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シリコン材料・デバイス研究会（SDM）

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専門委員長		遠藤哲郎 (東北大)
副委員長		奈良安雄 (富士通セミコンダクター)
幹事		小野行徳 (NTT)，野村晋太郎 (筑波大)
幹事補佐		笹子佳孝 (日立)

日時	2011年10月20日(木)　13:30 - 17:40 2011年10月21日(金)　09:00 - 16:40
議題	プロセス科学と新プロセス技術
会場名	東北大学未来科学技術共同研究センター未来情報産業研究館
住所	〒980-8579 宮城県仙台市青葉区荒巻字青葉6-6-10 東北大学未来情報産業研究館
交通案内	http://www.fff.niche.tohoku.ac.jp/
会場世話人連絡先	未来科学技術共同研究センター後藤哲也 022-795-3977
著作権について	以下の論文すべての著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)

10月20日(木) 午後 13:30 - 17:40
(1)	13:30-14:20	［招待講演］完全空乏型SOI MOSFETにおける特性ばらつきとランダムテレグラフノイズ SDM2011-97	○平本俊郎（東大）
(2)	14:20-14:45	埋め込み構造によるMOSFETにおけるランダム・テレグラフ・ノイズの低減 SDM2011-98	○鈴木裕彌・黒田理人・寺本章伸・米澤彰浩・松岡弘章・中澤泰希・阿部健一・須川成利・大見忠弘（東北大）
(3)	14:45-15:10	異常Stress Induced Leakage Currentの発生・回復特性の統計的評価 SDM2011-99	○稲塚卓也・熊谷勇喜・黒田理人・寺本章伸・須川成利・大見忠弘（東北大）
	15:10-15:20	休憩　（ 10分）
(4)	15:20-15:45	Effect of Si surface roughness on electrical characteristics of HfON gate insulator SDM2011-100	○Dae-Hee Han・Shun-ichiro Ohmi（Tokyo Inst. of Tech.）
(5)	15:45-16:10	ラジカル反応ベース絶縁膜形成プロセスにおける界面平坦化効果と絶縁膜破壊特性との関係 SDM2011-101	○黒田理人・寺本章伸・李　翔・諏訪智之・須川成利・大見忠弘（東北大）
(6)	16:10-17:40	［特別講演］学問に基づいた本物のシリコン産業技術の創出 SDM2011-102	○大見忠弘（東北大）
	17:40-18:00	休憩　（ 20分）
	18:00-20:00	懇親会　（ 120分）
10月21日(金) 午前 09:00 - 16:40
(7)	09:00-09:50	［招待講演］角度分解硬X線光電子分光法によるHfO2/Si/歪みGe/SiGe構造の評価 SDM2011-103	○野平博司・小松　新・那須賢太郎・星　裕介・榑林　徹・澤野憲太郎（東京都市大）・マクシムミロノフ（Warwick大）・白木靖寛（東京都市大）
(8)	09:50-10:15	32nmノードCMOSFETのチャネルひずみ評価 SDM2011-104	○武井宗久・橋口裕樹・山口拓也・小瀬村大亮（明大）・永田晃基（明大/学振）・小椋厚志（明大）
(9)	10:15-10:40	SiO2/Si界面における構造遷移層の酸化手法依存性 SDM2011-105	○諏訪智之・熊谷勇喜・寺本章伸（東北大）・木下豊彦・室隆桂之（高輝度光科学研究センター）・服部健雄・大見忠弘（東北大）
	10:40-10:50	休憩　（ 10分）
(10)	10:50-11:15	AR-XPSによる種々の表面処理したIn0.53Ga0.47As表面の化学結合状態の評価 SDM2011-106	○沼尻侑也・山下晃司・小松　新（東京都市大）・ザデダリューシュ・角嶋邦之・岩井　洋（東工大）・野平博司（東京都市大）
(11)	11:15-11:40	混晶化によるPtSiのコンタクト抵抗低減に関する検討 SDM2011-107	○大見俊一郎（東工大）
(12)	11:40-12:05	Effect of peripheral region on the electrical properties of pentacene-based organic field-effect transistors with HfON gate insulator SDM2011-108	○Min Liao・Hiroshi Ishiwara・Shun-ichiro Ohmi（Tokyo Inst. of Tech.）
	12:05-13:10	昼食　（ 65分）
(13)	13:10-14:00	［招待講演］実験融合マルチレベルコンピュータ化学手法の開発とシリコン材料・デバイスへの応用 SDM2011-109	○宮本　明・南雲　亮・三浦隆治・鈴木　愛・坪井秀行・畠山　望・高羽洋充・小澤純夫（東北大）
(14)	14:00-14:50	［招待講演］物理的プラズマダメージによるMOSFETバラツキ増大予測のための包括モデル SDM2011-110	○江利口浩二・中久保義則・松田朝彦・鷹尾祥典・斧　高一（京大）
(15)	14:50-15:15	電気的手法を用いた物理的Si基板ダメージのプラズマプロセス依存性の検討 SDM2011-111	○中久保義則・江利口浩二・松田朝彦・鷹尾祥典・斧　高一（京大）
	15:15-15:25	休憩　（ 10分）
(16)	15:25-15:50	高純度有機金属ガス供給システムに関する研究 SDM2011-112	○山下　哲・石井秀和・志波良信・北野真史・白井泰雪・須川成利・大見忠弘（東北大）
(17)	15:50-16:15	TSVを用いた3次元FPGAの性能評価 SDM2011-113	○宮本直人（東北大）・松本洋平（東京海洋大）・小池汎平（産総研）・松村忠幸・長田健一・中川八穂子（超先端電子技術開発機構）・大見忠弘（東北大）
(18)	16:15-16:40	高精密三次元実装にむけた、アルカリエッチングによるシリコン貫通電極形成技術 SDM2011-114	○吉川和博（プレテックAT）・吉田達朗・添田一喜・平塚亮輔・大見忠弘（東北大）

講演時間
一般講演（25）	発表 20 分＋質疑応答 5 分
招待講演（50）	発表 40 分＋質疑応答 10 分
特別講演（90）	発表 80 分＋質疑応答 10 分

問合先と今後の予定
SDM	シリコン材料・デバイス研究会（SDM） [今後の予定はこちら]
	問合先	小野行徳(NTT) Tel 046-240-2641 Fax 046-240-4317 E-: o