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シリコン材料・デバイス研究会 (SDM) (検索条件: 2011年度)
「from:2012-03-05 to:2012-03-05」による検索結果
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2012-03-05 10:05 |
東京 | 機械振興会館 | ［基調講演］BEOLプロセスを用いた超低電圧デバイスの開発 ○木村紳一郎（超低電圧デバイス技研組合）  SDM2011-176 |
抵抗変化を起こす機能材料を,集積回路の配線（BEOL）プロセスを用いて配線間に埋め込んだ抵抗変化型不揮発デバイスは，動作... [more] | SDM2011-176 pp.1-5 |
| SDM | 2012-03-05 10:50 |
東京 | 機械振興会館 | Low-k/Cu配線層にシリンダキャパシタを内包したロジックIP準拠・混載DRAMデバイス ○久米一平・井上尚也・肱岡健一郎・川原 潤・武田晃一・古武直也・白井浩樹・風間賢也・桑原愼一・渡會雅敏・佐甲 隆・高橋寿史・小倉 卓・泰地稔二・笠間佳子（ルネサス エレクトロニクス） SDM2011-177 |
従来のeDRAMでは、M1とトランジスタの間にシリンダ容量を配置するために、極めて高いコンタクトを設ける必要がある。LS... [more] | SDM2011-177 pp.7-11 |
| SDM | 2012-03-05 11:20 |
東京 | 機械振興会館 | InGaZnOチャネルの酸素制御とGate/Drain Offset構造によるBEOLトランジスタの高信頼化 ○金子貴昭・井上尚也・齋藤 忍・古武直也・砂村 潤・川原 潤・羽根正巳・林 喜宏（ルネサス エレクトロニクス） SDM2011-178 |
本論文では、ワイドギャップ酸化物半導体InGaZnOを伝導チャネルに用いた、LSI多層配線中に高耐圧インターフェイスを低... [more] | SDM2011-178 pp.13-17 |
| SDM | 2012-03-05 13:00 |
東京 | 機械振興会館 | ラマン分光法およびXPSによるSiO2/Si基板上での多層グラフェン成長初期の研究 ○尾白佳大・小川修一（東北大）・犬飼 学（高輝度光科学研究センター）・佐藤元伸（産総研）・池永英司・室 隆桂之（高輝度光科学研究センター）・二瓶瑞久（産総研）・高桑雄二（東北大）・横山直樹（産総研） SDM2011-179 |
光電子制御プラズマCVDはグラファイト材料を低温成長 (～400 ℃) 、触媒無し、大面積で成長できる有力な手法である。... [more] | SDM2011-179 pp.19-24 |
| SDM | 2012-03-05 13:30 |
東京 | 機械振興会館 | ALD/CVDによる次世代Cu配線用単層バリヤ/ライナーCo(W)膜 ○清水秀治（大陽日酸/東大）・嶋 紘平・百瀬 健（東大）・小林芳彦（大陽日酸）・霜垣幸浩（東大） SDM2011-180 |
ULSIの微細化に伴う配線抵抗の増大を抑えるため、新たな材料が必要とされている。特に、Cu配線の側壁に形成されるバリヤ/... [more] | SDM2011-180 pp.25-29 |
| SDM | 2012-03-05 14:00 |
東京 | 機械振興会館 | 微小流路型反応器を利用した銅めっき液中添加剤作用の解析 ○齊藤丈靖・宮本 豊・服部 直・岡本尚樹・近藤和夫（阪府大） SDM2011-181 |
微小流路型反応器を用いて銅めっき中の添加剤吸着挙動を解析した。Cl―を含む液からCl―、ポリエチレングリコール(PEG)... [more] | SDM2011-181 pp.31-35 |
| SDM | 2012-03-05 14:55 |
東京 | 機械振興会館 | 3次元実装TSVへのコンフォーマル無電解バリアメタルの形成 ○有馬良平・三宅浩志・井上史大・清水智弘・新宮原正三（関西大） SDM2011-182 |
貴金属ナノ粒子を触媒として用いた無電解めっき法による，TSVへのバリアメタルのコンフォーマル堆積について検討を行った．無... [more] | SDM2011-182 pp.37-40 |
| SDM | 2012-03-05 15:25 |
東京 | 機械振興会館 | Si貫通ビア(TSV)の側壁ラフネスに起因したリーク電流特性とビア応力の関係 ○北田秀樹（東大/富士通研）・前田展秀・藤本興冶・児玉祥一・金 永束（東大）・水島賢子（東大/富士通研）・中村友二（富士通研）・大場隆之（東大） SDM2011-183 |
[more] | SDM2011-183 pp.41-46 |
| SDM | 2012-03-05 15:55 |
東京 | 機械振興会館 | Wafer-on-wafer構造における貫通Si電極周辺の局所歪の評価 ○中塚 理（名大）・北田秀樹・金 永束（東大）・水島賢子・中村友二（富士通研）・大場隆之（東大）・財満鎭明（名大） SDM2011-184 |
Wafer-on-wafer技術の応用に向けて，積層した薄化Si層内部における局所歪構造を，顕微ラマン分光法およびX線マ... [more] | SDM2011-184 pp.47-52 |
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