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集積回路研究会 (ICD) (検索条件: 2010年度)
「from:2010-04-22 to:2010-04-22」による検索結果
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ICD | 2010-04-22 09:00 |
神奈川 | 湘南工大 | ［招待講演］SRAMの技術動向と定負電位書込み回路を用いた32nm 0.149μm2セル低電圧コンフィギュラブルSRAM ○藤村勇樹・平林 修・佐々木貴彦・鈴木 東・川澄 篤・武山泰久・櫛田桂一・深野 剛・片山 明・仁木祐介・矢部友章（東芝）  ICD2010-1 |
本稿では、32nm High-k Metal Gate CMOSプロセスにて0.149μm2セルを用い開発した低電圧コン... [more] | ICD2010-1 pp.1-6 |
| ICD | 2010-04-22 09:50 |
神奈川 | 湘南工大 | ［招待講演］回路およびデバイス工夫による極低電圧動作SRAMの実現 ～ 非対称MOSFETおよびフォワードボディーバイアス技術を用いた0.5V 100MHz PD-SOI SRAMの開発 ～ ○新居浩二・薮内 誠・塚本康正・平野有一・岩松俊明・木原雄治（ルネサス エレクトロニクス） ICD2010-2 |
回路及びデバイス工夫により、0.5V極低電圧で動作可能なSRAMを開発した。微細化と共にSRAMの動作下限電圧(VCCm... [more] | ICD2010-2 pp.7-12 |
| ICD | 2010-04-22 10:50 |
神奈川 | 湘南工大 | [依頼講演] 負バイアス回路で動作マージンを改善したクロスポイント8T-SRAM ○薮内 誠・新居浩二・塚本康正・中瀬泰伸・篠原尋史（ルネサス エレクトロニクス） ICD2010-3 |
低電圧低電力動作可能な新しいクロスポイント8T-SRAMを開発した。 読み込み時、メモリセルのVSSを負電位にすること... [more] |
ICD2010-3 pp.13-16 |
| ICD | 2010-04-22 11:15 |
神奈川 | 湘南工大 | 直列レプリカビット線技術を使用した40nm低電力SRAM ○小松成亘・山岡雅直（日立）・森本薫夫・前田徳章・島崎靖久（ルネサステクノロジ）・長田健一（日立） ICD2010-4 |
微細化に伴うVth ばらつきの増加によって、SRAM のアクセス遅延が増加し問題となっている。センスアンプ起動タイミング... [more] | ICD2010-4 pp.17-21 |
| ICD | 2010-04-22 11:40 |
神奈川 | 湘南工大 | しきい値電圧自己調整機能による60%スタティック・ノイズ・マージン(SNM)増加, 32%アクティブ電力削減, 42%リーク電流削減の強誘電体FETを使用した6T-SRAM ○田中丸周平・畑中輝義・矢島亮児（東大）・高橋光恵・酒井滋樹（産総研）・竹内 健（東大） ICD2010-5 |
強誘電体トランジスタを使用した0.5V動作の6T-SRAMが提案され，実験的に実証された．提案のSRAMはNMOSの基板... [more] | ICD2010-5 pp.23-28 |
| ICD | 2010-04-22 12:05 |
神奈川 | 湘南工大 | 0.5 V DRAMアレイ向け低しきい値CMOSプリアンプ ○小田部 晃・柳川善光・秋山 悟・関口知紀（日立） ICD2010-6 |
低電力かつ高速な大容量DRAMアレイの実現に向け，低しきい値CMOSプリアンプを開発した。低しきい値CMOSプリアンプを... [more] | ICD2010-6 pp.29-33 |
| ICD | 2010-04-22 13:30 |
神奈川 | 湘南工大 | ［招待講演］MRAMの最新動向とクランプ参照方式と最適参照方式を搭載した64メガビットMRAM ○土田賢二・稲場恒夫・藤田勝之・上田善寛・清水孝文・浅尾吉昭・梶山 健・岩山昌由・池川純夫・岸 達也・甲斐 正・天野 実・下村尚治・與田博明・渡辺陽二（東芝） ICD2010-7 |
本稿ではMRAM開発の最初動向と、64Mbitスピン注入型MRAMに搭載した回路技術について述べる．開発した64Mbit... [more] | ICD2010-7 pp.35-40 |
| ICD | 2010-04-22 14:20 |
神奈川 | 湘南工大 | ［招待講演］Chain FeRAM技術概要とScalingに適したShield-Bitline-Overdrive技術 ○高島大三郎・滋賀秀裕・橋本大輔・宮川 正・尾崎 徹・金谷宏行・首藤 晋・山川晃司・國島 巌（東芝） ICD2010-8 |
本論文では、高密度化/高速化/高バンド幅化が可能なChain FeRAMTM技術の概要と、Scalingに適したShie... [more] | ICD2010-8 pp.41-46 |
| ICD | 2010-04-22 15:20 |
神奈川 | 湘南工大 | [依頼講演] Fabrication of a Nonvolatile Lookup-Table Circuit Chip Using Magneto/Semiconductor-Hybrid Structure for an Immediate-Power-Up Field Programmable Gate Array ○鈴木大輔・夏井雅典・池田正二（東北大）・長谷川晴弘（日立）・三浦勝哉（東北大/日立）・早川 純（日立）・遠藤哲郎・大野英男・羽生貴弘（東北大） ICD2010-9 |
本稿では，磁気トンネル接合素子 (MTJ: Magnetic Tunnel Junction) 素子特性を活用することで... [more] | ICD2010-9 pp.47-52 |
