4月22日(木) 午前  低電力SRAM/DRAM 09:00 - 12:30
(1)	09:00-09:50	［招待講演］SRAMの技術動向と定負電位書込み回路を用いた32nm 0.149μm2セル低電圧コンフィギュラブルSRAM ICD2010-1	○藤村勇樹・平林　修・佐々木貴彦・鈴木　東・川澄　篤・武山泰久・櫛田桂一・深野　剛・片山　明・仁木祐介・矢部友章（東芝）
(2)	09:50-10:40	［招待講演］回路およびデバイス工夫による極低電圧動作SRAMの実現 ～ 非対称MOSFETおよびフォワードボディーバイアス技術を用いた0.5V 100MHz PD-SOI SRAMの開発 ～ ICD2010-2	○新居浩二・薮内　誠・塚本康正・平野有一・岩松俊明・木原雄治（ルネサス エレクトロニクス）
	10:40-10:50	休憩　（ 10分 ）
(3)	10:50-11:15	[依頼講演] 負バイアス回路で動作マージンを改善したクロスポイント8T-SRAM ICD2010-3	○薮内　誠・新居浩二・塚本康正・中瀬泰伸・篠原尋史（ルネサス エレクトロニクス）
(4)	11:15-11:40	直列レプリカビット線技術を使用した40nm低電力SRAM ICD2010-4	○小松成亘・山岡雅直（日立）・森本薫夫・前田徳章・島崎靖久（ルネサステクノロジ）・長田健一（日立）
(5)	11:40-12:05	しきい値電圧自己調整機能による60%スタティック・ノイズ・マージン(SNM)増加, 32%アクティブ電力削減, 42%リーク電流削減の強誘電体FETを使用した6T-SRAM ICD2010-5	○田中丸周平・畑中輝義・矢島亮児（東大）・高橋光恵・酒井滋樹（産総研）・竹内　健（東大）
(6)	12:05-12:30	0.5 V DRAMアレイ向け低しきい値CMOSプリアンプ ICD2010-6	○小田部　晃・柳川善光・秋山　悟・関口知紀（日立）
	12:30-13:30	昼食　（ 60分 ）
4月22日(木) 午後  新材料メモリ 13:30 - 17:50
(7)	13:30-14:20	［招待講演］MRAMの最新動向とクランプ参照方式と最適参照方式を搭載した64メガビットMRAM ICD2010-7	○土田賢二・稲場恒夫・藤田勝之・上田善寛・清水孝文・浅尾吉昭・梶山　健・岩山昌由・池川純夫・岸　達也・甲斐　正・天野　実・下村尚治・與田博明・渡辺陽二（東芝）
(8)	14:20-15:10	［招待講演］Chain FeRAM技術概要とScalingに適したShield-Bitline-Overdrive技術 ICD2010-8	○高島大三郎・滋賀秀裕・橋本大輔・宮川　正・尾崎　徹・金谷宏行・首藤　晋・山川晃司・國島　巌（東芝）
	15:10-15:20	休憩　（ 10分 ）
(9)	15:20-15:45	[依頼講演] Fabrication of a Nonvolatile Lookup-Table Circuit Chip Using Magneto/Semiconductor-Hybrid Structure for an Immediate-Power-Up Field Programmable Gate Array ICD2010-9	○鈴木大輔・夏井雅典・池田正二（東北大）・長谷川晴弘（日立）・三浦勝哉（東北大/日立）・早川　純（日立）・遠藤哲郎・大野英男・羽生貴弘（東北大）
(10)	15:45-16:10	[依頼講演] 双方向ローカルライトドライバ，1/0平均化リファレンスセル，2T1Rセルレイアウトを用いた32Mb SPRAM ICD2010-10	○竹村理一郎・河原尊之（日立）・三浦勝哉・山本浩之（日立/東北大）・早川　純・松崎　望・小埜和夫・山ノ内路彦・伊藤顕知・高橋宏昌（日立）・池田正二（東北大）・長谷川晴弘・松岡秀行（日立）・大野英男（東北大）
	16:10-16:20	休憩　（ 10分 ）
