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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2013-11-28 17:05 |
大阪 | 大阪大学 吹田キャンパス | トンネル接合を用いた多接合窒化物半導体の検討 ○黒川泰視・合田智美・加賀 充・岩谷素顕・竹内哲也・上山 智（名城大）・赤﨑 勇（名城大/名大）・天野 浩（名大）  ED2013-76 CPM2013-135 LQE2013-111 |
[more] | ED2013-76 CPM2013-135 LQE2013-111 pp.57-61 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2013-11-29 10:20 |
大阪 | 大阪大学 吹田キャンパス | 加圧MOVPE法によるInGaN厚膜成長に関する研究 ○山下康平・本田善央・山口雅史・天野 浩（名大） |
[more] | |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2013-11-29 14:20 |
大阪 | 大阪大学 吹田キャンパス | AlGaN系深紫外LEDの開発 ○一本松正道・平野 光（創光科学）・天野 浩（名大）・赤崎 勇（名城大） ED2013-84 CPM2013-143 LQE2013-119 |
[more] | ED2013-84 CPM2013-143 LQE2013-119 pp.91-94 |
| SIP, RCS (共催) |
2013-02-01 16:05 |
広島 | ビューポートくれ（呉） | 有・無線統合エミュレータ ～ 無線ノードの試作状況の紹介 ～ ○真野 浩（山梨大） SIP2012-126 RCS2012-283 |
多様化する無線通信システムに柔軟，かつ迅速に対応可能な，高い汎用性をもつ有・無線統合エミュレータを，任意方式に再構築可能... [more] | SIP2012-126 RCS2012-283 pp.265-270 |
| ED, SDM, CPM (共催) |
2012-05-17 14:30 |
愛知 | 豊橋技術科学大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | Si基板上半極性面(1-101)GaNストライプ上InGaN/GaN多重量子井戸構造の偏光特性 ○久志本真希・谷川智之・本田善央・山口雅史・天野 浩（名大） ED2012-20 CPM2012-4 SDM2012-22 |
MOVPE法により作製した加工Si基板上半極性面(1-101) GaNストライプ上に発光波長435nm～590nm、井戸... [more] | ED2012-20 CPM2012-4 SDM2012-22 pp.15-18 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2011-11-17 17:35 |
京都 | 京都大学桂キャンパス 桂ホール | 窒化物半導体太陽電池の集光特性 ○森 美貴子・山本翔太・桑原洋介・藤井崇裕・岩谷素顕・竹内哲也・上山 智・赤サキ 勇（名城大）・天野 浩（名大） ED2011-87 CPM2011-136 LQE2011-110 |
本研究では、窒化物半導体太陽電池の集光特性を評価した。ソーラーシミュレータを用いてレンズで集光し1~200sunsまで変... [more] | ED2011-87 CPM2011-136 LQE2011-110 pp.71-75 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2011-11-18 09:55 |
京都 | 京都大学桂キャンパス 桂ホール | ELO-AlN上AlGaNの微細構造観察 ○井手公康・山本準一・岩谷素顕・竹内哲也・上山 智・赤サキ 勇（名城大）・天野 浩（名大） ED2011-89 CPM2011-138 LQE2011-112 |
AlGaN系紫外発光素子は、UV-AからUV-Cの全領域で数%を超える高性能LEDが実現されつつあり、今後広く実用化する... [more] | ED2011-89 CPM2011-138 LQE2011-112 pp.81-85 |
| CPM, SDM, ED (共催) |
