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シリコン材料・デバイス研究会 (SDM) (検索条件: 2008年度)
「from:2008-12-05 to:2008-12-05」による検索結果
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2008-12-05 10:30 |
京都 | 京都大学桂キャンパスA1-001 | 抵抗変化型不揮発性メモリ用NiO薄膜の構造および電気特性へのアニール効果 ○西 佑介・木本恒暢（京大）  SDM2008-184 |
抵抗スイッチング特性を有するニッケル酸化物(NiO)薄膜が，抵抗変化型不揮発性メモリ(ReRAM)用材料の一つとして近年... [more] | SDM2008-184 pp.1-4 |
| SDM | 2008-12-05 10:50 |
京都 | 京都大学桂キャンパスA1-001 | X線検出素子(Silicon Drift Detector)の簡素化と高エネルギーX線の感度向上を目指した研究 ○松浦秀治・高橋美雪・小原一徳・山本和代・前田健寿・加川義隆（阪電通大） SDM2008-185 |
ペルチェ冷却で動作するX線検出素子であるSilicon Drift Detector（SDD）は，X線で発生した電子を効... [more] | SDM2008-185 pp.5-10 |
| SDM | 2008-12-05 11:10 |
京都 | 京都大学桂キャンパスA1-001 | エタノールクラスターイオンビームによるシリコン表面の低損傷・高効率スパッタリング ○龍頭啓充・尾崎良介・高岡義寛（京大） SDM2008-186 |
シリコン表面の低損傷・高効率スパッタリングの実現可能性を探るために，シリコン表面へのエタノールクラスターイオンビームの照... [more] | SDM2008-186 pp.11-15 |
| SDM | 2008-12-05 11:30 |
京都 | 京都大学桂キャンパスA1-001 | アンジュレータ光源を使用した軟X線励起によるa-Si膜表面のSi原子移動 高梨泰幸・部家 彰・○松尾直人・神田一浩（兵庫県立大） SDM2008-187 |
アンジュレータ光源から発生した軟X線をa-Si膜(膜厚1, 50nm)に照射したときの特性変化を検討した．照射前後で表面... [more] | SDM2008-187 pp.17-20 |
| SDM | 2008-12-05 13:15 |
京都 | 京都大学桂キャンパスA1-001 | ［招待講演］金属電極とハフニウム系高誘電率ゲート絶縁膜界面の実効仕事関数変調機構 ○渡部平司・喜多祐起・細井卓治・志村考功（阪大）・白石賢二（筑波大）・奈良安雄（半導体先端テクノロジーズ）・山田啓作（早大） SDM2008-188 |
[more] | SDM2008-188 pp.21-25 |
| SDM | 2008-12-05 13:50 |
京都 | 京都大学桂キャンパスA1-001 | バイオナノドットを用いた極薄トンネル酸化膜デバイスの電気特性評価 ○入船裕行・矢野裕司・浦岡行治・冬木 隆・山下一郎（奈良先端大） SDM2008-189 |
我々は，これまでにバイオナノドット（BND）を電荷保持ノードとしたフローティングゲート型メモリの開発を行ってきた．本研究... [more] | SDM2008-189 pp.27-30 |
| SDM | 2008-12-05 14:10 |
京都 | 京都大学桂キャンパスA1-001 | NO直接酸化法により作製したC面上4H-SiC MOSデバイスの特性 ○大城ゆき・岡本 大・矢野裕司・畑山智亮・浦岡行治・冬木 隆（奈良先端大） SDM2008-190 |
[more] | SDM2008-190 pp.31-35 |
| SDM | 2008-12-05 14:30 |
京都 | 京都大学桂キャンパスA1-001 | 立体ゲート構造を用いたSiC MOSFETの特性向上 ○南園悠一郎・吉岡裕典・登尾正人・須田 淳・木本恒暢（京大） SDM2008-191 |
パワーデバイス用半導体材料として期待されているシリコンカーバイド (SiC)を用いて，立体ゲート構造MOSFETを作製し... [more] | SDM2008-191 pp.37-41 |
| SDM | 2008-12-05 15:10 |
京都 | 京都大学桂キャンパスA1-001 | アルコール系原料を用いた強誘電体膜の電気的特性評価 ○山口正樹・大場友弘（芝浦工大）・増田陽一郎（八戸工大） SDM2008-192 |
近年，次世代の薄膜形成手法のひとつであるプリンテッド・エレクトロニクス手法に応用できるアルコール系インクから強誘電体薄膜... [more] | SDM2008-192 pp.43-47 |
| SDM | 2008-12-05 15:30 |
京都 | 京都大学桂キャンパスA1-001 | 紫外線プラズマ照射によるSiO2/Si界面及びSi中の電気的特性変化 ○滝内 芽・鮫島俊之（東京農工大） SDM2008-193 |
プラズマ及び紫外線レーザ照射後のMOS試料の電気特性の変化について報告する。P型シリコン基板に100nmの熱酸化膜を形成... [more] | SDM2008-193 pp.49-54 |
| SDM | 2008-12-05 15:50 |
京都 | 京都大学桂キャンパスA1-001 | 極淺接合形成のためのイオン注入によるGeアモルファス化プロセス 長田光生・○芝原健太郎（広島大） SDM2008-194 |
Siの微細MOSFET製作に欠かすことができない工程の一つである、極浅接合形成ではプレアモルファス化イオン注入がしばしば... [more] | SDM2008-194 pp.55-58 |
| SDM | 2008-12-05 16:10 |
京都 | 京都大学桂キャンパスA1-001 | F2表面処理したHfO2/Ge MIS構造の電気的特性評価 ○今庄秀人・Hyun Lee・吉岡祐一・金島 岳・奥山雅則（阪大） SDM2008-195 |
High-k/Ge MIS構造は次世代高移動度FETのゲート構造として注目されている．しかし、C-V特性，リーク電流など... [more] | SDM2008-195 pp.59-64 |
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