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シリコン材料・デバイス研究会 (SDM) (検索条件: 2008年度)
「from:2008-11-13 to:2008-11-13」による検索結果
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM [詳細] | 2008-11-13 13:10 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］【招待講演】先端システムLSIにおけるアナログ回路設計 ○道正志郎・崎山史朗・森江隆史・松川和生（松下電器）  SDM2008-169 |
[more] | SDM2008-169 pp.1-8 |
| SDM [詳細] | 2008-11-13 14:00 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］ミリ波CMOS回路設計とデバイスモデリング ○藤島 実（東大） SDM2008-170 |
ミリ波CMOS回路が注目を集めている。特に60GHz帯は、毎秒1ギガビットを超える高速通信を無線で実現可能なことから世界... [more] | SDM2008-170 pp.9-14 |
| SDM [詳細] | 2008-11-13 15:10 |
東京 | 機械振興会館 | 13.75ns高速ホログラム光再構成 ○中島真央・渡邊 実（静岡大） SDM2008-171 |
[more] | SDM2008-171 pp.15-20 |
| SDM [詳細] | 2008-11-13 15:35 |
東京 | 機械振興会館 | 大規模光再構成型ゲートアレイにおけるホログラムメモリの不良耐性 ○瀬戸大作・渡邊 実（静岡大） SDM2008-172 |
[more] | SDM2008-172 pp.21-26 |
| SDM [詳細] | 2008-11-14 10:00 |
東京 | 機械振興会館 | 次世代半導体デバイス3次元シミュレータの開発(1) ～ 強安定収束シミュレータの開発 ～ ○桜井清吾・朱 日明・佐藤昌宏・山口 憲（アドバンスソフト） SDM2008-173 |
本稿では次世代半導体デバイス設計に必要なシミュレータの要件を取り上げ、それらを満たすべく我々が開発をしているデバイスシミ... [more] | SDM2008-173 pp.27-32 |
| SDM [詳細] | 2008-11-14 10:25 |
東京 | 機械振興会館 | 次世代半導体デバイス3次元シミュレータの開発(2) ～ 立体構造の容易生成と高品質メッシュシステム ～ ○朱 日明・佐藤昌宏・桜井清吾・山口 憲（アドバンスソフト） SDM2008-174 |
[more] | SDM2008-174 pp.33-36 |
| SDM [詳細] | 2008-11-14 10:50 |
東京 | 機械振興会館 | 時間依存デバイスシミュレーションのための量子ドリフト‐拡散モデルの離散化手法 ○島田知子・小田中紳二（阪大） SDM2008-175 |
[more] | SDM2008-175 pp.37-42 |
| SDM [詳細] | 2008-11-14 11:15 |
東京 | 機械振興会館 | ナノスケールSOI MOFETの閾値電圧シフトに対するバンド非放物線性の影響に関するモデルの検討 ～ バンド非放物線性モデルの修正と検証 ～ ○京兼大輔・大村泰久（関西大） SDM2008-176 |
[more] | SDM2008-176 pp.43-48 |
| SDM [詳細] | 2008-11-14 13:00 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］LDMOSのデバイスモデリングと回路設計 ～ 回路設計に必要なデバイスモデリングとは ～ ○渡辺博文・根来宝昭（リコー） SDM2008-177 |
[more] | SDM2008-177 pp.49-54 |
| SDM [詳細] | 2008-11-14 13:50 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］[招待講演]ディープサブミクロン世代におけるSRAMのロバスト設計 ○新居浩二・薮内 誠・塚本康正・大林茂樹・篠原尋史（ルネサステクノロジ） SDM2008-178 |
微細化によるトランジスタ特性のばらつき増大によって、オンチップSRAMの読み出し・書き込み動作マージンが減少している。こ... [more] | SDM2008-178 pp.55-60 |
| SDM [詳細] | 2008-11-14 15:00 |
東京 | 機械振興会館 | ナノスケールMOSFETチャネル中の引力型イオンがデバイス電気特性に与える影響 ○鎌倉良成・ミリニコフ ゲナディ・森 伸也（阪大）・江崎達也（広島大） SDM2008-179 |
非平衡グリーン関数法に基づく3次元デバイスシミュレータを用いて，無ドープのチャネル中に存在する単一の引力型イオン（ドナー... [more] | SDM2008-179 pp.61-66 |
| SDM [詳細] | 2008-11-14 15:25 |
東京 | 機械振興会館 | 極微細MOSFETにおけるゲートトンネル電流の3次元NEGFシミュレーション ○三成英樹・西谷大祐・森 伸也（阪大） SDM2008-180 |
非平衡グリーン関数法を用いた3 次元量子輸送シミュレーションを極微細MOSFET について行った．シミュレーションの結果... [more] | SDM2008-180 pp.67-70 |
| SDM [詳細] | 2008-11-14 15:50 |
東京 | 機械振興会館 | フラックス方程式に基づいたシリコンの高電界輸送の解析 ○両角直人・名取研二（筑波大） SDM2008-181 |
高電界下の半導体素子において，光学フォノンの放出による電子の運動エネルギーの緩和が輸送特性に及ぼす影響を，Transmi... [more] | SDM2008-181 pp.71-76 |
| SDM [詳細] | 2008-11-14 16:15 |
東京 | 機械振興会館 | シリコンナノワイヤトランジスタの3次元量子輸送シミュレーション ○山田吉宏・土屋英昭・小川真人（神戸大） SDM2008-182 |
極限構造MOSトランジスタとして、シリコンナノワイヤをチャネルとする1次元MOSトランジスタが注目されている。本稿では、... [more] | SDM2008-182 pp.77-82 |
| SDM [詳細] | 2008-11-14 16:40 |
東京 | 機械振興会館 | 第一原理計算によるひずみシリコンナノ構造チャネルの電子状態解析 ○前川忠史・山内恒毅・原 孟史・土屋英昭・小川真人（神戸大） SDM2008-183 |
シリコンMOSFETの性能向上を実現する技術として、ひずみシリコンによる高キャリア移動度化に加え、ナノワイヤ等の新構造の... [more] | SDM2008-183 pp.83-88 |
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