2011-05-19 15:15 |
愛知 | 名古屋大学 ＶＢＬ | (1-101)GaN/Si上InGaN厚膜のMOVPE成長 ○谷川智之・本田善央・山口雅史・天野 浩（名大）・澤木宣彦（愛知工大） ED2011-13 CPM2011-20 SDM2011-26 |
MOVPE 法により(1-101)GaN/Si 上にInGaN 厚膜の成長を試みた。InGaN を成長するとGaN にみ... [more] | ED2011-13 CPM2011-20 SDM2011-26 pp.63-66 |
| CPM, SDM, ED (共催) |
2011-05-19 16:40 |
愛知 | 名古屋大学 ＶＢＬ | B-Ga2O3（100）基板上GaN及びAlGaNの成長 ○伊藤 駿・竹田健一郎・永田賢吾・青島宏樹・竹原孝祐・岩谷素顕・竹内哲也・上山 智（名城大）・赤サキ 勇（名城大/名大）・天野 浩（名大） ED2011-16 CPM2011-23 SDM2011-29 |
beta-Ga2O3は260nmまでの光を透過しかつ導電性があることから、紫外の縦型伝導LED実現の可能性を秘めている基... [more] | ED2011-16 CPM2011-23 SDM2011-29 pp.77-81 |
| CPM, SDM, ED (共催) |
2011-05-19 17:30 |
愛知 | 名古屋大学 ＶＢＬ | AlNテンプレートを用いた高品質AlN/GaN多層膜反射鏡の作製 ○矢木康太・加賀 充・山下浩司・竹田健一郎・岩谷素顕・竹内哲也・上山 智（名城大）・赤崎 勇（名城大/名大）・天野 浩（名大） ED2011-18 CPM2011-25 SDM2011-31 |
AlN/GaN多層膜は、?族窒化物半導体において大きな屈折率差が利用できる組み合わせであり、少ない層数で高反射率反射鏡の... [more] | ED2011-18 CPM2011-25 SDM2011-31 pp.89-93 |
| CPM, SDM, ED (共催) |
2011-05-20 09:25 |
愛知 | 名古屋大学 ＶＢＬ | III族窒化物半導体トンネル接合を用いた電流経路制御の検討 ○山下浩司・加賀 充・矢木康太（名城大）・鈴木敦志（エルシード）・岩谷素顕・竹内哲也・上山 智（名城大）・赤崎 勇（名城大/名大）・天野 浩（名大） ED2011-20 CPM2011-27 SDM2011-33 |
窒化物半導体トンネル接合を用いた電流経路制御として以下の二つを検討した。まず、従来のLED構造上にトンネル接合と横方向電... [more] | ED2011-20 CPM2011-27 SDM2011-33 pp.99-104 |
| CPM, SDM, ED (共催) |
2011-05-20 09:50 |
愛知 | 名古屋大学 ＶＢＬ | 窒化物半導体トンネル接合の作製 ○加賀 充・飯田大輔（名城大）・北野 司（エルシード）・山下浩司・矢木康太・岩谷素顕・竹内哲也・上山 智（名城大）・赤崎 勇（名城大/名大）・天野 浩（名大） ED2011-21 CPM2011-28 SDM2011-34 |
本報告では、高抵抗p型窒化物半導体に制限されない電流注入を目指して、窒化物半導体を用いたトンネル接合の検討を行った。はじ... [more] | ED2011-21 CPM2011-28 SDM2011-34 pp.105-110 |
| CPM, SDM, ED (共催) |
2011-05-20 10:50 |
愛知 | 名古屋大学 ＶＢＬ | 反射電極を用いた紫外発光素子の光取り出し効率改善 ○竹原孝祐・竹田健一郎・永田賢吾・青島宏樹・伊藤 駿・岩谷素顕・竹内哲也・上山 智・赤サキ 勇（名城大）・天野 浩（名大） ED2011-23 CPM2011-30 SDM2011-36 |
AlGaN系紫外発光素子の高効率化には光取り出し効率の改善が重要である。本研究では、スパッタリングによって成膜したITO... [more] | ED2011-23 CPM2011-30 SDM2011-36 pp.117-121 |
| CPM, SDM, ED (共催) |
2011-05-20 11:15 |
愛知 | 名古屋大学 ＶＢＬ | AlGaN系紫外発光素子の通電特性 ～ UV-LEDの劣化メカニズム ～ ○朴 貴珍・杉山貴之・谷川智之・本田善央・山口雅史・天野 浩（名大）・稲津哲彦・藤田武彦・ぺルノー シリル・平野 光（創光科学） ED2011-24 CPM2011-31 SDM2011-37 |
