10月29日(木) 午後  14:00 - 17:20
(1)	14:00-14:50	［招待講演］イオン注入技術の現状と課題 SDM2015-71	○中島良樹・濱本成顕・酒井滋樹・おの田　博（日新イオン機器）
(2)	14:50-15:20	Ar/H2混合ガス熱処理によるSi表面平坦化プロセスの検討 SDM2015-72	○工藤聡也・大見俊一郎（東工大）
(3)	15:20-15:50	Xe/H2プラズマを用いたシリコン基板表面の低温平坦化技術 SDM2015-73	○諏訪智之・寺本章伸・後藤哲也・平山昌樹・須川成利・大見忠弘（東北大）
	15:50-16:00	休憩　（ 10分 ）
(4)	16:00-16:30	Electrical Properties of MOSFETs Introducing Atomically Flat Gate Insulator/Silicon Interface SDM2015-74	○Tetsuya Goto・Rihito Kuroda・Tomoyuki Suwa・Akinobu Teramoto・Toshiki Obara・Daiki Kimoto・Shigetoshi Sugawa（Tohoku Univ.）・Yutaka Kamata・Yuki Kumagai・Katsuhiko Shibusawa（LAPIS Semi. Miyagi）
(5)	16:30-17:20	［招待講演］フラッシュメモリとCMOSロジックの近接混載技術による低消費電力・高速FPGA SDM2015-75	○財津光一郎・辰村光介・松本麻里・小田聖翔・安田心一（東芝）
10月29日(木) 午後  平成26年度シリコン材料・デバイス研究専門委員会若手優秀発表賞 表彰式 17:20 - 17:20
	17:50-19:30	懇親会　（ 100分 ）
10月30日(金) 午前  09:30 - 11:20
(6)	09:30-10:20	［招待講演］マイクロ波励起プラズマによる立体構造体への等方均一注入技術 SDM2015-76	○上田博一（TEL TDC）・ピーター ベントゼック（TEL AMERICA）・岡　正浩・小林勇気・杉本靖広・川上　聡（TEL TDC）
(7)	10:20-10:50	トンネル電流・拡散電流併用MOSFETのデバイスシミュレーション検討 SDM2015-77	○古川貴一・寺本章伸・黒田理人・諏訪智之・橋本圭市・小尻尚志・須川成利（東北大）
(8)	10:50-11:20	酸素ラジカル処理を用いた強誘電体BiFeO3薄膜の形成技術 SDM2015-78	○今泉文伸・後藤哲也・寺本章伸・須川成利（東北大）
	11:20-13:00	昼食　（ 100分 ）
10月30日(金) 午後  13:00 - 16:00
(9)	13:00-13:50	［招待講演］大画面シート型ディスプレイ実現に向けたディスプレイ材料・プロセス技術 SDM2015-79	○藤崎好英（NHK）
(10)	13:50-14:20	HfO2をゲート絶縁膜に用いたペンタセンOFETのデバイス特性に関する検討 SDM2015-80	○前田康貴・劉　野原・大見俊一郎（東工大）
	14:20-14:30	休憩　（ 10分 ）
(11)	14:30-15:00	窒素添加LaB6ターゲットによる低仕事関数LaB6スパッタ薄膜の形成 SDM2015-81	○石井秀和（東北大）・高橋健太郎（住友大阪セメント）・後藤哲也・須川成利・大見忠弘（東北大）
(12)	15:00-15:30	Investigation of stacked HfN gate insulator formed by ECR plasma sputtering SDM2015-82	○Nithi Atthi・Shun-ichiro Ohmi（Tokyo Tech）
(13)	15:30-16:00	高精度ガス制御器を用いたAl2O3のALD成膜におけるプロセス温度の検討 SDM2015-83	○杉田久哉・幸田安真・諏訪智之・黒田理人・後藤哲也・石井秀和（東北大）・山下　哲（フジキン）・寺本章伸・須川成利・大見忠弘（東北大）

問合先と今後の予定
SDM	シリコン材料・デバイス研究会（SDM）   [今後の予定はこちら]
	問合先	黒田 理人(東北大) Tel 022-795-4833 Fax 022-795-4835 E-: e3

Last modified: 2015-08-27 17:09:23