(11)	16:20-17:50	パネル討論：エマージングメモリ最前線 オーガナイザ 宮野 信治 氏（STARC） パネリスト： FERAM 高島 大三郎 氏（東芝）、 SPRAM 竹村 理一郎 氏（日立）、 RRAM 秋永 広幸 氏（産総研）、 Fe-NAND 竹内 健 先生（東大）、 SRAMの課題 新居 浩二 氏（ルネサス） システムサイド 萩原 靖彦 氏（ＮＥＣ）、 パネル概要： 強誘電体、強磁性体、相変化膜、金属酸化膜などの新規材料を用いて、従来の半導体メモリの代替をねらう、あるいは新しい応用を目指すエマージングメモリの開発は着実に進められ、その開発のスピードは年々上がってきている。 最近では、1Gbitクラスの集積度を狙ったエマージングメモリの技術開発成果が学会等で発表されるようになってきた。本分野の最新動向について、材料、デバイス、回路に渡る技術課題について議論する。
4月23日(金) 午前  フラッシュメモリ 09:30 - 11:10
(12)	09:30-09:55	[依頼講演] データセンター用SSD向けFerroelectric(Fe)-NANDフラッシュメモリと不揮発性ページバッファ ICD2010-11	○畑中輝義・矢島亮児（東大）・堀内健史・Shouyu Wang・Xizhen Zhang・高橋光恵・酒井滋樹（産総研）・竹内　健（東大）
(13)	09:55-10:20	[依頼講演] Multi-stacked 1G cell/layer Pipe-shaped BiCS Flash Memory ICD2010-12	○前田高志・板垣清太郎・菱田智雄・勝又竜太・鬼頭　傑・福住嘉晃・木藤　大・田中啓安・小森陽介・石月　恵・松並絢也・藤原友子・青地英明・岩田佳久・渡辺陽二（東芝）
(14)	10:20-10:45	積層型NAND FeRAMの設計法 ICD2010-13	○菅野孝一・渡辺重佳（湘南工科大）
(15)	10:45-11:10	積層型NOR MRAMの検討 ICD2010-14	○玉井翔人・渡辺重佳（湘南工科大）
	11:10-11:25	休憩　（ 15分 ）
4月23日(金) 午前  高速メモリIF 11:25 - 12:15
(16)	11:25-12:15	［招待講演］高速メモリインターフェース ～ DDR/GDDR-DRAM ～ ICD2010-15	○高井康浩（エルピーダメモリ）
	12:15-13:45	昼食　（ 90分 ）
4月23日(金) 午後  非接触メモリインターフェース 13:45 - 16:30
(17)	13:45-14:35	［招待講演］3次元集積化のための積層チップ間非接触インターフェース ICD2010-16	○石黒仁揮・黒田忠広（慶大）
(18)	14:35-15:00	[依頼講演]非接触メモリカードのための2.5Gb/s/ch 4PAM誘導結合送受信機 ICD2010-17	○竹　康宏・川井秀介・石黒仁揮・黒田忠広（慶大）
	15:00-15:15	休憩　（ 15分 ）
(19)	15:15-15:40	[依頼講演]65nm CMOS GPU-0.1um DRAM間8Tb/s 1pJ/b 0.8mm2/Tb/s QDR誘導結合インタフェース ICD2010-18	○三浦典之・春日一貴・齊藤美都子・黒田忠広（慶大）
(20)	15:40-16:05	[依頼講演]2Gb/s 1.8pJ/b/chip 128NANDフラッシュメモリチップ積層用誘導結合インタフェース ICD2010-19	○齊藤美都子・三浦典之・黒田忠広（慶大）
(21)	16:05-16:30	[依頼講演]Digital Rosetta Stone: A Sealed Permanent Memory with Inductive-Coupling Power and Data Link ICD2010-20	○Yuxiang Yuan・Noriyuki Miura（Keio Univ.）・Shigeki Imai（Sharp）・Hiroyuki Ochi（Kyoto Univ.）・Tadahiro Kuroda（Keio Univ.）

問合先と今後の予定
ICD	集積回路研究会（ICD）   [今後の予定はこちら]
	問合先	鈴木 弘明（ルネサス） TEL 072-787-2335 E-:as
	お知らせ	◎１日目のパネル討論終了後に懇親会を企画しますので、併せてご予定下さい。

Last modified: 2010-04-08 19:19:35