[more] | ED2011-24 CPM2011-31 SDM2011-37 pp.123-126 |
| CPM, SDM, ED (共催) |
2011-05-20 11:40 |
愛知 | 名古屋大学 ＶＢＬ | AlGaN量子井戸構造の内部量子効率 ○山本準一・伴 和仁・竹田健一郎・井手公康・岩谷素顕・竹内哲也・上山 智（名城大）・赤崎 勇（名城大/名大）・天野 浩（名大） ED2011-25 CPM2011-32 SDM2011-38 |
様々な転位密度の下地層上にAlGaN多重量子井戸(MQWs)を作製し、励起強度変化PL法による内部量子効率(IQE)の評... [more] | ED2011-25 CPM2011-32 SDM2011-38 pp.127-130 |
| CPM, SDM, ED (共催) |
2011-05-20 15:40 |
愛知 | 名古屋大学 ＶＢＬ | 非極性面を用いた窒化物太陽電池の作製 ○中尾達郎・桑原洋介・藤山泰治・藤井崇裕・杉山 徹・山本翔太・岩谷素顕・竹内哲也・上山 智（名城大）・赤サキ 勇（名城大/名大）・天野 浩（名大） ED2011-32 CPM2011-39 SDM2011-45 |
MOVPE 法によりr面サファイア上に非極性面a面GaInN系太陽電池を作製し評価した．試料はn-GaN上に光吸収層Ga... [more] | ED2011-32 CPM2011-39 SDM2011-45 pp.163-167 |
| CPM, SDM, ED (共催) |
2011-05-20 16:05 |
愛知 | 名古屋大学 ＶＢＬ | 窒化物太陽電池の電極構造検討 ○山本翔太・森田義己・桑原洋介・藤井崇裕・杉山 徹・岩谷素顕・上山 智・竹内哲也（名城大）・赤崎 勇（名城大/名大）・天野 浩（名大） ED2011-33 CPM2011-40 SDM2011-46 |
太陽電池の性能向上には光の取り込み効率の最適化が不可欠であり、本研究ではグリッド電極を用いることによってその向上を目指し... [more] | ED2011-33 CPM2011-40 SDM2011-46 pp.169-173 |
| CPM, SDM, ED (共催) |
2011-05-20 16:40 |
愛知 | 名古屋大学 ＶＢＬ | GaN系HFETsの電流コラプスの測定 ～ 非極性a面GaN基板上HFET及びc-GaN基板上p-GaNゲートを用いたノーマリーオフ型JHFET ～ ○杉山貴之・本田善央・山口雅史・天野 浩（名大）・磯部康裕・押村吉徳・岩谷素顕・竹内哲也・上山 智・赤崎 勇（名城大）・今出 完・北岡康夫・森 勇介（阪大） ED2011-34 CPM2011-41 SDM2011-47 |
c面および非極性a面GaN基板上AlGaN/GaN HFETの電流コラプスを測定した。 a-HFETはc面上のHFETs... [more] | ED2011-34 CPM2011-41 SDM2011-47 pp.175-178 |
| CPM, SDM, ED (共催) |
2011-05-20 17:05 |
愛知 | 名古屋大学 ＶＢＬ | GaInNチャネルHFETのAlInNバリア層の検討 ○池田和弥・磯部康裕・一木宏充・堀尾尚史・榊原辰幸・岩谷素顕・竹内哲也・上山 智（名城大）・赤サキ 勇（名城大/名大）・天野 浩（名大） ED2011-35 CPM2011-42 SDM2011-48 |
ヘテロ接合電界効果トランジスタ(HFET)のチャネル層にGaInN を用いることにより、高いバンドオフセットを持つこと、... [more] | ED2011-35 CPM2011-42 SDM2011-48 pp.179-183 |
| OME | 2010-01-20 17:10 |
愛知 | 名城大学 | 紫外LEDを用いた次世代光線治療器の開発および特性評価 ○稲田 シュンコ アルバーノ・天野 浩・赤崎 勇（名城大）・前田 晃・森田明理（名古屋市大） OME2009-86 |
ピーク波長365nm，半値幅10nmの紫外(UV) LEDを用い，16個×16個（50?×50?）のLEDマトリックス光... [more] | OME2009-86 pp.37-41 |
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