ実装を用いたミリ波帯ディスクリートミクサ ED2008-199 MW2008-164	○川上憲司・鈴木拓也・金谷　康・北村洋一・檜枝護重（三菱電機）
	14:15-14:25	休憩　（ 10分 ）
(4)	14:25-14:50	出力容量を考慮した回路設計による増幅器の広帯域化 ED2008-200 MW2008-165	○桑田英悟・山中宏治・桐越　祐・井上　晃・宮崎守泰（三菱電機）
(5)	14:50-15:15	V帯第8次高調波Push-Push発振器の基礎検討 ED2008-201 MW2008-166	○川崎健吾・田中高行・相川正義（佐賀大）
	15:15-15:25	休憩　（ 10分 ）
(6)	15:25-15:50	GaNナチュラルスーパージャンクションダイオード ED2008-202 MW2008-167	○石田秀俊・柴田大輔・松尾尚慶・柳原　学・上本康裕・上田哲三・田中　毅・上田大助（パナソニック）
(7)	15:50-16:15	逆導通GaN FETの特性評価 ED2008-203 MW2008-168	○町田　修・金子信男・馬場良平・猪澤道能・岩上信一・柳原将貴・後藤博一・岩渕昭夫（サンケン電気）
(8)	16:15-16:40	高耐圧GaN-HEMTの無電極ランプ照明回路への応用 ED2008-204 MW2008-169	○齋藤　渉（東芝）・土門知一（東芝ビジネスアンドライフサービス）・大村一郎・新田智洋・垣内頼人・齋藤泰伸・津田邦男・山口正一（東芝）
1月15日(木) 午前  09:30 - 16:40
(9)	09:30-09:55	電子レンジ庫内に置かれた被加熱物質の温度分布解析 ～ 温度に対する誘電率変化を考慮した場合 ～ ED2008-205 MW2008-170	○柄川雅樹・渡邊慎也・橋本　修（青学大）
(10)	09:55-10:20	コンポジット並列共振器を用いた有極帯形帯域通過フィルタの阻止域特性改善 ED2008-206 MW2008-171	○兎澤孝典・馬　哲旺（埼玉大）・陳　春平・穴田哲夫（神奈川大）・小林禧夫（埼玉大）
(11)	10:20-10:45	マイクロストリップパラレル結合デュアルモードリング共振器の特性解析およびフィルタ設計への応用 ED2008-207 MW2008-172	○佐々木英行・馬　哲旺（埼玉大）・陳　春平・穴田哲夫（神奈川大）・小林禧夫（埼玉大）
	10:45-10:55	休憩　（ 10分 ）
(12)	10:55-11:20	固体プラズマを挿入したサブミリ波帯結合線路の非可逆伝搬特性 ED2008-208 MW2008-173	○丸山　契・小武内哲雄・淀川信一・高坂　諭（秋田大）
(13)	11:20-11:45	高抵抗シリコン基板上低損失コプレーナ線路の構造 ED2008-209 MW2008-174	○槇田毅彦・玉井　功・星　真一・関　昇平（OKI）
	11:45-13:00	休憩　（ 75分 ）
(14)	13:00-13:25	GaAs方向性結合器付き検波回路の検討 ED2008-210 MW2008-175	○山本和也・久留須　整・宮下美代・鈴木　敏・小川喜之・中山正敏（三菱電機）
(15)	13:25-13:50	InGaAsチャネルHEMTの寄生ゲート遅延に及ぼすゲート電極構造の影響 ED2008-211 MW2008-176	○堀池恒平・福田俊介・赤川啓介・末光哲也・尾辻泰一（東北大）
(16)	13:50-14:15	超薄層ベースInP系HBTにおけるGraded Baseによるベース走行時間短縮 ED2008-212 MW2008-177	○上澤岳史・山田真之・宮本恭幸・古屋一仁（東工大）
	14:15-14:25	休憩　（ 10分 ）
(17)	14:25-14:50	43 Gbit/s DQPSK光受信器用2チャンネルInP HBT差動利得制御トランスインピーダンス増幅器IC ED2008-213 MW2008-178	○福山裕之・伊藤敏洋・古田知史・栗島賢二・徳光雅美・村田浩一（NTT）
(18)	14:50-15:15	ミリ波集積回路用InP系HEMTの高周波・低雑音特性 ED2008-214 MW2008-179	○渡邊一世・遠藤　聡（NICT）・三村高志（NICT/富士通研）・松井敏明（NICT）
	15:15-15:25	休憩　（ 10分 ）
(19)	15:25-15:50	同軸線路給電L字形一次放射器を用いたミリ波平面アンテナの特性 ED2008-215 MW2008-180	○沖横田　誠・中村元紀・黒木太司（呉高専）
(20)	15:50-16:15	ミリ波帯両面金属装荷トリプレート伝送線路の実験的検討 ED2008-216 MW2008-181	○田丸了次・黒木太司（呉高専）
(21)	16:15-16:40	2008年日中合同マイクロ波会議出席報告 ED2008-217 MW2008-182	○黒木太司（呉高専）
1月16日(金) 午前  09:30 - 12:10
(22)	09:30-09:55	C帯超300W、50%GaN高出力・高効率増幅器 ED2008-218 MW2008-183	○重松寿生・井上雄介・増田　哲・山田全男・金村雅仁・多木俊裕・牧山剛三・岡本直哉・今西健治・吉川俊英・常信和清・原　直紀（富士通研）
(23)	09:55-10:20	AlGaN/GaN MIS-HEMTの低温DC・RF特性に関する温度依存性 ED2008-219 MW2008-184	○遠藤　聡・渡邊一世・山下良美（NICT）・三村高志（NICT/富士通研）・松井敏明（NICT）
(24)	10:20-10:45	In-situ SiNをゲート絶縁膜に用いたAlGaN/GaN MIS-HFET ED2008-220 MW2008-185	○黒田正行・村田智洋・中澤敏志・瀧澤俊幸・西嶋将明・柳原　学・上田哲三・田中　毅（パナソニック）
	10:45-10:55	休憩　（ 10分 ）
(25)	10:55-11:20	ミリ波向け高耐圧・高出力GaN-HEMT ED2008-221 MW2008-186	○牧山剛三・多木俊裕・金村雅仁・常信和清・今西健治（富士通/富士通研）・原　直紀（富士通研）・吉川俊英（富士通/富士通研）
(26)	11:20-11:45	ダイオードリニアライザによる高効率F級GaN HEMT電力増幅器のひずみ補償 ED2008-222 MW2008-187	○安藤晃洋・高山洋一郎・吉田　剛・石川　亮・本城和彦（電通大）
(27)	11:45-12:10	ナノ細線チャネルを利用した台形ゲートAlGaN/GaN HEMT ED2008-223 MW2008-188	○大井幸多・橋詰　保（北大）

問合先と今後の予定
ED	電子デバイス研究会（ED）   [今後の予定はこちら]
	問合先	村田 浩一（NTT) TEL：046-240-2871、FAX：046-270-2872 E-： aecl 原 直紀 （富士通研究所） TEL : 046-250-8242、FAX : 046-250-8168 E- : o 津田 邦男（東芝） TEL : 044-549-2142、FAX : 044-520-1501 E- : oba
MW	マイクロ波研究会（MW）   [今後の予定はこちら]
	問合先	張 陽軍 (龍谷大学) TEL:077-543-7495, ext.:2495 FAX:077-543-7428 E-:zngnsr もしくは 中山正敏（三菱電機） E-:NaMacbMibiElectc

Last modified: 2008-11-14 18:51:12