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シリコン材料・デバイス研究会 (SDM) (検索条件: 2014年度)
「from:2015-03-02 to:2015-03-02」による検索結果
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2015-03-02 10:05 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］単一分子の特性評価を目指したMEMSのバイオ応用 ○久米村百子・藤田博之（東大）  SDM2014-162 |
マイクロマシニングにより作製したMEMSデバイスは、フェムトリットルほどの微量の液体や一分子レベルの生体試料を取り扱うこ... [more] | SDM2014-162 pp.1-5 |
| SDM | 2015-03-02 10:35 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］性能スケーラビリティと機能フレキシビリティを実現する三次元FPGAのためのインテグレーション技術 ○武田健一・青木真由（日立） SDM2014-163 |
ハイブリッドウェハ接合とビアラスト型シリコン貫通ビア（TSV）を用いたCMOSデバイスのウェハ３層積層を実現した。このハ... [more] | SDM2014-163 pp.7-11 |
| SDM | 2015-03-02 11:05 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］チップ間光配線に向けた高密度・アサーマルシリコン光インターポーザ ○中村隆宏・賣野 豊（光電子融合基盤技研）・荒川泰彦（東大） SDM2014-164 |
[more] | SDM2014-164 pp.13-16 |
| SDM | 2015-03-02 11:35 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］エピタキシャル金属/ゲルマニウム接合の形成による界面電気伝導特性の制御 ○中塚 理・鄧 云生・鈴木陽洋・坂下満男・田岡紀之・財満鎭明（名大） SDM2014-165 |
省電力・高速Geデバイスの実現には、金属/Ge接合のコンタクト抵抗低減に向けた界面電子物性の制御が必要不可欠である。本研... [more] | SDM2014-165 pp.17-22 |
| SDM | 2015-03-02 13:05 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］双方向遷移モデルを用いた垂直磁化型STT-MRAMにおける熱安定性の面積依存性評価 ○角田浩司・青木正樹・能代英之・射場義久・吉田親子・山崎裕一・高橋 厚・畑田明良・中林正明・杉井寿博（超低電圧デバイス技研組合） SDM2014-166 |
STT-MRAMに用いられるトップピン型垂直磁気トンネル接合(MTJ)の熱安定性Δについて，メモリアレイのデータ保持特性... [more] | SDM2014-166 pp.23-28 |
| SDM | 2015-03-02 13:35 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］選択成長を用いたCNTビアのインテグレーション 磯林厚伸・和田 真・伊東 伴・斎藤達朗・西出大亮・石倉太志・片桐雅之・山崎雄一・松本貴士・北村政幸・渡邉勝仁・佐久間尚志・○梶田明広・酒井忠司（超低電圧デバイス技研組合） SDM2014-167 |
塗布型カーボン犠牲膜をCMPする技術と、ビアホール側面をシーリングする技術を用いて、高い選択性を有するCNTビア形成プロ... [more] | SDM2014-167 pp.29-32 |
| SDM | 2015-03-02 14:25 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］インターカレーションによる低抵抗多層グラフェン配線の実現 ○近藤大雄（産総研/富士通研）・中野美尚・周 波・井 亜希子（産総研）・林 賢二郎（産総研/富士通研）・高橋 誠（産総研）・佐藤信太郎・横山直樹（産総研/富士通研） |
[more] | |
| SDM | 2015-03-02 14:55 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］めっき銅薄膜配線マイグレーション耐性に及ぼす微細組織の影響 ○鈴木 研・加藤武瑠・三浦英生（東北大） SDM2014-168 |
電解めっき法で作製した銅薄膜配線には，バルク材料では認められない柱状組織や結晶欠陥密度の高い疎な粒界といった特有の微細組... [more] | SDM2014-168 pp.33-38 |
| SDM | 2015-03-02 15:25 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］CVD/ALDを用いたCu(Mn)/Co(W)配線システムの構築と3次元アトムプローブによるサブナノ構造・バリヤ性評価 ○嶋 紘平（東大）・ツ ユアン・韓 斌・高見澤 悠（東北大）・清水秀治（東大）・清水康雄（東北大）・百瀬 健（東大）・井上耕治・永井康介（東北大）・霜垣幸浩（東大） SDM2014-169 |
ULSI-Cu配線の微細化に伴う配線抵抗の増大及びエレクトロマイグレーションの問題を克服すべく、我々はこれまでに新規バリ... [more] | SDM2014-169 pp.39-44 |
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