10月25日(水) 午後  14:00 - 17:20
(1)	14:00-14:50	［招待講演］段差ゼロの平坦化技術: CMP前のPMD体積調整 SDM2017-50	○掛川智康・二瀬卓也（サンディスク）
(2)	14:50-15:20	Experimental Investigation of Localized Stress Induced Leakage Current Distribution and its Decrease by Atomically Flattening Process SDM2017-51	Hyeonwoo Park・○Rihito Kuroda・Tetsuya Goto・Tomoyuki Suwa・Akinobu Teramoto・Daiki Kimoto・Shigetoshi Sugawa（Tohoku Univ）
(3)	15:20-15:50	化学酸化膜を用いたAr/H2熱処理によるSi表面原子レベル平坦化とHf系MONOS構造への応用 SDM2017-52	○工藤聡也・大見俊一郎（東工大）
	15:50-16:00	休憩　（ 10分 ）
(4)	16:00-16:30	塗布型拡散剤を用いたnm対応コンフォーマルドーピング技術 SDM2017-53	○木下哲郎・真下峻一・大橋卓矢・澤田佳宏・木下洋平・藤村悟史（TOK）
(5)	16:30-17:20	［招待講演］HfO2をゲート絶縁膜に用いたペンタセンOFETのデバイス特性に関する検討 SDM2017-54	○前田康貴・劉　野原・廣木瑞葉・大見俊一郎（東工大）
	17:20-17:30	平成28年度SDM研究専門委員会若手優秀発表賞 表彰式　（ 10分 ）
10月26日(木) 午前  09:30 - 14:30
(6)	09:30-10:20	［招待講演］ビックデータの活用によるメモリ製造革新 ～ 半導体製造の歩留解析支援システム ～ SDM2017-55	○赤堀浩史（東芝メモリ）・中田康太・折原良平・水岡良彰・高木健太郎（東芝）・門多健一・西村孝治・田中祐加子・江口英孝（東芝メモリ）
(7)	10:20-10:50	紫外吸光とチャージアンプ回路を用いた高感度・小型リアルタイムガス濃度計 SDM2017-56	○石井秀和（東北大）・永瀬正明・池田信一（フジキン）・志波良信・白井泰雪・黒田理人・須川成利（東北大）
(8)	10:50-11:20	ZrO2シード層がHfxZr1-xO2薄膜の強誘電性へ及ぼす効果 SDM2017-57	○女屋　崇（明大/物質・材料研究機構）・生田目俊秀（物質・材料研究機構/JST）・澤本直美（明大）・大井暁彦・池田直樹・知京豊裕（物質・材料研究機構）・小椋厚志（明大）
	11:20-13:00	昼食　（ 100分 ）
(9)	13:00-13:30	［依頼講演］28nmスプリットゲートMONOS型フラッシュメモリを用いた高温動作かつ低エラー率を実現するPUF技術 SDM2017-58	○下井貴裕・斉藤朋也・長瀬寛和・伊豆名雅之・神田明彦・伊藤　孝・河野隆司（ルネサス エレクトロニクス）
(10)	13:30-14:00	Pinning Voltage Control of CMOS Image Sensor by measuring sheet resistance at micro test structure in scribe line SDM2017-59	○Yotaro Goto（RSMC）・Tadasihi Yamaguchi・Masazumi Matsuura（REL）・Koji Iizuka（RSMC）
(11)	14:00-14:30	高精度アレイテスト回路計測技術を用いたソースフォロアトランジスタの動作条件変化によるランダムテレグラフノイズの挙動解析 SDM2017-60	○市野真也・間脇武蔵・寺本章伸・黒田理人・若嶋駿一・須川成利（東北大）

問合先と今後の予定
SDM	シリコン材料・デバイス研究会（SDM）   [今後の予定はこちら]
	問合先	黒田 理人(東北大) Tel 022-795-4833 Fax 022-795-4834 E-: e3

Last modified: 2017-08-22 21:09:07