2月5日(金) 午前  10:00 - 17:20
	10:00-10:05	開会の挨拶　（ 5分 ）
(1)	10:05-10:50	［基調講演］三次元集積化技術の課題と展望 SDM2009-182	○小柳光正・福島誉史・李　康旭・田中　徹（東北大）
(2)	10:50-11:20	耐水性分子細孔SiOCH膜中に形成された高信頼CoWBメタル被覆Cu配線 SDM2009-183	○林　喜宏・田上政由・古武直也・井上尚也・中沢絵美子・有田幸司（NECエレクトロニクス）
(3)	11:20-11:50	EUVリソグラフィーを用いた70nmピッチCu/ポーラス低誘電率膜デュアルダマシンインテグレーションの基礎検討 SDM2009-184	○中村直文・小田典明・曽田栄一・細井信基・側瀬聡文・青山　肇・田中雄介・河村大輔・隣　真一・塩原守雄・垂水喜明・近藤誠一・森　一朗・斎藤修一（半導体先端テクノロジーズ）
	11:50-13:00	休憩　（ 70分 ）
(4)	13:00-13:30	Porous Low-k膜対応Direct-CMPプロセス開発 SDM2009-185	○興梠隼人（パナソニック）・千葉原宏幸（ルネサステクノロジ）・鈴木　繁・筒江　誠（パナソニック）・瀬尾光平（パナソニックセミコンダクターエンジニアリング）・岡　好浩・後藤欣哉・赤澤守昭・宮武　浩（ルネサステクノロジ）・松本　晋・上田哲也（パナソニック）
(5)	13:30-14:00	CuAl合金配線を適用した32nmノード対応高信頼性配線技術の開発 SDM2009-186	○井口　学・横川慎二・相澤宏一・角原由美・土屋秀昭・岡田紀雄・今井清隆・戸原誠人・藤井邦宏（NECエレクトロニクス）・渡部忠兆（東芝）
(6)	14:00-14:30	低抵抗・高信頼Cu配線のためのシリサイドキャップ技術 SDM2009-187	○林　裕美・松永範昭・和田　真・中尾慎一・坂田敦子・渡邉　桂・柴田英毅（東芝）
(7)	14:30-15:00	Ti合金による自己形成バリアを用いたデュアルダマシンCu配線の特性 SDM2009-188	○大森和幸・森　健壹・前川和義（ルネサステクノロジ）・小濱和之・伊藤和博（京大）・大西　隆・水野雅夫（神戸製鋼所）・浅井孝祐（ルネサステクノロジ）・村上正紀（学校法人立命館）・宮武　浩（ルネサステクノロジ）
	15:00-15:15	休憩　（ 15分 ）
(8)	15:15-15:45	次世代LSIパッケージ用チップ及びパッケージレベルのシームレスインターコネクト技術 SDM2009-189	○山道新太郎・森　健太郎・菊池　克・村井秀哉・大島大輔・中島嘉樹（NEC）・副島康志・川野連也（NECエレクトロニクス）・村上朝夫（NEC）
(9)	15:45-16:15	低速陽電子ビームを用いたCu/Low-k配線構造中の欠陥検出 SDM2009-190	○上殿明良（筑波大）・井上尚也・林　喜宏・江口和弘・中村友二・廣瀬幸範・吉丸正樹（半導体理工学研究センター）・大島永康・大平俊行・鈴木良一（産総研）
(10)	16:15-16:45	多孔質低誘電率膜CMP時の誘電率評価 SDM2009-191	○小寺雅子・高橋琢視・南幅　学（東芝）
(11)	16:45-17:15	Cu／Low-k配線パターンのラインエッジラフネス評価 SDM2009-192	○山口敦子・龍崎大介・武田健一（日立）・川田洋揮（日立ハイテクノロジーズ）
	17:15-17:20	閉会の挨拶　（ 5分 ）

問合先と今後の予定
SDM	シリコン材料・デバイス研究会（SDM）   [今後の予定はこちら]
	問合先	安斎 久浩(ソニー) Tel 046-201-3297 Fax046-202-6572 E-: HiAniny

Last modified: 2009-12-17 00:36:25