| ICD | 2010-04-22 15:45 |
神奈川 | 湘南工大 | [依頼講演] 双方向ローカルライトドライバ，1/0平均化リファレンスセル，2T1Rセルレイアウトを用いた32Mb SPRAM ○竹村理一郎・河原尊之（日立）・三浦勝哉・山本浩之（日立/東北大）・早川 純・松崎 望・小埜和夫・山ノ内路彦・伊藤顕知・高橋宏昌（日立）・池田正二（東北大）・長谷川晴弘・松岡秀行（日立）・大野英男（東北大） ICD2010-10 |
1.8 V動作，32 nsアクセス，セル書き込み時間40 nsの32 Mb SPRAMを試作した。本チップは，150 n... [more] | ICD2010-10 pp.53-57 |
| ICD | 2010-04-23 09:30 |
神奈川 | 湘南工大 | [依頼講演] データセンター用SSD向けFerroelectric(Fe)-NANDフラッシュメモリと不揮発性ページバッファ ○畑中輝義・矢島亮児（東大）・堀内健史・Shouyu Wang・Xizhen Zhang・高橋光恵・酒井滋樹（産総研）・竹内 健（東大） ICD2010-11 |
データセンター用SSD向け不揮発性ページバッファを備えたFerroelectric (Fe)-NANDフラッシュメモリを... [more] | ICD2010-11 pp.59-64 |
| ICD | 2010-04-23 09:55 |
神奈川 | 湘南工大 | [依頼講演] Multi-stacked 1G cell/layer Pipe-shaped BiCS Flash Memory ○前田高志・板垣清太郎・菱田智雄・勝又竜太・鬼頭 傑・福住嘉晃・木藤 大・田中啓安・小森陽介・石月 恵・松並絢也・藤原友子・青地英明・岩田佳久・渡辺陽二（東芝） ICD2010-12 |
大容量、低ビットコストのメモリデバイス実用化の第一歩として、3次元構造を持つメモリ素子を使ったパイプ型BiCSフラッシュ... [more] | ICD2010-12 pp.65-68 |
| ICD | 2010-04-23 10:20 |
神奈川 | 湘南工大 | 積層型NAND FeRAMの設計法 ○菅野孝一・渡辺重佳（湘南工科大） ICD2010-13 |
[more] | ICD2010-13 pp.69-74 |
| ICD | 2010-04-23 10:45 |
神奈川 | 湘南工大 | 積層型NOR MRAMの検討 ○玉井翔人・渡辺重佳（湘南工科大） ICD2010-14 |
[more] | ICD2010-14 pp.75-80 |
| ICD | 2010-04-23 11:25 |
神奈川 | 湘南工大 | ［招待講演］高速メモリインターフェース ～ DDR/GDDR-DRAM ～ ○高井康浩（エルピーダメモリ） ICD2010-15 |
DDR/GDDR-DRAMの高速メモリインタフェースにおいて、制約の多いプロセス・デバイス技術で10Gb/s近いデータ転... [more] | ICD2010-15 pp.81-82 |
| ICD | 2010-04-23 13:45 |
神奈川 | 湘南工大 | ［招待講演］3次元集積化のための積層チップ間非接触インターフェース ○石黒仁揮・黒田忠広（慶大） ICD2010-16 |
3次元システム集積化のための積層チップ間インターフェースとして、磁界結合方式を用いた低コスト、小面積、低電力、広帯域の非... [more] | ICD2010-16 pp.83-88 |
| ICD | 2010-04-23 14:35 |
神奈川 | 湘南工大 | [依頼講演]非接触メモリカードのための2.5Gb/s/ch 4PAM誘導結合送受信機 ○竹 康宏・川井秀介・石黒仁揮・黒田忠広（慶大） ICD2010-17 |
非接触メモリカードのための2.5Gb/s/ch 4PAM 誘導結合リンクを提案した。 通信速度は市場に普及するメモリカ... [more] |
ICD2010-17 pp.89-92 |
| ICD | 2010-04-23 15:15 |
神奈川 | 湘南工大 | [依頼講演]65nm CMOS GPU-0.1um DRAM間8Tb/s 1pJ/b 0.8mm2/Tb/s QDR誘導結合インタフェース ○三浦典之・春日一貴・齊藤美都子・黒田忠広（慶大） ICD2010-18 |
65nm CMOS GPUと0.1um DRAM間で通信する誘導結合インタフェースを開発した。1024チャネルの並列誘導... [more] | ICD2010-18 pp.93-97 |
| ICD | 2010-04-23 15:40 |
神奈川 | 湘南工大 | [依頼講演]2Gb/s 1.8pJ/b/chip 128NANDフラッシュメモリチップ積層用誘導結合インタフェース ○齊藤美都子・三浦典之・黒田忠広（慶大） ICD2010-19 |
チップ128枚螺旋階段積層を用いて積層した。コントローラは8枚チップを貫通してリレー伝送し所望のメモリチップにアクセスす... [more] | ICD2010-19 pp.99-102 |
| ICD | 2010-04-23 16:05 |
神奈川 | 湘南工大 | [依頼講演]Digital Rosetta Stone: A Sealed Permanent Memory with Inductive-Coupling Power and Data Link ○Yuxiang Yuan・Noriyuki Miura（Keio Univ.）・Shigeki Imai（Sharp）・Hiroyuki Ochi（Kyoto Univ.）・Tadahiro Kuroda（Keio Univ.） ICD2010-20 |
[more] | ICD2010-20 pp.103-105 |
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