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電子デバイス研究会 (ED) (検索条件: 2015年度)
「from:2015-07-24 to:2015-07-24」による検索結果
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ED | 2015-07-24 13:15 |
石川 | ITビジネスプラザ武蔵研修室1(金沢市武蔵町) | N極性p形GaNショットキー接触の電気的特性の評価 ○青木俊周（福井大）・谷川智之・片山竜二・松岡隆志（東北大）・塩島謙次（福井大）  ED2015-36 |
N極性p-GaNショットキー接触の電気的特性を、電流‐電圧（I-V）、容量‐電圧（C-V）、光応答（PR）測定を用いて評... [more] | ED2015-36 pp.1-4 |
| ED | 2015-07-24 13:40 |
石川 | ITビジネスプラザ武蔵研修室1(金沢市武蔵町) | n-GaN自立基板の劈開面に形成したショットキーダイオードの評価 ○永縄 萌・青木俊周（福井大）・三島友義（法政大）・塩島謙次（福井大） ED2015-37 |
[more] | ED2015-37 pp.5-8 |
| ED | 2015-07-24 14:05 |
石川 | ITビジネスプラザ武蔵研修室1(金沢市武蔵町) | リセスゲートAlGaN/GaN-HEMT向け低ダメージドライエッチング ○美濃浦優一・岡本直哉・多木俊裕・尾崎史朗・牧山剛三・鎌田陽一・渡部慶二（富士通研） ED2015-38 |
[more] | ED2015-38 pp.9-13 |
| ED | 2015-07-24 14:30 |
石川 | ITビジネスプラザ武蔵研修室1(金沢市武蔵町) | AlN/AlGaN/GaN金属-絶縁体-半導体デバイスにおける低周波ノイズ ○鈴木寿一・Son Phuong Le・Tuan Quy Nguyen・Hong-An Shih（北陸先端大） ED2015-39 |
[more] | ED2015-39 pp.15-20 |
| ED | 2015-07-24 15:10 |
石川 | ITビジネスプラザ武蔵研修室1(金沢市武蔵町) | X線光電子分光法によるSiO2/β-Ga2O3界面のバンドアライメント評価 ○小西敬太・上村崇史・ワン マンホイ（NICT）・佐々木公平・倉又朗人・山腰茂伸（タムラ製作所）・東脇正高（NICT） ED2015-40 |
[more] | ED2015-40 pp.21-24 |
| ED | 2015-07-24 15:35 |
石川 | ITビジネスプラザ武蔵研修室1(金沢市武蔵町) | SiC MOSFET特性の基板不純物濃度依存性 ○矢野裕司（奈良先端大/筑波大）・結城広登・冬木 隆（奈良先端大） ED2015-41 |
基板不純物濃度が異なるSi面4H-SiCに対し、ドライ酸化後にNOアニールまたはPOCl3アニールを行って界面特性を改善... [more] | ED2015-41 pp.25-29 |
| ED | 2015-07-24 16:00 |
石川 | ITビジネスプラザ武蔵研修室1(金沢市武蔵町) | 有機強誘電体を用いたMFS型ダイヤモンドFETの形成 柄谷涼太・古市浩幹（金沢大）・中嶋宇史（東京理科大）・徳田規夫・○川江 健（金沢大） ED2015-42 |
[more] | ED2015-42 pp.31-34 |
| ED | 2015-07-25 10:15 |
石川 | ITビジネスプラザ武蔵研修室1(金沢市武蔵町) | In-plane electrical properties of MnAs/InAs/GaAs(111)B heterostructures ○Md Earul Islam・Cong Thanh Nguyen・Masashi Akabori（JAIST） ED2015-43 |
[more] | ED2015-43 pp.35-38 |
| ED | 2015-07-25 10:40 |
石川 | ITビジネスプラザ武蔵研修室1(金沢市武蔵町) | 再成長ソース・ドレインを有するマルチゲートMOSFETの作製プロセス ○木下治紀・祢津誠晃・三嶋裕一・金澤 徹・宮本恭幸（東工大） ED2015-44 |
次世代の高速・低消費電力デバイスとしてInGaAsチャネルMOSFETが注目されている。さらなる性能向上を目指して、マル... [more] | ED2015-44 pp.39-44 |
| ED | 2015-07-25 11:05 |
石川 | ITビジネスプラザ武蔵研修室1(金沢市武蔵町) | AlInSbステップバッファ層を用いたInSb量子井戸歪緩和構造の電子輸送特性 ○竹鶴達哉・藤川紗千恵・原田義彬・鈴木浩基・磯野恭佑・加藤三四郎・辻 大介・藤代博記（東京理科大） ED2015-45 |
MBE法を用いて成長させたGaAs (100) 基板上InSb量子井戸構造の電子輸送特性向上のため、新たなAlInSbバ... [more] | ED2015-45 pp.45-49 |
| ED | 2015-07-25 11:30 |
石川 | ITビジネスプラザ武蔵研修室1(金沢市武蔵町) | 共鳴トンネル素子を用いたΔΣ型歪みセンサ ○前澤宏一・角谷祐一郎・中山大周・田近拓巳・森 雅之（富山大） ED2015-46 |
共鳴トンネルダイオード(RTD)の微分負性抵抗は発振器の基盤であり，これを用いてすでに1THzを越える基本波発振が報告さ... [more] | ED2015-46 pp.51-55 |
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