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電子部品・材料研究会 (CPM) (検索条件: 2009年度)
「from:2009-11-19 to:2009-11-19」による検索結果
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2009-11-20 09:55 |
徳島 | 徳島大学（常三島キャンパス・工業会館） | 4inch×11枚大型MOVPE装置(UR25K)を用いた窒化ガリウムの高速成長 ○矢野良樹・池永和正・徳永裕樹（大陽日酸）・山本 淳（大陽日酸イー・エム・シー）・田渕俊也（大陽日酸）・内山康右（大陽日酸イー・エム・シー）・山口 晃・福田 靖・生方映徳（大陽日酸）・原田康博・伴 雄三郎・松本 功（大陽日酸イー・エム・シー）・山崎利明（大陽日酸）  ED2009-148 CPM2009-122 LQE2009-127 |
我々は4インチ基板11枚を1バッチで処理できる大型MOVPE装置（UR25K）を開発した。GaN系デバイスの成長時間の短... [more] | ED2009-148 CPM2009-122 LQE2009-127 pp.95-98 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2009-11-20 10:20 |
徳島 | 徳島大学（常三島キャンパス・工業会館） | 4inch径Si基板上に作製した四元混晶InAlGaN/GaN HEMTエピ構造の特性評価 ○市村幹也・三好実人・田中光浩（日本ガイシ）・江川孝志（名工大） ED2009-149 CPM2009-123 LQE2009-128 |
格子長とバンドギャップの独立制御が可能な四元混晶を障壁層とするInAlGaN/GaN HEMT構造のMOCVD成長および... [more] | ED2009-149 CPM2009-123 LQE2009-128 pp.99-103 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2009-11-20 10:55 |
徳島 | 徳島大学（常三島キャンパス・工業会館） | MgドープGaN表面特性のアニールによる変化 ○小川恵理・橋詰 保（北大/JST） ED2009-150 CPM2009-124 LQE2009-129 |
Mgドープ量の異なるGaN表面にSiO2保護膜を形成し，1000〜1100oCの高温でアニールを行い，アニ... [more] | ED2009-150 CPM2009-124 LQE2009-129 pp.105-108 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2009-11-20 11:20 |
徳島 | 徳島大学（常三島キャンパス・工業会館） | ステップストレス測定によるAlGaN/GaN HFET電流コラプス解析 ○黒田健太郎・井川裕介・光山健太・敖 金平・大野泰夫（徳島大） ED2009-151 CPM2009-125 LQE2009-130 |
AlGaN/GaN HFETの電流コラプスは、ドレインバイアスによるデバイス内での局所的な負帯電が原因とされている。本研... [more] | ED2009-151 CPM2009-125 LQE2009-130 pp.109-114 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2009-11-20 11:45 |
徳島 | 徳島大学（常三島キャンパス・工業会館） | 高Al組成AlGaNの表面特性と深い電子準位 ○菅原克也・久保俊晴（北大）・武富浩幸・三宅秀人・平松和政（三重大）・橋詰 保（北大） ED2009-152 CPM2009-126 LQE2009-131 |
[more] | ED2009-152 CPM2009-126 LQE2009-131 pp.115-118 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2009-11-20 13:10 |
徳島 | 徳島大学（常三島キャンパス・工業会館） | Siイオン注入した窒化物半導体上のAlフリーオーミック電極 ○今井章文・南條拓真・吹田宗義・阿部雄次・柳生栄治・藏田哲之（三菱電機） ED2009-153 CPM2009-127 LQE2009-132 |
[more] | ED2009-153 CPM2009-127 LQE2009-132 pp.119-123 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2009-11-20 13:35 |
徳島 | 徳島大学（常三島キャンパス・工業会館） | AlGaN/GaNヘテロ接合への低抵抗V/Al/Mo/Auオーミック電極の形成 ○渡邊史直（福井大）・矢船憲成（金属系材料研究開発センター/シャープ）・永森 基・近岡大成（福井大）・作野圭一（シャープ）・葛原正明（福井大） ED2009-154 CPM2009-128 LQE2009-133 |
[more] | ED2009-154 CPM2009-128 LQE2009-133 pp.125-128 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2009-11-20 14:00 |
徳島 | 徳島大学（常三島キャンパス・工業会館） | Si基板上AlGaN/GaN HEMTの高耐圧化 ○鈴江隆晃・ローレンス セルバラージ・江川孝志（名工大） ED2009-155 CPM2009-129 LQE2009-134 |
Si基板上AlGaN/GaN HEMTについて厚膜サンプルの特性評価を行った。耐圧測定を行ったところ、成長層膜厚の増加に... [more] | ED2009-155 CPM2009-129 LQE2009-134 pp.129-132 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2009-11-20 14:25 |
徳島 | 徳島大学（常三島キャンパス・工業会館） | 大電流動作GaN MOSFET ○野村剛彦・神林 宏・佐藤義浩・新山勇樹・加藤禎宏（次世代パワーデバイス技研組合） ED2009-156 CPM2009-130 LQE2009-135 |
Si基板上に形成した、AlGaN/GaNヘテロ接合をゲート・ドレイン間に用いたGaN系MOSFETの大電流動作について報... [more] | ED2009-156 CPM2009-130 LQE2009-135 pp.133-137 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2009-11-20 15:00 |
徳島 | 徳島大学（常三島キャンパス・工業会館） | Si基板上GaN-HEMTによる5GHz50W出力電力特性 ○星 真一・伊藤正紀・丸井俊治・大来英之・森野芳昭・玉井 功・戸田典彦・関 昇平（OKI）・江川孝志（名工大） ED2009-157 CPM2009-131 LQE2009-136 |
シリコン基板上GaN-HEMTを用いた高周波高出力電力増幅デバイスについて検討した。デバイスの高周波化を妨げるGaNエピ... [more] | ED2009-157 CPM2009-131 LQE2009-136 pp.139-144 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2009-11-20 15:25 |
徳島 | 徳島大学（常三島キャンパス・工業会館） | マイクロ波無線ユビキタス電源用GaNショットキーダイオードの開発 ○高橋健介・敖 金平（徳島大）・篠原真毅（京大）・丹羽直幹（鹿島建設）・藤原暉雄（翔エンジニアリング）・大野泰夫（徳島大） ED2009-158 CPM2009-132 LQE2009-137 |
マイクロ波を用いた無線電力伝送の大電力化・小型化・高効率化のため、高性能なダイオードが要求されている。ワイドバンドギャッ... [more] | ED2009-158 CPM2009-132 LQE2009-137 pp.145-150 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2009-11-20 15:50 |
徳島 | 徳島大学（常三島キャンパス・工業会館） | 60 GHz帯におけるAlGaN/GaN系HEMTの出力特性 ○渡邊一世・遠藤 聡・山下良美・広瀬信光（NICT）・三村高志（NICT/富士通研）・松井敏明（NICT） ED2009-159 CPM2009-133 LQE2009-138 |
AlGaN/GaN系高電子移動度トランジスタ(HEMT)は高出力・高耐圧特性に優れるだけでなくミリ波帯(30-300 G... [more] | ED2009-159 CPM2009-133 LQE2009-138 pp.151-155 |
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